
Análise do Mercado de Transistores de Próxima Geração por Mordor Intelligence
Espera-se que o Mercado de Transistores de Próxima Geração registre um CAGR de 4% durante o período de previsão.
- Os materiais semicondutores representam uma das inovações mais significativas na indústria eletrônica. Isso pode ser atribuído à sua alta mobilidade de elétrons, amplos limites de temperatura e baixo consumo de energia. De acordo com a SEMI, as vendas mundiais de equipamentos de fabricação de semicondutores por fabricantes de equipamentos originais atingiram um recorde de USD 117,5 bilhões em 2022, um aumento de 14,7% em relação ao recorde anterior do setor de USD 102,5 bilhões em 2021, com previsão de aumento para USD 120,8 bilhões em 2023.
- O crescente escopo de recursos avançados em dispositivos de consumo também está impulsionando a necessidade de processamento rápido e em tempo real. Além disso, com o advento da IoT, recursos como IA, análise de dados, transferência de dados em tempo real e processamento estão se tornando uma necessidade básica para qualquer dispositivo avançado, criando uma enorme oportunidade para os fornecedores do mercado estudado. Além disso, a TSMC apresentou sua próxima tecnologia de processo de fabricação no Simpósio de Tecnologia da América do Norte de 2022 da empresa, com destaque para os detalhes de seu nó de 2nm de próxima geração, conhecido internamente como N2. A empresa entrará em produção com o nó de 3nm no final de 2022.
- Além disso, em abril de 2022, cientistas criaram o que acreditam ser o primeiro transistor magneto-elétrico que poderia ajudar a tornar os eletrônicos mais eficientes em termos de energia. Além de reduzir o consumo de energia de qualquer microeletrônico que o incorpore, o design da equipe poderia reduzir o número de transistores necessários para armazenar dados específicos em até 75%, levando a dispositivos menores. Também poderia conferir a esses microeletrônicos uma "memória de aço" que lembra exatamente onde seus usuários pararam, mesmo após ser desligado ou perder energia abruptamente.
- Além disso, muitos participantes do mercado estão migrando para o uso de nanofolhas em seu processo de fabricação. Por exemplo, em junho de 2022, a fabricante taiwanesa de chips TSMC revelou detalhes de seu muito aguardado nó de processo de produção de 2nm — previsto para chegar em 2025 — que usará uma arquitetura de transistor de nanofolha e aprimoramentos em sua tecnologia de 3nm. De acordo com a empresa, as gerações mais recentes de chips semicondutores de silício devem aumentar a velocidade. Eles serão mais eficientes em termos de energia à medida que os nós de processo diminuem e a indústria de tecnologia continua a lutar para manter a Lei de Moore.
- Além disso, o período pós-Covid-19 está afetando a capacidade de produção e fabricação do setor de semicondutores e outros componentes eletrônicos. Por exemplo, em junho de 2022, de acordo com fontes da imprensa chinesa, o bloqueio do Ômicron em Shenzhen forçou Huaqiangbei, um dos maiores mercados de eletrônicos do mundo, a fechar parcialmente mais uma vez. Huaqiangbei, um centro de fornecimento de semicondutores, celulares e outros eletrônicos, está situado no Distrito de Futian de Shenzhen. De acordo com a mídia financeira Cailianshe, certos fornecedores em Huaqiangbei suspenderam temporariamente as operações à medida que Shenzhen intensificou as medidas para controlar a disseminação do altamente contagioso Covid-19 Ômicron. Esses fornecedores incluem as primeira e segunda lojas do HuaqiangElectronics World.
Tendências e Perspectivas do Mercado Global de Transistores de Próxima Geração
Adoção crescente do Transistor de Alta Mobilidade de Elétrons (HEMT)
- Os transistores de alta mobilidade de elétrons produzem alto ganho, tornando esses transistores muito úteis como amplificadores. Eles podem comutar rapidamente. E valores de ruído baixos são produzidos, pois as variações de corrente nesses transistores são relativamente baixas.
- Muitas empresas estão desenvolvendo dispositivos HEMT que operam em frequências mais altas do que os transistores convencionais. Por exemplo, em novembro de 2022, a Nanoscience Technology anunciou um novo dispositivo HEMT GaN em modo E de 650V com baixo RDS(on). Em um pacote DFN padrão de 8x8, os transistores de potência INN650D080BS têm uma resistência em estado ligado de 80mΩ (60mΩ típico), permitindo aplicações de maior potência, como arquiteturas LLC de polo totem ou carregadores de bateria rápidos.
- Por exemplo, em setembro de 2022, a Ampleon lançou um novo transistor de alta mobilidade de elétrons GaN-SiC CLL3H0914L-700. Este robusto transistor GaN é otimizado para aplicações de radar onde são necessárias larguras de pulso longas e altos ciclos de trabalho. O transistor foi projetado para atingir mais de 700W de potência de saída de pico a partir de um único transistor, operando a uma tensão de 50V com eficiência líder do setor de mais de 70%, além de ser desenvolvido termicamente para aplicações de pulso longo, como larguras de pulso (~2 milissegundos) e ciclos de trabalho de 20%.
- Além disso, a crescente demanda por eletrônicos de consumo e a aplicabilidade dos transistores de alta mobilidade de elétrons impulsionam o crescimento do mercado. De acordo com o IBEF, o setor indiano de eletrodomésticos e eletrônicos de consumo estava avaliado em USD 9,84 bilhões recentemente e deve mais que dobrar para atingir INR 1,48 lakh crore (USD 21,18 bilhões) até 2025. Esses desenvolvimentos em eletrônicos de consumo impulsionarão ainda mais o crescimento do mercado estudado.
- Além disso, a STMicroelectronics anunciou recentemente uma nova família de componentes GaN denominada STi2GaN, que significa ST Intelligent and Integrated GaN. Os componentes utilizam a tecnologia de embalagem sem fio de ligação da ST para fornecer robustez e confiabilidade. A nova família de produtos visa aproveitar a alta densidade de potência e eficiência do GaN para oferecer uma gama de dispositivos de transistor de alta mobilidade de elétrons (HEMT) de 100V e 650V.

Ásia-Pacífico Deverá Experimentar Crescimento Significativo do Mercado
- A região Ásia-Pacífico é um polo eletrônico com bilhões de dispositivos eletrônicos fabricados anualmente para consumo, especificamente nesta região. No entanto, a região Ásia-Pacífico desempenha um papel significativo na exportação de componentes eletrônicos em todo o mundo. O rápido crescimento no mercado de eletrônicos de consumo nesta região é o principal fator de crescimento para a região Ásia-Pacífico no Mercado Global de Transistores de Próxima Geração.
- Além disso, as economias em desenvolvimento da região, como China e Japão, possuem enormes bases de fabricação de eletrônicos e têm potencial para se tornarem participantes significativos no mercado de transistores. Além disso, os telefones de próxima geração estarão totalmente focados em melhorar o desempenho dos telefones com melhores especificações. Espera-se que a integração de mais transistores leve a telefones menores com processamento mais rápido, o que atende perfeitamente às necessidades dos consumidores. De acordo com o IBEF, as remessas de smartphones "Fabricados na Índia" aumentaram 7% em relação ao ano anterior no primeiro trimestre de 2022, atingindo mais de 48 milhões de unidades, enquanto mais de 190 milhões de smartphones fabricados na Índia foram enviados.
- De acordo com o IBEF, a Política Nacional de Eletrônicos de 2019 tem como meta a produção de um bilhão de aparelhos celulares avaliados em USD 190 bilhões até 2025, dos quais 600 milhões de aparelhos avaliados em USD 100 bilhões devem ser exportados.
- Além disso, a China tornou o crescimento de sua indústria de semicondutores um componente-chave de sua agenda Fabricado na China 2025 para alterar essa situação. A China pretende aumentar sua participação de mercado em eletrônicos, ao mesmo tempo em que a produção local de chips atende a 80% da demanda doméstica pelos inúmeros smartphones, PCs e outros dispositivos que seus 1,4 bilhão de cidadãos usam diariamente. Todos esses elementos devem apoiar a expansão do mercado.
- Além disso, a região conta com vários participantes no mercado de semicondutores, como Samsung, Intel e TSMC. Essas empresas reconheceram que, a partir de 2023, a produção de dispositivos lógicos usando as gerações de tecnologia de 3nm ou 2nm mudará gradualmente das arquiteturas de transistor FinFET para arquiteturas semelhantes a nanofolhas.
- Além disso, em abril de 2022, o terceiro maior conglomerado da Coreia do Sul, o SK Group, adquirirá a Yes Powertechnix, o único fabricante doméstico de semicondutores de potência baseados em um componente de silício e carboneto (SiC), que estão emergindo como um componente-chave de veículos elétricos, como parte de um esforço em todo o grupo para fortalecer seus negócios relacionados a baterias. A SK Inc. disse que compraria direitos de gestão e mais KRW 120 bilhões (USD 95 milhões) para adquirir 95,8% da Yes Powertechnix. Além disso, a empresa recentemente investiu KRW 26,8 bilhões para adquirir uma participação de 33,6% na Yes Powertechnix. Tal desenvolvimento pode impulsionar a demanda da região.

Cenário Competitivo
O mercado de transistores de próxima geração é altamente competitivo. O próprio setor de semicondutores está passando por uma fase de especialização. Historicamente, o setor se concentrou na produção de chips de computador capazes de executar várias funções generalizadas. Esses chips estavam relacionados entre si até certo ponto. Mas hoje, as aplicações dos semicondutores são mais matizadas e diferenciadas, levando à proliferação de participantes de nicho com expertise especializada em vários segmentos verticais. Além disso, neste setor, muitos participantes terceirizam suas funcionalidades, exceto alguns grandes participantes como a Intel, que projeta, fabrica e manufatura produtos semicondutores. Isso torna o setor profundamente conectado às cadeias de suprimentos globais e tornou este setor ferozmente competitivo e profundamente colaborativo.
- Junho de 2022 - A GaN Systems, participante multinacional em semicondutores de potência GaN (nitreto de gálio), introduziu um novo transistor no portfólio mais amplo do setor de transistores de potência GaN. O GS-065-018-2-L expande o portfólio de transistores de alto desempenho e baixo custo da empresa e apresenta menor resistência em estado ligado, maior robustez e desempenho térmico, e uma classificação VDS (transitória) de 850V.
Líderes do Setor de Transistores de Próxima Geração
NXP Semiconductors N.V.
Infineon Technologies AG
STMicroelectronics N.V.
Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.)
Texas Instruments Incorporated
- *Isenção de responsabilidade: Principais participantes classificados em nenhuma ordem específica

Desenvolvimentos Recentes do Setor
- Setembro de 2022 - A EPC Power Conversion Corporation anunciou o EPC2050, um transistor GaN de 350V com RDS(on) máximo de 80mΩ e corrente de saída pulsada de 26A. O EPC2050 mede apenas 1,95mm x 1,95mm, tornando as soluções baseadas no EPC2050 dez vezes menores do que as soluções que utilizam dispositivos de silício equivalentes.
- Julho de 2022 - A Magnachip Semiconductor Corporation anunciou que a empresa apresentou um novo Transistor de Efeito de Campo de Semicondutor de Óxido Metálico (MOSFET) de 24V para baterias de fones de ouvido sem fio. O novo MOSFET de 24V atende ao objetivo dos projetistas de baterias de prolongar a vida útil da bateria após uma carga rápida, reduzindo a perda de condução. A densidade da célula central deste novo produto foi aumentada em 30% em comparação com a versão anterior, enquanto o design da célula central, terminação e pads de fonte foi aprimorado para reduzir o RDS(on) em 24%.
- Março de 2022 - A NXP Semiconductors anunciou novos transistores de potência GaN de RF para sistemas de antena ativa 32T32R usando sua mais recente tecnologia proprietária de nitreto de gálio (GaN). A série exclusiva complementa o portfólio existente da NXP de soluções de amplificador de potência GaN discretas para rádios 64T64R, cobrindo todas as faixas de frequência celular de 2,3GHz a 4,0GHz.
Escopo do Relatório Global do Mercado de Transistores de Próxima Geração
Um transistor é um dispositivo semicondutor que amplifica ou comuta sinais elétricos e energia. O transistor é um dos blocos de construção básicos da eletrônica moderna. O estudo analisa o mercado para vários tipos de transistores que estão evoluindo e utilizando materiais emergentes além do silício em seu processo de fabricação.
O Mercado de Transistores de Próxima Geração é segmentado por Tipo (Transistor de Alta Mobilidade de Elétrons (HEMT), Transistor de Junção Bipolar (BJT), Transistores de Efeito de Campo (FET), Transistor de Múltiplos Emissores (MET), Transistor de Efeito de Campo de Semicondutor de Óxido Metálico de Porta Dupla), Setor de Usuário Final (Aeroespacial e Defesa, Industrial, Telecomunicações, Eletrônicos de Consumo) e Geografia. Os tamanhos de mercado e as previsões são fornecidos em termos de valor (USD milhões) para todos os segmentos acima. O impacto do Covid-19 no mercado e seus componentes afetados também são abordados no escopo do estudo. Além disso, a perturbação dos fatores que afetam a expansão do mercado foi abordada na pesquisa em relação a impulsionadores e restrições.
| Transistor de Alta Mobilidade de Elétrons (HEMT) |
| Transistor de Junção Bipolar (BJT) |
| Transistores de Efeito de Campo (FET) |
| Transistor de Múltiplos Emissores (MET) |
| Transistor de Efeito de Campo de Semicondutor de Óxido Metálico de Porta Dupla |
| Aeroespacial e Defesa |
| Industrial |
| Telecomunicações |
| Eletrônicos de Consumo |
| América do Norte |
| Europa |
| Ásia-Pacífico |
| América Latina |
| Oriente Médio e África |
| Por Tipo | Transistor de Alta Mobilidade de Elétrons (HEMT) |
| Transistor de Junção Bipolar (BJT) | |
| Transistores de Efeito de Campo (FET) | |
| Transistor de Múltiplos Emissores (MET) | |
| Transistor de Efeito de Campo de Semicondutor de Óxido Metálico de Porta Dupla | |
| Por Setor de Usuário Final | Aeroespacial e Defesa |
| Industrial | |
| Telecomunicações | |
| Eletrônicos de Consumo | |
| Por Geografia | América do Norte |
| Europa | |
| Ásia-Pacífico | |
| América Latina | |
| Oriente Médio e África |
Principais Perguntas Respondidas no Relatório
Qual é o tamanho atual do Mercado de Transistores de Próxima Geração?
O Mercado de Transistores de Próxima Geração deve registrar um CAGR de 4% durante o período de previsão (2025-2030)
Quem são os principais participantes do Mercado de Transistores de Próxima Geração?
NXP Semiconductors N.V., Infineon Technologies AG, STMicroelectronics N.V., Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.) e Texas Instruments Incorporated são as principais empresas que operam no Mercado de Transistores de Próxima Geração.
Qual é a região de crescimento mais rápido no Mercado de Transistores de Próxima Geração?
Estima-se que a Ásia-Pacífico cresça ao maior CAGR durante o período de previsão (2025-2030).
Qual região tem a maior participação no Mercado de Transistores de Próxima Geração?
Em 2025, a América do Norte detém a maior participação de mercado no Mercado de Transistores de Próxima Geração.
Quais anos este Mercado de Transistores de Próxima Geração abrange?
O relatório abrange o tamanho histórico do Mercado de Transistores de Próxima Geração para os anos: 2019, 2020, 2021, 2022, 2023 e 2024. O relatório também prevê o tamanho do Mercado de Transistores de Próxima Geração para os anos: 2025, 2026, 2027, 2028, 2029 e 2030.
Página atualizada pela última vez em:
Relatório do Setor de Transistores de Próxima Geração
Estatísticas para a participação, tamanho e taxa de crescimento de receita do mercado de Transistores de Próxima Geração em 2025, criadas pelos Relatórios do Setor da Mordor Intelligence™. A análise de Transistores de Próxima Geração inclui uma perspectiva de previsão de mercado para 2025 a 2030 e uma visão histórica. Obtenha uma amostra desta análise do setor como download gratuito de relatório em PDF.



