中国ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)市場規模とシェア

中国ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)市場サマリー
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Mordor Intelligenceによる中国ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)市場分析

中国のダイナミックランダムアクセスメモリ市場規模は2025年に228億米ドルと推定され、予測期間(2025年〜2030年)においてCAGR 3.95%で成長し、2030年には275億3,000万米ドルに達すると予測されています。

現代の通信技術および先進デジタル技術の普及拡大に伴い、消費者はより大容量の安全なデータストレージシステムを必要としており、DRAMなどの高度なメモリソリューションへの需要が高まっています。

  • DRAM(ダイナミックランダムアクセスメモリ)は、RAM(ランダムアクセスメモリ)の一種であり、現代のデスクトップ、ラップトップ、その他のコンピューティングシステムに広く採用されています。DRAMはコンピューターの一時的なメモリバンクとして機能し、SSDなどのストレージデバイスと比較して大幅に高速であるため、データを迅速かつ短期的にアクセスできる形で保存します。
  • 中国はDRAMの主要消費国の一つであり、近年急速なインフラ整備が進んでいます。これにより、先進デジタル技術およびコンピューティングデバイスの普及が大幅に促進されています。中国国家統計局によると、中国における消費財小売総額に占める電子商取引の割合は、2022年に27.2%に達しました。電子商取引の成長は、コンピューティングデバイスの普及にも好影響をもたらしています。
  • 都市化率の上昇も、中国市場の成長にプラスの影響を与えています。スマートフォン、タブレット、ラップトップなどのモバイルコンピューティングデバイスへの需要が大幅に高まっているためです。政府がさらなる都市化率の向上に注力していることから、こうした製品への需要は今後も拡大し、DRAMへの需要創出につながると見込まれています。例えば、中国国家統計局によると、2022年には中国の総人口の約65.2%が都市部に居住していました。
  • 毎年生成されるデータ量の増加に伴い、ITおよびデータセンター産業も国内で急成長しています。例えば、中国国家発展改革委員会(NDRC)は最近、国内にさらに4か所のデータセンター大規模クラスターを設立する計画を発表しました。こうした動向も、国内における対象市場の成長を後押ししています。
  • しかしながら、DRAMの技術的な制約(例えば、キャパシタの充電を維持するために頻繁に再充電が必要なため、SRAMよりも消費電力が高い点)は、国内における対象市場の成長を阻む主要な要因の一つとなっています。また、米中貿易摩擦も中国のDRAM市場の発展に障壁をもたらしています。

競合状況

中国のダイナミックランダムアクセスメモリ市場は競争が激しく、確立されたプレーヤーが市場を支配しています。特に地場プレーヤーを中心に新規参入者の台頭が見られるものの、グローバルプレーヤーが当面は市場を支配し続けると予測されています。ベンダーは市場プレゼンスをさらに拡大するため、新製品開発、パートナーシップ、合併・買収など複数の戦略を採用しています。主要な市場プレーヤーには、Samsung Electronics Co. Ltd、Micron Technology Inc.、SK Hynix Inc.、ChangXin Memory Technologies Inc.などが含まれます。

  • 2023年5月 - DRAMの大手メーカーであるSK Hynixは、米国による半導体製造装置の禁輸措置を受け、より先進的な製造プロセスへの移行ではなく、DDR3およびDDR4 4Gb製品に注力する形で、中国・無錫工場における従来プロセスの拡張を発表しました。
  • 2022年7月 - 中国および世界市場におけるDRAMチップの大手プロバイダーであるSamsungは、電力効率の向上と高速化を実現した新たなグラフィックスダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)チップを開発しました。同社によると、24ギガビットのグラフィックスダブルデータレート6(GDDR6)は、既存製品と比較してデータ処理速度が30%以上高速であり、第3世代の10ナノメートル技術を採用しています。

中国ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)産業リーダー

  1. Samsung Electronics Co. Ltd

  2. Micron Technology Inc.

  3. SK Hynix Inc.

  4. ChangXin Memory Technologies, Inc.

  5. Winbond Electronics (Suzhou) Limited

  6. *免責事項:主要選手の並び順不同
中国ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)市場集中度
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最近の業界動向

  • 2024年4月:韓国の大手メモリチップメーカーであるSK Hynix(000660.KS)は、韓国に最先端チップ工場を設立するため、5兆3,000億ウォン(約38億6,000万米ドル)を投資する予定です。この施設は、新世代のダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)チップの製造に特化したものとなります。SK HynixはこのDRAM容量の強化を主要目標とし、特にHBM(高帯域幅メモリ)に重点を置いています。
  • 2023年11月:CXMTはDRAM LPDDR5を発売し、このような技術を開発・製造した初の中国企業として重要なマイルストーンを達成しました。低消費電力ダブルデータレート同期ダイナミックランダムアクセスメモリの最新世代であるLPDDR5は、CXMTにとって中核的な製品となっています。同社は、12Gb LPDDR5チップ、PoP(パッケージオンパッケージ)パッケージを採用した12GB LPDDR5チップ、およびDSC(ダイスタッキングチップ)パッケージを採用した6GB LPDDR5チップを含むLPDDR5ラインナップを展開しています。

中国ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)産業レポートの目次

1. はじめに

  • 1.1 調査の前提条件と市場定義
  • 1.2 調査範囲

2. 調査方法

3. エグゼクティブサマリー

4. 市場考察

  • 4.1 市場概要
  • 4.2 産業バリューチェーン分析
  • 4.3 産業の魅力度 - ポーターのファイブフォース分析
    • 4.3.1 新規参入者の脅威
    • 4.3.2 買い手の交渉力
    • 4.3.3 売り手の交渉力
    • 4.3.4 代替製品の脅威
    • 4.3.5 競合の激しさ
  • 4.4 市場のマクロ経済分析

5. 市場ダイナミクス

  • 5.1 市場促進要因
    • 5.1.1 ハイエンドスマートフォンおよびPCへの需要拡大
    • 5.1.2 データセンターへの投資拡大
  • 5.2 市場抑制要因
    • 5.2.1 米国との貿易摩擦

6. 価格分析(グローバルレベル)

  • 6.1 DRAMの種類別(DDR3、DDR4など)スポット価格(1GBあたり、米ドル)の推移(2015年〜2020年以降)
  • 6.2 価格トレンド分析

7. 市場セグメンテーション

  • 7.1 アーキテクチャ別(金額および数量)
    • 7.1.1 DDR3
    • 7.1.2 DDR4
    • 7.1.3 DDR5
    • 7.1.4 DDR2/その他
  • 7.2 アプリケーション別(金額および数量)
    • 7.2.1 スマートフォン/タブレット
    • 7.2.2 PC/ラップトップ
    • 7.2.3 データセンター
    • 7.2.4 グラフィックス
    • 7.2.5 コンシューマー製品
    • 7.2.6 自動車
    • 7.2.7 その他のアプリケーション

8. 競合状況

  • 8.1 企業プロファイル
    • 8.1.1 Samsung Electronics Co. Ltd
    • 8.1.2 Micron Technology Inc.
    • 8.1.3 SK Hynix Inc.
    • 8.1.4 ChangXin Memory Technologies Inc.
    • 8.1.5 Nanya Technology Corporation
    • 8.1.6 Winbond Electronics (Suzhou) Limited
    • 8.1.7 Kingston Technology
    • 8.1.8 Transcend Information
    • 8.1.9 Infineon Technologies AG

9. 投資分析

10. 市場の将来展望

中国ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)市場レポートの調査範囲

ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)は、RAM(ランダムアクセスメモリ)デバイスの一種であり、個別のキャパシタにデータを保存します。このタイプのメモリデバイスは、SSD(ソリッドステートドライブ)などの他のメモリタイプと比較して大幅に高速であるため、現代のコンピューティングおよびストレージデバイスへの採用が拡大しています。

本調査は、中国における各エンドユーザー産業全体にわたるDRAMの需要、技術トレンド、および成長動向を包括的に分析しています。また、最新の動向および変化する市場ダイナミクスを分析し、市場機会の全体像を提供しています。本調査では、市場をアーキテクチャおよびアプリケーション別にセグメント化し、中国のDRAM産業に対するCOVID-19の影響を分析するセクションも含んでいます。市場規模および予測は、上記すべてのセグメントについて、金額(10億米ドル)および数量(10億台)の両面で提供されています。

アーキテクチャ別(金額および数量)
DDR3
DDR4
DDR5
DDR2/その他
アプリケーション別(金額および数量)
スマートフォン/タブレット
PC/ラップトップ
データセンター
グラフィックス
コンシューマー製品
自動車
その他のアプリケーション
アーキテクチャ別(金額および数量)DDR3
DDR4
DDR5
DDR2/その他
アプリケーション別(金額および数量)スマートフォン/タブレット
PC/ラップトップ
データセンター
グラフィックス
コンシューマー製品
自動車
その他のアプリケーション

レポートで回答される主要な質問

中国のダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)市場の規模はどのくらいですか?

中国のダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)市場規模は、2025年に228億米ドルに達し、CAGRが3.95%で成長して2030年には275億3,000万米ドルに達すると予測されています。

中国のダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)市場の現在の規模はどのくらいですか?

2025年における中国のダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)市場規模は228億米ドルに達すると予測されています。

中国のダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)市場における主要プレーヤーは誰ですか?

Samsung Electronics Co. Ltd、Micron Technology Inc.、SK Hynix Inc.、ChangXin Memory Technologies, Inc.、Winbond Electronics (Suzhou) Limitedが、中国のダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)市場で事業を展開する主要企業です。

この中国のダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)市場レポートはどの期間をカバーしており、2024年の市場規模はどのくらいでしたか?

2024年における中国のダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)市場規模は217億8,000万米ドルと推定されました。本レポートは、2019年、2020年、2021年、2022年、2023年、2024年の中国のダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)市場の過去の市場規模をカバーしています。また、2025年、2026年、2027年、2028年、2029年、2030年の中国のダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)市場規模の予測も提供しています。

最終更新日:

中国ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)産業レポート

Mordor Intelligence™産業レポートが作成した、2025年の中国のダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)市場シェア、規模、および収益成長率に関する統計データ。中国のダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)分析には、2025年から2030年までの市場予測見通しおよび過去の概要が含まれています。この産業分析のサンプルを無料レポートPDFダウンロードとして入手してください。

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