Taille et part du marché des semi-conducteurs discrets en Chine - Tendances de croissance et prévisions (2025 - 2030)

Tendances et perspectives du marché des semi-conducteurs discrets en Chine

L'électronique grand public devrait connaître une croissance significative

• Le marché de l'électronique grand public en Chine connaît une forte progression, positionnant le pays comme un acteur majeur sur la scène mondiale. Cette croissance est portée par plusieurs facteurs : l'essor du commerce électronique, une hausse régulière des revenus disponibles des consommateurs chinois, des innovations produits continues, des avancées technologiques et, de manière cruciale, le soutien gouvernemental. Par ailleurs, le marché de l'électronique grand public en Chine est appelé à poursuivre son expansion dans les années à venir, sous l'impulsion de la demande croissante pour les maisons intelligentes, des avancées en matière de technologies de réalité augmentée et virtuelle, et du déploiement des réseaux 5G.
• La Chine domine le marché mondial de la 5G, avec des projections indiquant que la 5G surpassera la 4G en tant que technologie mobile principale dans le pays d'ici 2024. La GSMA prévoit qu'en 2025, la Chine affichera le plus grand nombre de connexions 5G au monde, avec environ 1 milliard d'utilisateurs. La Chine a dévoilé le Plan de déploiement pour la construction de la Chine numérique, une feuille de route stratégique s'inscrivant dans sa vision « Chine numérique 2035 ». Cette initiative vise à propulser la Chine au rang d'acteur mondial majeur de l'innovation numérique d'ici 2035.
• Les acteurs du marché lancent des semi-conducteurs discrets destinés à l'électronique grand public, soutenant ainsi davantage la croissance du marché. Par exemple, en février 2024, Vishay Intertechnology a introduit un transistor de puissance MOSFET à canal N Trench FET Gen V de 30 V très polyvalent. Ce MOSFET offre une densité de puissance améliorée et une haute efficacité thermique, le rendant adapté à diverses applications dans des secteurs tels que l'informatique, le grand public et les télécommunications. Le boîtier compact PowerPAK1212-F de 3,3 mm par 3,3 mm abrite le Vishay Silicionix SiSD5300DN, intégrant une technologie avancée de retournement de source.
• La croissance des initiatives gouvernementales visant à renforcer l'écosystème des semi-conducteurs du pays et l'émergence de la Chine en tant que producteur mondial de secteurs de l'électronique grand public soutiendraient la croissance du marché. L'industrie chinoise des appareils électroménagers est devenue un secteur de plusieurs milliards de dollars. Les données du Bureau national des statistiques de Chine révèlent qu'en avril 2024, la valeur des ventes au détail d'appareils électroménagers et d'électronique grand public en Chine a dépassé 64 milliards CNY (8,96 milliards USD).

Les transistors de puissance devraient détenir une part de marché significative

• Un transistor bipolaire à grille isolée est un dispositif de commutation à semi-conducteurs à trois bornes pouvant être appliqué à de nombreux appareils électroniques pour une commutation rapide et efficace. Ces dispositifs sont généralement utilisés dans les amplificateurs pour la commutation/le traitement de formes d'ondes complexes avec modulation de largeur d'impulsion (MLI). Il existe en variantes discrètes et modulaires. Les semi-conducteurs de puissance sont déployés rapidement et largement, ce qui a engendré de sérieuses préoccupations en matière de fiabilité en raison du peu de données terrain et des incertitudes potentielles. En ce sens, le marché des IGBT connaît une expansion significative.
• Le secteur industriel est l'un des principaux utilisateurs finaux du transistor de puissance IGBT. La tendance en rapide progression de l'Industrie 4.0 en Chine, avec des initiatives telles que « Fabriqué en Chine 2025 » visant à renforcer ses capacités manufacturières et à développer des secteurs de haute technologie, a créé un flux d'opportunités pour les acteurs du marché, ce qui constitue l'un des facteurs stimulant le besoin d'IGBT dans les applications d'entraînement de moteurs. De nombreuses entreprises continuent de remplacer les moteurs conventionnels par des entraînements de moteurs avancés pour simplifier les opérations et améliorer la production.
• L'industrie automobile s'appuie fortement sur les semi-conducteurs discrets MOSFET en silicium pour diverses applications. Les MOSFET sont utilisés dans les unités de contrôle électronique (UCE), la gestion des batteries, le contrôle des moteurs et les systèmes d'éclairage automobile. Compte tenu de leur capacité à gérer des courants, des tensions élevés et de leur durabilité, ces composants sont le premier choix pour les environnements automobiles exigeants. Les transistors de puissance MOSFET jouent un rôle crucial dans le fonctionnement efficace des véhicules électriques (VE). Ils sont employés dans les systèmes d'entraînement de moteurs, les convertisseurs CC-CC pour les systèmes auxiliaires, etc. La croissance robuste des VE est susceptible de stimuler le développement du marché étudié.
• À mesure que la capacité des batteries augmente, les économies d'énergie réalisées grâce aux MOSFET SiC augmentent également. Initialement, ces MOSFET étaient réservés aux VE de milieu et haut de gamme dotés de batteries plus grandes. Cependant, avec l'émergence de véhicules grand public et d'entrée de gamme tels que la Chevrolet Bolt EV, la Volvo EX40, la Kia Niro EV et la Nissan Leaf Plus EV, tous affichant des capacités de batterie supérieures à 50 kWh, les MOSFET SiC sont en passe de s'imposer sur le marché des véhicules particuliers grand public en Chine, stimulant ainsi la demande du marché étudié.