Bipolartransistoren mit isoliertem Gate Marktanalyse
Der Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate wurde auf 7,23 Milliarden US-Dollar geschätzt. Es wird erwartet, dass der Markt im Prognosezeitraum 11,56 Mrd. USD erreichen wird, was einer CAGR von 7,45 % entspricht. Es wird erwartet, dass der zunehmende Einsatz von Leistungsbauelementtechnologien auch den IGBT-Markt stärken wird. IGBT wird häufig in Wechselrichteranwendungen in Haushaltsgeräten wie Kühlschränken, Klimaanlagen und Industriemotoren verwendet, um die Effizienz zu verbessern.
- Leistungstransistoren wie IGBTs helfen bei der schnellen Wärmeableitung, verhindern Überhitzung und minimieren Kohlendioxidemissionen und Stromkosten. Diese Vorteile machen sie zu einem entscheidenden Bestandteil mehrerer elektronischer Produkte. Aufgrund der weltweit wachsenden Bevölkerung und des Verbrauchs fossiler Brennstoffe steigt die Nachfrage nach energieeffizienten elektronischen Geräten.
- Darüber hinaus wird erwartet, dass das enorme Wachstum des EV-Marktes auch das Wachstum des Marktes für isolierte Bipolartransistoren (IGBT) vorantreiben wird. Es ist ein integraler Bestandteil der Stromversorgung von Elektrofahrzeugen, und Entwicklungen in diesem Bereich werden die Kosten senken und die Reichweite von Elektrofahrzeugen erhöhen. IGBT-Anwendungen in Elektro- und Hybridelektrofahrzeugen umfassen den Stromverbrauch in Antriebssträngen und Ladegeräten zur Abgabe und Steuerung der Leistung von Motoren.
- Solar- und Windanwendungen verwenden häufig Hochleistungs-Halbleiterbauelemente, um die Erzeugung und die Netzwerkverbindungen zu optimieren. IGBTs sind eine sehr geeignete Option, wenn Sie mit den hohen Leistungspegeln arbeiten, die in großen Projekten für erneuerbare Energien zu finden sind. In Solarwechselrichteranwendungen wandeln Wechselrichter Gleichspannung von einem Solarzellenpanel in Wechselspannung um. Letzteres kann verwendet werden, um Wechselstromlasten (z. B. Beleuchtung, Haushaltsgeräte, Elektrowerkzeuge usw.) mit einer einphasigen sinusförmigen Wechselspannungswellenform mit einer Frequenz und Spannung zu versorgen, die von der Konstruktion abhängen, für die der Wechselrichter vorgesehen ist. Viele IGBT-Optionen können dazu beitragen, diese Anforderungen zu erfüllen.
- Halbleiter wie IGBTs werden aus einer Reihe von Rohstoffen hergestellt, darunter Silizium, Germanium, Galliumarsenid usw. Diese Materialien werden verarbeitet und gereinigt, um eine kristalline Struktur zu erzeugen, die die Grundlage für den Bau von Halbleiterbauelementen wie verschiedenen Arten von Transistoren bildet. Andere Rohstoffe, die bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendet werden, sind Verunreinigungen wie Bor und Phosphor für die Dotierung sowie Metalle für Verbindungen, Isolatoren für die Isolierung und verschiedene Chemikalien zum Reinigen und Ätzen.
- Der weltweite Ausbruch von COVID-19 hat die Lieferkette und die Produktion des untersuchten Marktes in der Anfangsphase der Pandemie erheblich gestört. Viele Endverbraucherbranchen des Marktes waren ebenfalls von der Pandemie betroffen, was sich negativ auf den Markt auswirkte. Mit der Lockerung vieler COVID-19-bedingter Beschränkungen im folgenden Jahr zog die Nachfrage nach vielen Produkten mit IGBTs jedoch an und beeinflusste damit den Markt positiv.
Markttrends für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate
Automotive und EV/HEV verzeichnen deutliches Wachstum
- In den letzten Jahren hat die Automobilindustrie strenge Zuverlässigkeitsanforderungen an leistungselektronische Systeme gestellt und sich auf kostengünstige Lösungen konzentriert. Abgesehen von denen, die typischerweise mit elektrischen und elektronischen Systemen von Fahrzeugen verbunden sind, stellen die in Hybrid-Elektrofahrzeugen (HEVs) und Elektrofahrzeugen (EVs) erforderliche Hochspannung und hoher Strom technische Herausforderungen für die Energieumwandlung dar. Dementsprechend haben IGBTs aufgrund ihrer hohen internen elektrischen Felder und ihrer Anfälligkeit für erhebliche Sperrschichttemperaturschwankungen eine entscheidende Rolle bei der Gewährleistung der Zuverlässigkeit des HEV-Antriebsstrangs übernommen.
- IGBT-Module werden benötigt, um Strom von einer Form in eine andere umzuwandeln, was die bequeme und sichere Nutzung der Energie durch viele Gegenstände ermöglicht, die von Menschen täglich verwendet werden, einschließlich Elektroautos. Das IGBT-Leistungsmodul gilt als das Herz des elektrifizierten Antriebsstrangs in Elektrofahrzeugen.
- Der IGBT in einem Elektrofahrzeug wird im Motorumrichter als Schalter verwendet. Es wird normalerweise direkt an den Traktionsmotor in einem Elektrofahrzeug angeschlossen, da es sich um ein Hochspannungs- und Hochstromgerät handelt. Es wird erwartet, dass das massive Wachstum des EV-Marktes in verschiedenen Regionen das Wachstum des regionalen IGBT-Marktes vorantreiben wird. So schätzte das EV-Volumen, dass im Jahr 2022 10,5 Millionen neue BEVs und PHEVs ausgeliefert werden sollten, was einem Anstieg von +55 % gegenüber 2021 entspricht.
- Der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) hat sich zu einem wichtigen Akteur bei der Entwicklung von Elektrofahrzeugen entwickelt. In den kommenden Jahren wird erwartet, dass die Nachfrage nach IGBTs aufgrund des Anstiegs der Verkäufe von Elektrofahrzeugen deutlich steigen wird. So prognostiziert ein aktueller Bericht der Internationalen Energieagentur, dass bis 2030 weltweit 125 Millionen Elektroautos auf den Straßen unterwegs sein werden, weil die Politik günstig ist und die Preise sinken. Infolge dieser Entwicklungen werden IGBTs gefragt sein, um die Anforderungen von Elektrofahrzeugen zu erfüllen.
- Darüber hinaus erhöhen viele Anbieter mit dem Wachstum des EV-Marktes ihre F&E-Ausgaben und konzentrieren sich auf die Unterstützung des H/EV-Marktes durch die Entwicklung, Integration und Herstellung modernster Lösungen für Traktionsantriebs- und Steuerungsanwendungen. Unternehmen entwickeln ständig Produkte mit hoher Schaltfrequenz und Kurzschlussfestigkeit, um langlebige und effektive Automobildesigns zu unterstützen.
Für den asiatisch-pazifischen Raum wird ein deutliches Wachstum erwartet
- Sowohl im asiatisch-pazifischen Raum als auch weltweit ist China der größte Verbraucher von Halbleitern, was vor allem auf die Größe seiner heimischen Elektronikindustrie zurückzuführen ist. Das Land ist der größte Produzent und Exporteur von Unterhaltungselektronik weltweit. Somit ist es eine der prominentesten Regionen für den Markt, da MOSFETs und IGBTs in einer Vielzahl von elektronischen Geräten verwendet werden.
- Auch die Elektronikfertigungsindustrie ist in jüngster Zeit stetig gewachsen. Laut einem Bericht der China Academy of Information and Communications Technology stieg die Wertschöpfung der großen Elektronikhersteller in den zwei Monaten von Januar bis Februar 2022 im Vergleich zum Vorjahr um 12,7 %, verglichen mit dem Wachstum von 7,5 % im gesamten Industriesektor des Landes.
- Das Land verfügt über die größte Fertigungsindustrie der Welt. Chinas Industrieproduktion wuchs nach Angaben des Ministeriums für Industrie und Informationstechnologie (MIIT) im Jahr 2022 um 3,6 % gegenüber dem Vorjahr, trotz Produktions- und Logistikunterbrechungen aufgrund von COVID-19-Beschränkungen. Die Produktion des verarbeitenden Gewerbes ist nach Angaben des MIIT im Jahr 2022 schätzungsweise um 3,1 % gestiegen und macht 28 % des chinesischen Bruttoinlandsprodukts (BIP) aus. Da MOSFETs und IGBTs für Motorsteuerungsanwendungen weit verbreitet sind, wird erwartet, dass der Sektor weiterhin eine erhebliche Nachfrage für den Markt schaffen wird.
- China ist auch weltweit führend bei der Einführung von 5G. Nach Angaben der GSMA überstieg die Zahl der 5G-Basisstationen in China Ende 2022 2,3 Millionen, darunter rund 887.000, die im Laufe des Jahres gebaut wurden. Das Land wird der erste Markt mit 1 Milliarde 5G-Verbindungen sein und den Meilenstein bis 2025 erreichen, so die Organisation.
- In Japan macht die Automobilindustrie einen erheblichen Anteil an der Gesamtnachfrage nach Halbleitern im Land aus und hat sich laut dem Verband der Automobilindustrie (VDA) im Jahr 2022 zum fünftgrößten Automobilmarkt entwickelt. Die Migration der Automobilindustrie von Fahrzeugen mit fossilen Brennstoffen zu Hybrid- und Elektrofahrzeugen treibt die Nachfrage nach Leistungsgeräten an.
- So gaben beispielsweise im April 2022 die DENSO Corporation, ein Mobilitätsanbieter, und United Semiconductor Japan Co., Ltd. (USJC), eine Tochtergesellschaft der globalen Halbleitergießerei United Microelectronics Corporation, bekannt, dass die Unternehmen vereinbart haben, bei der Produktion von Leistungshalbleitern in der 300-mm-Fabrik von USJC zusammenzuarbeiten, um die wachsende Nachfrage auf dem Automobilmarkt zu bedienen.
Bipolartransistoren mit isoliertem Gate Branchenübersicht
Der Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate ist aufgrund mehrerer kleiner und großer Akteure, die auf nationalen und internationalen Märkten tätig sind, mäßig wettbewerbsintensiv. Die Marktteilnehmer verfolgen wichtige Strategien wie Produktinnovationen, Fusionen und Übernahmen sowie strategische Partnerschaften, um ihr Produktportfolio zu erweitern und ihre geografische Reichweite zu erweitern. Einige der Akteure auf dem Markt sind unter anderem Renesas Electronics Corporation, Infineon Technologies AG und Fuji Electric Co. Ltd.
Im August 2022 stellte Renesas Electronics eine neue Generation kleiner Hochspannungs-IGBTs vor, um die Leistungselektronik im Kern von Elektrofahrzeugen zu verbessern. Diese Geräte haben Nennströme von bis zu 300 A und können Spannungen von bis zu 1.200 V standhalten. Autohersteller werden in der Lage sein, Batteriestrom zu sparen und die Reichweite von Elektrofahrzeugen zu erhöhen, indem sie in der AE5-Serie von IGBTs des Unternehmens Strom sparen.
Bipolartransistoren mit isoliertem Gate Marktführer
-
Infineon Technologies AG
-
Renesas Electronics Corporation
-
Texas Instruments Incorporated
-
Analog Devices Inc.
-
Microchip Technology Inc.
- *Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
Bipolartransistoren mit isoliertem Gate Marktnachrichten
- März 2023 Die Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Toshiba) stellt den GT30J65MRB vor, einen diskreten 650-V-Bipolartransistor (IGBT) mit isoliertem Gate für Leistungsfaktorkorrekturschaltungen (PFC) in Klimaanlagen und großen Netzteilen für Industrieanlagen. Der GT30J65MRB ist Toshibas erster IGBT für PFC für den Einsatz unter 60 kHz [6] und wurde durch die Verringerung der Schaltverluste (Abschaltverlust) ermöglicht, um einen Betrieb mit höheren Frequenzen zu gewährleisten.
- Januar 2023 Microchip Technology kündigte ein neues umfassendes hybrides dreiphasiges Leistungsantriebsmodul an, die erste Variante der neuen Produktlinie von Leistungsbauelementen, die in 12 verschiedenen Varianten entweder mit Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs oder Bipolartransistoren (IGBTs) mit isoliertem Gate erhältlich sein sollten, um den Anforderungen an eine integrierte und rekonfigurierbare Stromversorgungslösung für Luftfahrtanwendungen gerecht zu werden.
Bipolartransistoren mit isoliertem Gate Branchensegmentierung
Bipolartransistoren mit isoliertem Gate sind Halbleiterbauelemente mit drei Anschlüssen. Es wurde durch die Kombination der besten Eigenschaften von BJT- und Leistungs-MOSFETs entwickelt. Es sorgt für eine gleichmäßige Stromversorgung, indem es die Überlastung der Stromversorgung reduziert, was zu einer optimierten Stromnutzung führt. Die Marktstudie konzentriert sich auf die Trends, die den Markt für Anwendungen in mehreren Regionen beeinflussen. Die Studie verfolgt die wichtigsten Marktparameter, die zugrunde liegenden Wachstumsbeeinflusser und die wichtigsten in der Branche tätigen Anbieter. Darüber hinaus verfolgt die Studie auch die Auswirkungen von COVID-19 auf die gesamte Bipolartransistorindustrie mit isoliertem Gate und ihre Leistung.
Der Markt für isolierte Gate-Bipolartransistoren (IGBT) ist nach Typ (diskreter IGBT und modularer IGBT), Nennleistung (hohe Leistung, mittlere Leistung, geringer Stromverbrauch), Anwendung (Automobil und EV/HEV, Verbraucher, erneuerbare Energien, USV, Bahn, Industrie-/Motorantriebe) und Geografie (Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik und Rest der Welt) unterteilt. Die Marktgrößen und Prognosen sind wertmäßig (Mrd. USD) für alle oben genannten Segmente angegeben.
| Diskreter IGBT |
| Modularer IGBT |
| Hohe Energie |
| Mittlere Leistung |
| Geringer Strom |
| Automobil und EV/HEV |
| Verbraucher |
| Erneuerbare Energien |
| UPS |
| Schiene |
| Industrie-/Motorantriebe |
| Andere Anwendungen |
| Nordamerika |
| Europa |
| Asien-Pazifik |
| Lateinamerika |
| Naher Osten und Afrika |
| Nach Typ | Diskreter IGBT |
| Modularer IGBT | |
| Nach Leistungsbewertung | Hohe Energie |
| Mittlere Leistung | |
| Geringer Strom | |
| Nach Anwendung | Automobil und EV/HEV |
| Verbraucher | |
| Erneuerbare Energien | |
| UPS | |
| Schiene | |
| Industrie-/Motorantriebe | |
| Andere Anwendungen | |
| Nach Geografie | Nordamerika |
| Europa | |
| Asien-Pazifik | |
| Lateinamerika | |
| Naher Osten und Afrika |
Bipolartransistoren mit isoliertem Gate Marktforschung FAQs
Wie groß ist die aktuelle Marktgröße für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate?
Der Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate wird im Prognosezeitraum (2024-2029) voraussichtlich eine CAGR von 7,45 % verzeichnen
Wer sind die Hauptakteure auf dem Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate?
Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, Texas Instruments Incorporated, Analog Devices Inc., Microchip Technology Inc. sind die wichtigsten Unternehmen, die auf dem Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate tätig sind.
Welches ist die am schnellsten wachsende Region auf dem Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate?
Es wird geschätzt, dass der asiatisch-pazifische Raum im Prognosezeitraum (2024-2029) mit der höchsten CAGR wachsen wird.
Welche Region hat den größten Anteil am Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate?
Im Jahr 2024 hat der asiatisch-pazifische Raum den größten Marktanteil am Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate.
Welche Jahre deckt dieser Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate ab?
Der Bericht deckt die historische Marktgröße des Marktes für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate für Jahre ab 2019, 2020, 2021, 2022 und 2023. Der Bericht prognostiziert auch die Marktgröße für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate für Jahre 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 und 2029.
Seite zuletzt aktualisiert am:
Branchenbericht für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT)
Statistiken für den Marktanteil, die Größe und die Umsatzwachstumsrate von Bipolartransistoren (IGBT) mit isoliertem Gate im Jahr 2024, erstellt von Mordor Intelligence™ Industry Reports. Die Analyse von Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT) umfasst einen Marktprognoseausblick für 2029 und einen historischen Überblick. Holen Sie sich eine Probe dieser Branchenanalyse als kostenlosen PDF-Download des Berichts.