Bipolartransistoren mit isoliertem Gate Marktgröße

Bipolartransistoren mit isoliertem Gate Marktzusammenfassung
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Bipolartransistoren mit isoliertem Gate Marktanalyse

Der Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate wurde auf 7,23 Milliarden US-Dollar geschätzt. Es wird erwartet, dass der Markt im Prognosezeitraum 11,56 Mrd. USD erreichen wird, was einer CAGR von 7,45 % entspricht. Es wird erwartet, dass der zunehmende Einsatz von Leistungsbauelementtechnologien auch den IGBT-Markt stärken wird. IGBT wird häufig in Wechselrichteranwendungen in Haushaltsgeräten wie Kühlschränken, Klimaanlagen und Industriemotoren verwendet, um die Effizienz zu verbessern.

  • Leistungstransistoren wie IGBTs helfen bei der schnellen Wärmeableitung, verhindern Überhitzung und minimieren Kohlendioxidemissionen und Stromkosten. Diese Vorteile machen sie zu einem entscheidenden Bestandteil mehrerer elektronischer Produkte. Aufgrund der weltweit wachsenden Bevölkerung und des Verbrauchs fossiler Brennstoffe steigt die Nachfrage nach energieeffizienten elektronischen Geräten.
  • Darüber hinaus wird erwartet, dass das enorme Wachstum des EV-Marktes auch das Wachstum des Marktes für isolierte Bipolartransistoren (IGBT) vorantreiben wird. Es ist ein integraler Bestandteil der Stromversorgung von Elektrofahrzeugen, und Entwicklungen in diesem Bereich werden die Kosten senken und die Reichweite von Elektrofahrzeugen erhöhen. IGBT-Anwendungen in Elektro- und Hybridelektrofahrzeugen umfassen den Stromverbrauch in Antriebssträngen und Ladegeräten zur Abgabe und Steuerung der Leistung von Motoren.
  • Solar- und Windanwendungen verwenden häufig Hochleistungs-Halbleiterbauelemente, um die Erzeugung und die Netzwerkverbindungen zu optimieren. IGBTs sind eine sehr geeignete Option, wenn Sie mit den hohen Leistungspegeln arbeiten, die in großen Projekten für erneuerbare Energien zu finden sind. In Solarwechselrichteranwendungen wandeln Wechselrichter Gleichspannung von einem Solarzellenpanel in Wechselspannung um. Letzteres kann verwendet werden, um Wechselstromlasten (z. B. Beleuchtung, Haushaltsgeräte, Elektrowerkzeuge usw.) mit einer einphasigen sinusförmigen Wechselspannungswellenform mit einer Frequenz und Spannung zu versorgen, die von der Konstruktion abhängen, für die der Wechselrichter vorgesehen ist. Viele IGBT-Optionen können dazu beitragen, diese Anforderungen zu erfüllen.
  • Halbleiter wie IGBTs werden aus einer Reihe von Rohstoffen hergestellt, darunter Silizium, Germanium, Galliumarsenid usw. Diese Materialien werden verarbeitet und gereinigt, um eine kristalline Struktur zu erzeugen, die die Grundlage für den Bau von Halbleiterbauelementen wie verschiedenen Arten von Transistoren bildet. Andere Rohstoffe, die bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendet werden, sind Verunreinigungen wie Bor und Phosphor für die Dotierung sowie Metalle für Verbindungen, Isolatoren für die Isolierung und verschiedene Chemikalien zum Reinigen und Ätzen.
  • Der weltweite Ausbruch von COVID-19 hat die Lieferkette und die Produktion des untersuchten Marktes in der Anfangsphase der Pandemie erheblich gestört. Viele Endverbraucherbranchen des Marktes waren ebenfalls von der Pandemie betroffen, was sich negativ auf den Markt auswirkte. Mit der Lockerung vieler COVID-19-bedingter Beschränkungen im folgenden Jahr zog die Nachfrage nach vielen Produkten mit IGBTs jedoch an und beeinflusste damit den Markt positiv.

Bipolartransistoren mit isoliertem Gate Branchenübersicht

Der Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate ist aufgrund mehrerer kleiner und großer Akteure, die auf nationalen und internationalen Märkten tätig sind, mäßig wettbewerbsintensiv. Die Marktteilnehmer verfolgen wichtige Strategien wie Produktinnovationen, Fusionen und Übernahmen sowie strategische Partnerschaften, um ihr Produktportfolio zu erweitern und ihre geografische Reichweite zu erweitern. Einige der Akteure auf dem Markt sind unter anderem Renesas Electronics Corporation, Infineon Technologies AG und Fuji Electric Co. Ltd.

Im August 2022 stellte Renesas Electronics eine neue Generation kleiner Hochspannungs-IGBTs vor, um die Leistungselektronik im Kern von Elektrofahrzeugen zu verbessern. Diese Geräte haben Nennströme von bis zu 300 A und können Spannungen von bis zu 1.200 V standhalten. Autohersteller werden in der Lage sein, Batteriestrom zu sparen und die Reichweite von Elektrofahrzeugen zu erhöhen, indem sie in der AE5-Serie von IGBTs des Unternehmens Strom sparen.

Bipolartransistoren mit isoliertem Gate Marktführer

  1. Infineon Technologies AG

  2. Renesas Electronics Corporation​

  3. Texas Instruments Incorporated

  4. Analog Devices Inc.​

  5. Microchip Technology Inc.

  6. *Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
Marktkonzentration für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate
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Bipolartransistoren mit isoliertem Gate Marktnachrichten

  • März 2023 Die Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Toshiba) stellt den GT30J65MRB vor, einen diskreten 650-V-Bipolartransistor (IGBT) mit isoliertem Gate für Leistungsfaktorkorrekturschaltungen (PFC) in Klimaanlagen und großen Netzteilen für Industrieanlagen. Der GT30J65MRB ist Toshibas erster IGBT für PFC für den Einsatz unter 60 kHz [6] und wurde durch die Verringerung der Schaltverluste (Abschaltverlust) ermöglicht, um einen Betrieb mit höheren Frequenzen zu gewährleisten.
  • Januar 2023 Microchip Technology kündigte ein neues umfassendes hybrides dreiphasiges Leistungsantriebsmodul an, die erste Variante der neuen Produktlinie von Leistungsbauelementen, die in 12 verschiedenen Varianten entweder mit Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs oder Bipolartransistoren (IGBTs) mit isoliertem Gate erhältlich sein sollten, um den Anforderungen an eine integrierte und rekonfigurierbare Stromversorgungslösung für Luftfahrtanwendungen gerecht zu werden.

Marktbericht für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate - Inhaltsverzeichnis

1. EINFÜHRUNG

  • 1.1 Studienannahmen und Marktdefinition
  • 1.2 Umfang der Studie

2. FORSCHUNGSMETHODIK

3. ZUSAMMENFASSUNG

4. MARKTEINBLICKE

  • 4.1 Marktübersicht
  • 4.2 Attraktivität der Branche – Porters Fünf-Kräfte-Analyse
    • 4.2.1 Verhandlungsmacht der Lieferanten
    • 4.2.2 Verhandlungsmacht der Käufer
    • 4.2.3 Bedrohung durch Neueinsteiger
    • 4.2.4 Bedrohung durch Ersatzprodukte
    • 4.2.5 Wettberbsintensität
  • 4.3 Branchen-Wertschöpfungskettenanalyse
  • 4.4 Bewertung der Auswirkungen von COVID-19 auf den Markt

5. MARKTDYNAMIK

  • 5.1 Marktführer
    • 5.1.1 Einsatz von Power Device-Technologien stärkt den IGBT-Markt
    • 5.1.2 Steigende Nachfrage nach IOT-Geräten und Unterhaltungselektronik erweitert den Markt
  • 5.2 Marktherausforderungen
    • 5.2.1 IGBT ist aufgrund des geringeren Spannungsbereichs keine bevorzugte Option

6. MARKTSEGMENTIERUNG

  • 6.1 Nach Typ
    • 6.1.1 Diskreter IGBT
    • 6.1.2 Modularer IGBT
  • 6.2 Nach Leistungsbewertung
    • 6.2.1 Hohe Energie
    • 6.2.2 Mittlere Leistung
    • 6.2.3 Geringer Strom
  • 6.3 Nach Anwendung
    • 6.3.1 Automobil und EV/HEV
    • 6.3.2 Verbraucher
    • 6.3.3 Erneuerbare Energien
    • 6.3.4 UPS
    • 6.3.5 Schiene
    • 6.3.6 Industrie-/Motorantriebe
    • 6.3.7 Andere Anwendungen
  • 6.4 Nach Geografie
    • 6.4.1 Nordamerika
    • 6.4.2 Europa
    • 6.4.3 Asien-Pazifik
    • 6.4.4 Lateinamerika
    • 6.4.5 Naher Osten und Afrika

7. WETTBEWERBSLANDSCHAFT

  • 7.1 Firmenprofile
    • 7.1.1 Infineon Technologies AG
    • 7.1.2 Renesas Electronics Corporation
    • 7.1.3 Texas Instruments Incorporated
    • 7.1.4 Analog Devices Inc.
    • 7.1.5 Microchip Technology Inc.
    • 7.1.6 NXP Semiconductors
    • 7.1.7 Broadcom Inc.
    • 7.1.8 Mitsubishi Electric Corporation
    • 7.1.9 Toshiba Corporation
    • 7.1.10 Vishay Intertechnology Inc.

8. INVESTITIONSANALYSE

9. ZUKUNFT DES MARKTES

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Bipolartransistoren mit isoliertem Gate Branchensegmentierung

Bipolartransistoren mit isoliertem Gate sind Halbleiterbauelemente mit drei Anschlüssen. Es wurde durch die Kombination der besten Eigenschaften von BJT- und Leistungs-MOSFETs entwickelt. Es sorgt für eine gleichmäßige Stromversorgung, indem es die Überlastung der Stromversorgung reduziert, was zu einer optimierten Stromnutzung führt. Die Marktstudie konzentriert sich auf die Trends, die den Markt für Anwendungen in mehreren Regionen beeinflussen. Die Studie verfolgt die wichtigsten Marktparameter, die zugrunde liegenden Wachstumsbeeinflusser und die wichtigsten in der Branche tätigen Anbieter. Darüber hinaus verfolgt die Studie auch die Auswirkungen von COVID-19 auf die gesamte Bipolartransistorindustrie mit isoliertem Gate und ihre Leistung.

Der Markt für isolierte Gate-Bipolartransistoren (IGBT) ist nach Typ (diskreter IGBT und modularer IGBT), Nennleistung (hohe Leistung, mittlere Leistung, geringer Stromverbrauch), Anwendung (Automobil und EV/HEV, Verbraucher, erneuerbare Energien, USV, Bahn, Industrie-/Motorantriebe) und Geografie (Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik und Rest der Welt) unterteilt. Die Marktgrößen und Prognosen sind wertmäßig (Mrd. USD) für alle oben genannten Segmente angegeben.

Nach Typ
Diskreter IGBT
Modularer IGBT
Nach Leistungsbewertung
Hohe Energie
Mittlere Leistung
Geringer Strom
Nach Anwendung
Automobil und EV/HEV
Verbraucher
Erneuerbare Energien
UPS
Schiene
Industrie-/Motorantriebe
Andere Anwendungen
Nach Geografie
Nordamerika
Europa
Asien-Pazifik
Lateinamerika
Naher Osten und Afrika
Nach Typ Diskreter IGBT
Modularer IGBT
Nach Leistungsbewertung Hohe Energie
Mittlere Leistung
Geringer Strom
Nach Anwendung Automobil und EV/HEV
Verbraucher
Erneuerbare Energien
UPS
Schiene
Industrie-/Motorantriebe
Andere Anwendungen
Nach Geografie Nordamerika
Europa
Asien-Pazifik
Lateinamerika
Naher Osten und Afrika
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Bipolartransistoren mit isoliertem Gate Marktforschung FAQs

Wie groß ist die aktuelle Marktgröße für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate?

Der Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate wird im Prognosezeitraum (2024-2029) voraussichtlich eine CAGR von 7,45 % verzeichnen

Wer sind die Hauptakteure auf dem Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate?

Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation​, Texas Instruments Incorporated, Analog Devices Inc.​, Microchip Technology Inc. sind die wichtigsten Unternehmen, die auf dem Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate tätig sind.

Welches ist die am schnellsten wachsende Region auf dem Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate?

Es wird geschätzt, dass der asiatisch-pazifische Raum im Prognosezeitraum (2024-2029) mit der höchsten CAGR wachsen wird.

Welche Region hat den größten Anteil am Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate?

Im Jahr 2024 hat der asiatisch-pazifische Raum den größten Marktanteil am Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate.

Welche Jahre deckt dieser Markt für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate ab?

Der Bericht deckt die historische Marktgröße des Marktes für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate für Jahre ab 2019, 2020, 2021, 2022 und 2023. Der Bericht prognostiziert auch die Marktgröße für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate für Jahre 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 und 2029.

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Branchenbericht für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT)

Statistiken für den Marktanteil, die Größe und die Umsatzwachstumsrate von Bipolartransistoren (IGBT) mit isoliertem Gate im Jahr 2024, erstellt von Mordor Intelligence™ Industry Reports. Die Analyse von Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT) umfasst einen Marktprognoseausblick für 2029 und einen historischen Überblick. Holen Sie sich eine Probe dieser Branchenanalyse als kostenlosen PDF-Download des Berichts.

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