Größen- und Marktanteilsanalyse des chinesischen Marktes für diskrete Halbleiter – Wachstumstrends und Prognosen (2025 – 2030)

Trends und Erkenntnisse des chinesischen Marktes für diskrete Halbleiter

Für den Bereich Unterhaltungselektronik wird ein erhebliches Wachstum erwartet

• Der chinesische Markt für Unterhaltungselektronik erlebt einen Aufschwung und positioniert das Land als bedeutenden Akteur auf der globalen Bühne. Dieses Wachstum wird durch mehrere Faktoren angetrieben: die zunehmende Reichweite des E-Commerce, ein stetiger Anstieg des verfügbaren Einkommens chinesischer Verbraucher, fortlaufende Produktinnovationen, technologische Fortschritte und, entscheidend, staatliche Unterstützung. Darüber hinaus ist der chinesische Markt für Unterhaltungselektronik in den kommenden Jahren auf weiteres Wachstum ausgerichtet, angetrieben durch die steigende Nachfrage nach Smart Homes, Fortschritte bei Augmented- und Virtual-Reality-Technologien sowie den Ausbau von 5G-Netzen.
• China führt den globalen 5G-Markt an, wobei Prognosen darauf hindeuten, dass 5G bis 2024 4G als primäre Mobilfunktechnologie im Land überholen wird. Die GSMA prognostiziert, dass China bis 2025 die höchste Anzahl an 5G-Verbindungen weltweit aufweisen wird, mit geschätzten 1 Milliarde Nutzern. China stellte den Layoutplan für den Aufbau des digitalen China vor, eine strategische Roadmap, die mit seiner Vision „Digitales China 2035” übereinstimmt. Diese Initiative zielt darauf ab, China bis 2035 zu einem bedeutenden globalen Akteur im Bereich digitaler Innovation zu machen.
• Akteure im Markt bringen diskrete Halbleiter für die Unterhaltungselektronik auf den Markt und unterstützen damit das Marktwachstum weiter. So stellte Vishay Intertechnology beispielsweise im Februar 2024 einen äußerst vielseitigen 30-V-N-Kanal-Trench-FETGen-V-Leistungs-MOSFET vor. Dieser MOSFET bietet eine verbesserte Leistungsdichte und hohe thermische Effizienz, was ihn für verschiedene Anwendungen in verschiedenen Sektoren wie Computer, Unterhaltungselektronik und Telekommunikation geeignet macht. Das kompakte 3,3 mm x 3,3 mm PowerPAK1212-F-Gehäuse beherbergt den Vishay Siliconix SiSD5300DN und integriert fortschrittliche Source-Flip-Technologie.
• Das Wachstum staatlicher Initiativen zur Stärkung des Halbleiterökosystems des Landes und die Entwicklung des Landes zu einem globalen Produzenten im Bereich der Unterhaltungselektronik würden das Marktwachstum unterstützen. Chinas Haushaltsgeräteindustrie hat sich zu einem Sektor im Milliardenbereich entwickelt. Daten des Nationalen Statistikamts Chinas zeigen, dass der Einzelhandelsumsatz von Haushaltsgeräten und Unterhaltungselektronik in China im April 2024 einen Wert von 64 Milliarden CNY (8,96 Milliarden USD) überstieg.

Für Leistungstransistoren wird ein erheblicher Marktanteil erwartet

• Ein Bipolartransistor mit isoliertem Gate ist ein dreipoliges Halbleiterschaltbauelement, das in vielen elektronischen Geräten für schnelles und effizientes Schalten eingesetzt werden kann. Diese Bauelemente werden typischerweise in Verstärkern zum Schalten/Verarbeiten komplexer Wellenmuster mit Pulsweitenmodulation (PWM) verwendet. Sie sind sowohl in diskreter als auch in modularer Ausführung erhältlich. Leistungshalbleiter werden schnell und weit verbreitet eingesetzt, was aufgrund der spärlichen Felddaten und potenzieller Unsicherheiten zu erheblichen Zuverlässigkeitsbedenken geführt hat. In diesem Sinne expandiert der Markt für IGBTs erheblich.
• Der Industriesektor ist einer der wichtigsten Endverbraucher des IGBT-Leistungstransistors. Der rasch voranschreitende Trend von Industrie 4.0 in China mit Initiativen wie „Made in China 2025” zur Stärkung der Fertigungskompetenz und Förderung von Hochtechnologiesektoren hat eine Reihe von Chancen für Marktteilnehmer geschaffen, was einer der Faktoren ist, der den Bedarf an IGBTs in Motorantriebsanwendungen antreibt. Viele Unternehmen ersetzen weiterhin konventionelle Motoren durch fortschrittliche Motorantriebe, um den Betrieb zu vereinfachen und die Leistung zu verbessern.
• Die Automobilindustrie ist in hohem Maße auf diskrete Silizium-MOSFET-Halbleiter für verschiedene Anwendungen angewiesen. MOSFETs werden in elektronischen Steuergeräten (ECUs), im Batteriemanagement, in der Motorsteuerung und in Fahrzeugbeleuchtungssystemen eingesetzt. Aufgrund ihrer Fähigkeit, hohe Ströme, Spannungen und Belastbarkeit zu bewältigen, sind diese Komponenten die erste Wahl für anspruchsvolle Automobilanwendungen. MOSFET-Leistungstransistoren sind entscheidend für den effizienten Betrieb von Elektrofahrzeugen (EVs). Sie werden in Motorantriebssystemen, DC-DC-Wandlern für Hilfssysteme usw. eingesetzt. Das robuste Wachstum von EVs dürfte die Entwicklung des untersuchten Marktes vorantreiben.
• Mit steigender Batteriekapazität wächst auch die Energieeinsparung durch SiC-MOSFETs. Anfänglich waren diese MOSFETs ausschließlich mittel- bis hochpreisigen EVs mit größeren Batterien vorbehalten. Mit dem Aufkommen von Mainstream- und Budgetfahrzeugen wie dem Chevrolet Bolt EV, dem Volvo EX40, dem Kia Niro EV und dem Nissan Leaf Plus EV, die alle über Batteriekapazitäten von mehr als 50 kWh verfügen, sind SiC-MOSFETs bereit, in Chinas Mainstream-Personenfahrzeugmarkt vorzudringen und damit die untersuchte Marktnachfrage anzukurbeln.