China Dynamic Random Access Memory (DRAM) Tamanho do mercado & Análise de participação - Tendências de crescimento e previsões (2024 - 2029)

O mercado chinês de memória de acesso aleatório dinâmico (DRAM) é segmentado por arquitetura (DDR3, DDR4, DDR5 e DDR2) e aplicativo (smartphones / tablets, PCs / laptops, data centers, gráficos, produtos de consumo e automotivo). Os tamanhos de mercado e previsões são fornecidos em termos de valor (bilhões de dólares) e volume (bilhões de unidades) para todos os segmentos acima.

China Dynamic Random Access Memory (DRAM) Tamanho do mercado

China Dynamic Random Access Memory (DRAM) Análise de Mercado

O mercado chinês de memória dinâmica de acesso aleatório (DRAM) está avaliado em US$ 20,99 bilhões no ano atual. Espera-se que registre um CAGR de cerca de 3,95%, atingindo USD 26,46 bilhões até o final do período de previsão. Como os consumidores hoje em dia exigem sistemas de armazenamento de dados seguros com capacidades crescentes devido à crescente adoção de comunicação moderna e tecnologias digitais avançadas, a demanda por soluções avançadas de memória, como DRAM, está crescendo.

  • DRAM, ou memória dinâmica de acesso aleatório, é um tipo específico de RAM (memória de acesso aleatório) que é amplamente adotado em desktops, laptops e outros sistemas de computação modernos. A DRAM atua como um banco de memória temporário para um computador onde os dados são armazenados para acesso rápido e de curto prazo, pois são significativamente mais rápidos do que dispositivos de armazenamento, como SSDs.
  • A China está entre os principais consumidores de DRAMs, já que o país testemunhou um rápido crescimento de infraestrutura nos últimos anos, o que aumentou significativamente a penetração de tecnologias digitais avançadas e dispositivos de computação. De acordo com o Escritório Nacional de Estatísticas da China, a participação do comércio eletrônico no total das vendas no varejo de bens de consumo na China atingiu 27,2% em 2022. O crescimento do e-commerce impactou positivamente a adoção de dispositivos computacionais.
  • A crescente taxa de urbanização também está influenciando positivamente o crescimento do mercado na China, pois aumentou significativamente a demanda por dispositivos de computação móvel, como smartphones, tablets e laptops. Com o governo focando em aumentar ainda mais a taxa de urbanização, a demanda por esses produtos deve crescer, criando demanda por DRAMs. Por exemplo, de acordo com o Escritório Nacional de Estatísticas da China, aproximadamente 65,2% da população total na China vivia em cidades em 2022.
  • O setor de TI e data center também está florescendo no país em meio à crescente quantidade de dados gerados a cada ano. Por exemplo, a Comissão Nacional de Desenvolvimento e Reforma da China (NDRC) revelou recentemente seus planos de estabelecer mais quatro megaclusters de data centers em todo o país. Tais tendências também favorecem o crescimento do mercado estudado no país.
  • No entanto, limitações técnicas do DRAM, como uma potência maior do que o SRAM, pois seus capacitores precisam ser recarregados frequentemente para manter sua carga, está entre os principais fatores que desafiam o crescimento do mercado estudado no país. Além disso, a disputa comercial EUA-China está criando barreiras para o desenvolvimento do mercado de DRAM na China.
  • Um impacto notável do surto de COVID-19 foi observado no mercado. Em contraste, o surto inicial teve um impacto prejudicial no crescimento devido às interrupções na cadeia de suprimentos e na produção causadas por lockdowns em várias regiões. No entanto, espera-se que o mercado cresça no período pós-COVID devido a um crescimento na demanda nas principais indústrias de usuários finais e ao surgimento de jogadores locais no cenário de fabricação de DRAM.

Visão geral da indústria de memória de acesso aleatório dinâmico (DRAM) da China

O mercado dinâmico de memória de acesso aleatório na China é competitivo e dominado por jogadores estabelecidos. Embora o mercado esteja testemunhando o surgimento de novos players, especialmente jogadores locais, espera-se que os players globais continuem a dominar o mercado por enquanto. Os fornecedores estão adotando várias estratégias, incluindo desenvolvimentos de novos produtos, parcerias, fusões e aquisições, para expandir ainda mais sua presença no mercado. Alguns dos principais participantes do mercado incluem Samsung Electronics Co., Micron Technology Inc., Sk hynix Inc., e ChangXin Memory Technologies Inc.

  • Maio de 2023 - A SK hynix, fabricante líder de DRAMs, anunciou a expansão de seus processos legados em sua fábrica em Wuxi, na China, em vez de fazer a transição para processos de produção mais avançados com foco em produtos DDR3 e DDR4 4Gb, devido à proibição dos EUA imposta a equipamentos de fabricação de semicondutores no país.
  • Julho de 2022 - A Samsung, fornecedora líder de chips DRAM na China e globalmente, desenvolveu um novo chip gráfico de memória dinâmica de acesso aleatório (DRAM) com eficiência energética aprimorada e velocidade mais rápida. De acordo com a empresa, o Graphics Double Data Rate 6 (GDDR6) de 24 gigabits possui uma velocidade de processamento de dados que é mais de 30% mais rápida do que os produtos existentes e adota tecnologia de terceira geração de 10 nanômetros.

China Dynamic Random Access Memory (DRAM) Líderes de mercado

  1. Samsung Electronics Co. Ltd

  2. Micron Technology Inc.

  3. SK Hynix Inc.

  4. ChangXin Memory Technologies, Inc.

  5. Winbond Electronics (Suzhou) Limited

  6. *Isenção de responsabilidade: Principais participantes classificados em nenhuma ordem específica
Precisa de mais detalhes sobre jogadores e concorrentes de mercado?
Baixar amostra

China Dynamic Random Access Memory (DRAM) Notícias do Mercado

  • Junho de 2022 - Uma start-up estatal chinesa SwaySure, também conhecida como Sheng Weixu ou Shenzhen Sheng Weixu Technology Company por brevidade, contratou Yukio Sakamoto, um executivo japonês de chips, como parte de uma estratégia para lançar uma indústria local de DRAM. Os principais produtos listados da empresa são chips DRAM de uso geral para smartphones e data centers, que a empresa planeja expandir ainda mais.
  • Janeiro de 2022 - A Micron Technology, gigante americana de chips de memória, anunciou que encerraria suas operações de design de DRAM em Xangai até o final do ano. De acordo com a empresa, a mudança se concentra na produção de memória NAND em Xangai.

Table of Contents

1. INTRODUÇÃO

  • 1.1 Premissas do Estudo e Definição de Mercado
  • 1.2 Escopo do estudo

2. METODOLOGIA DE PESQUISA

3. SUMÁRIO EXECUTIVO

4. INFORMAÇÕES DE MERCADO

  • 4.1 Visão geral do mercado
  • 4.2 Análise da cadeia de valor da indústria
  • 4.3 Atratividade da Indústria – Análise das Cinco Forças de Porter
    • 4.3.1 Ameaça de novos participantes
    • 4.3.2 Poder de barganha dos compradores
    • 4.3.3 Poder de barganha dos fornecedores
    • 4.3.4 Ameaça de produtos substitutos
    • 4.3.5 Intensidade da rivalidade competitiva
  • 4.4 Análise Macroeconômica do Mercado

5. DINÂMICA DE MERCADO

  • 5.1 Drivers de mercado
    • 5.1.1 Demanda crescente por smartphones e PCs de última geração
    • 5.1.2 Investimento crescente em data centers
  • 5.2 Restrições de mercado
    • 5.2.1 Disputa comercial com os Estados Unidos

6. ANÁLISE DE PREÇOS (Nível Global)

  • 6.1 Preço spot (por GB) em USD Evolução por tipo de DRAM (DDR3, DDR4, etc.) de 2015-2020 e além
  • 6.2 Análise de tendências de preços

7. SEGMENTAÇÃO DE MERCADO

  • 7.1 Por Arquitetura (Valor e Volume)
    • 7.1.1 DDR3
    • 7.1.2 DDR4
    • 7.1.3 DDR5
    • 7.1.4 DDR2/Outros
  • 7.2 Por Aplicação (Valor e Volume)
    • 7.2.1 Smartphones/tablets
    • 7.2.2 Computadores/laptops
    • 7.2.3 Centros de dados
    • 7.2.4 Gráficos
    • 7.2.5 Produtos de consumo
    • 7.2.6 Automotivo
    • 7.2.7 Outras aplicações

8. CENÁRIO COMPETITIVO

  • 8.1 Perfis de empresa
    • 8.1.1 Samsung Electronics Co. Ltd
    • 8.1.2 Micron Technology Inc.
    • 8.1.3 SK Hynix Inc.
    • 8.1.4 ChangXin Memory Technologies Inc.
    • 8.1.5 Nanya Technology Corporation
    • 8.1.6 Winbond Electronics (Suzhou) Limited
    • 8.1.7 Kingston Technology
    • 8.1.8 Transcend Information
    • 8.1.9 Infineon Technologies AG

9. ANÁLISE DE INVESTIMENTO

10. FUTURO DO MERCADO

Você pode comprar partes deste relatório. Confira os preços para seções específicas
Obtenha o detalhamento de preços agora

China Dynamic Random Access Memory (DRAM) Segmentação da Indústria

A memória de acesso aleatório dinâmico, ou DRAM, é um tipo de dispositivo de memória de acesso aleatório (RAM) que armazena dados em um capacitor diferente. Esse tipo de dispositivo de memória é significativamente mais rápido do que outros tipos de memória, como unidades de estado sólido (SSDs). Por isso, sua adoção está aumentando em dispositivos modernos de computação e armazenamento.

O estudo analisa de forma abrangente a demanda de DRAMs, tendências tecnológicas e tendências de crescimento em várias indústrias de usuários finais na China. O estudo também analisa os desenvolvimentos recentes e a mudança da dinâmica do mercado para fornecer uma visão holística das oportunidades de mercado. O estudo segmenta o mercado por arquitetura e aplicação e inclui uma seção que analisa o impacto do COVID-19 na indústria DRAM da China. Os tamanhos de mercado e previsões são fornecidos em termos de valor (bilhões de dólares) e volume (bilhões de unidades) para todos os segmentos acima.

Por Arquitetura (Valor e Volume) DDR3
DDR4
DDR5
DDR2/Outros
Por Aplicação (Valor e Volume) Smartphones/tablets
Computadores/laptops
Centros de dados
Gráficos
Produtos de consumo
Automotivo
Outras aplicações
Por Arquitetura (Valor e Volume)
DDR3
DDR4
DDR5
DDR2/Outros
Por Aplicação (Valor e Volume)
Smartphones/tablets
Computadores/laptops
Centros de dados
Gráficos
Produtos de consumo
Automotivo
Outras aplicações
Precisa de uma região ou segmento diferente?
Personalize agora

Perguntas mais frequentes

Qual é o tamanho atual do mercado China Dynamic Random Access Memory (DRAM)?

Prevê-se que o mercado China Dynamic Random Access Memory (DRAM) registre um CAGR de 3.95% durante o período de previsão (2024-2029)

Quem são os chave players no mercado China Dynamic Random Access Memory (DRAM)?

Samsung Electronics Co. Ltd, Micron Technology Inc., SK Hynix Inc., ChangXin Memory Technologies, Inc., Winbond Electronics (Suzhou) Limited são as principais empresas que operam no mercado China Dynamic Random Access Memory (DRAM).

Em que anos este mercado China Dynamic Random Access Memory (DRAM) cobre?

O relatório cobre o tamanho histórico do mercado China Dynamic Random Access Memory (DRAM) por anos 2019, 2020, 2021, 2022 e 2023. O relatório também prevê o tamanho do mercado China Dynamic Random Access Memory (DRAM) para os anos 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 e 2029.

Página atualizada pela última vez em: Junho 9, 2023

China Dynamic Random Access Memory (DRAM) Relatório da Indústria

Estatísticas para a participação de mercado da China Dynamic Random Access Memory (DRAM) de 2024, tamanho e taxa de crescimento da receita, criadas pela Mordor Intelligence™ Industry Reports. A análise da China Dynamic Random Access Memory (DRAM) inclui uma previsão de mercado, perspectivas para 2024 a 2029 e visão geral histórica. Obter uma amostra desta análise da indústria como um download PDF de relatório gratuito.

China Dynamic Random Access Memory (DRAM) Mercado