新兴非易失性存储器市场 - 规模、份额和行业分析

Q: 目前全球新兴非易失性存储器市场规模是多少？

预计全球新兴非易失性存储器市场在预测期间（2024-2029 年）的复合年增长率将超过 22.89% Read More

Q: 全球新兴非易失性存储器市场增长最快的地区是哪个？

据估计，亚太地区在预测期间（2024-2029 年）将以最高的复合年增长率增长。 Read More

Q: 哪个地区在全球新兴非易失性存储器市场中占有最大份额？

到 2024 年，亚太地区将占据全球新兴非易失性存储器市场的最大市场份额。 Read More

新兴非易失性存储器市场规模

新兴非易失性存储器市场分析

新兴的非易失性存储器市场预计在预测期间（2022 - 2027 年）的复合年增长率约为 22.8%。由于存储设备在广泛的最终用户行业（包括消费电子、企业、工业等）中的接受，预计新兴的非易失性存储器市场将出现显着增长。

对快速访问和低功耗存储设备的需求不断增长，以及连接和可穿戴设备对非易失性存储器的需求不断增长，是推动市场增长的一些主要因素。然而，设计和制造新兴非易失性存储设备的高复杂性预计将阻碍预测期内的市场增长。
经过几年的发展，嵌入式新兴的非易失性存储器技术已经获得了实质性的成熟。2021年，几款基于MRAM的嵌入式器件进入量产阶段，其中包括GreenWave的AI处理器和GlobalFoundries的eMRAM（22nm FDSOI）以及由Numen和Gyrfalcon设计和开发的边缘AI加速器（台积电的22nm UL）。
该领域越来越多的研究活动正在推动市场的增长。例如，在 2021 年，三星宣布改进其 MRAM 的 MTJ 功能，同时推进其 14 纳米工艺，以支持其旨在提高写入速度和密度的闪存型嵌入式 MRAM。此外，该公司还瞄准了IC在可穿戴设备、微控制器和物联网设备中的新兴非易失性存储器应用。
COVID-19 大流行及其全球封锁共同影响了内存市场。笔记本电脑和数据中心的需求增长，而智能手机和汽车则面临放缓。最终结果是内存需求相对平衡。由于新兴的非易失性内存业务主要在数据中心市场扩展，3D XPoint促进了存储类内存（SCM）应用，因此对整体新兴非易失性内存市场的发展没有负面影响。尽管新冠疫情在2020年上半年造成了供应链中断，但到2020年下半年初，这些中断已基本消除。

新兴非易失性存储器市场趋势

对数据中心的需求不断增长

在数据中心对内存的需求推动下，对存储设备的需求不断增长，预计将推动对新兴非易失性存储器的需求。
对数据中心的需求是由对高性能计算、边缘计算、大数据和云应用的需求不断增长所推动的。机器学习和人工智能的日益普及促使供应商选择更快、更高的数据容量。在大流行期间，远程工作、在线教育课程和在线医疗援助的迅速采用进一步补充了增长。
此外，为了响应Google，Amazon Web Service，Facebook和Microsoft Azure的新数据中心建设项目，英特尔和AMD在过去几年中推出了新的服务器处理器。预计类似的趋势将推动市场。
亚太地区数据中心市场受到中国和印度发展中经济体的提振。预计中国数据中心市场的增长将受到政府支持举措和国际投资的推动。政府推动人工智能在安全和智能领域的应用，进一步加强了对新兴非易失性存储器的需求。
据NASSCOM称，印度目前支持80个第三方数据中心。预计到 2025 年，本地和国际参与者的投资将达到每年 46 亿美元。

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亚太地区在预测期内将占有重要市场份额

亚太地区是全球新兴非易失性存储器的最大市场之一。该地区几乎所有最终用户应用的需求都很高，主要是中国、印度、印度尼西亚等多个发展中国家对智能手机的需求。
印度拥有庞大的移动电话消费基础;因此，根据印度政府国家投资促进和便利化机构Invest in India的说法，手机的生产价值将从21财年的3000万美元进一步增加到26财年的1.26亿美元。
此外，由于对在线娱乐、远程办公以及视频和语音通话服务的需求增加，包括数据中心在内的新基础设施在中国的发展一直在增长。随着数字经济的快速发展，在中国建设大型大数据中心变得越来越引人注目。这导致了此类数据中心中新兴的非易失性内存使用量的增长，这有助于减少因电源故障或系统崩溃事件而导致的停机时间，从而提供可观的财务价值。
中国、韩国和新加坡等国家的半导体制造设施非常活跃。几家跨国内存制造商将大量资金投入中国市场，尤其是在中国政府举措的推动下，例如中国制造2025。该国的雄心勃勃的目标是到 2030 年半导体产量达到 3050 亿美元，并满足国内约 80% 的半导体需求。预计这一因素将在预测期内吸引更多投资进入该国。
此外，领先的区域研究机构和大学正在开发与新兴非易失性存储器相关的各种技术。例如，2022 年 1 月，由东京工业大学电气与电子工程系 Pham Nam Hai 副教授领导的国际研究团队与加州大学的其他研究人员一起创建了集成了磁隧穿结（MTJ）和拓扑绝缘体的自旋轨道转矩磁阻 RAM （SOT-MRAM）器件。通过相对较高的隧穿磁阻效应和拓扑绝缘体利用低电流密度的写入进行了读数。
因此，由于上述因素，预计在预测期内，亚太地区的收入份额增长速度将快于其他地理区域。

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新兴非易失性存储器行业概览

全球新兴非易失性存储器市场竞争适中，由台积电、德州仪器、英特尔公司、Microchip Technology Inc.、英飞凌科技公司、富士通有限公司、GlobalFoundries Inc.、CrossBar Inc.等几个主要参与者组成。就市场份额而言，目前很少有主要参与者主导市场。然而，随着创新和技术的进步，许多公司正在通过有机和无机增长战略来增加其市场占有率，并开拓新市场。市场最近的一些发展是：。

2022 年 3 月 - 富士通株式会社推出 12Mbit ReRAM（电阻式随机存取存储器）MB85AS12MT，这是富士通 ReRAM 产品系列中密度最大的产品。这款新产品是一款非易失性存储器，具有12Mbit的大存储器密度，封装尺寸约为2mm x 3mm。此外，它还适用于智能手表和助听器等可穿戴设备。
2021 年 10 月 - CrossBar Inc. 宣布其电阻式 RAM （ReRAM）技术的新应用，用于一次性可编程（OTP）和少量可编程（FTP）非易失性存储器（NVM）应用。

新兴非易失性存储器市场领导者

TSMC
Samsung Electronics Co. Ltd.
GlobalFoundries Inc.
Texas Instruments Inc.
Fujitsu Ltd.
*免责声明：主要玩家排序不分先后

SMC、德州仪器公司、英特尔公司、Microchip Technology Inc.、英飞凌科技公司、富士通有限公司、GlobalFoundries Inc.、CrossBar Inc

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新兴非易失性存储器市场新闻

2021 年 11 月 - 富士通株式会社推出具有并行接口的新型 8Mbit FRAM MB85R8M2TA，可保证富士通 FRAM 产品系列中 100 万亿次的读/写周期时间。与富士通的传统产品相比，新产品实现了低功耗、约10%的工作电流和高速运行，访问速度提高了近30%。该存储器IC是需要高速运行的工业机器中SRAM的最佳替代品。
2021 年 5 月 - Micross Components Inc. 宣布与 Avalanche Technology 建立独家合作伙伴关系。Micross是此次合作的芯片和密封器件的独家供应商，利用Avalanche的下一代自旋传递转矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）。

新兴非易失性存储器市场报告-目录

1. 介绍

1.1 研究假设和市场定义
1.2 研究范围

2. 研究方法论

3. 执行摘要

4. 市场洞察

4.1 市场概况
4.2 行业吸引力 - 波特五力分析
- 4.2.1 供应商的议价能力
- 4.2.2 买家的议价能力
- 4.2.3 新进入者的威胁
- 4.2.4 替代品的威胁
- 4.2.5 竞争激烈程度
4.3 行业价值链分析
4.4 新冠肺炎疫情对市场影响评估

5. 市场动态

5.1 驱动程序
- 5.1.1 对快速访问和低功耗存储设备的需求不断增长
- 5.1.2 联网和可穿戴设备对非易失性存储器的需求不断增加
5.2 限制
- 5.2.1 新兴非易失性存储设备的设计和制造复杂性很高

6. 市场细分

6.1 类型
- 6.1.1 独立式
- 6.1.2 嵌入式
6.2 终端用户行业
- 6.2.1 工业的
- 6.2.2 消费类电子产品
- 6.2.3 企业
- 6.2.4 其他的
6.3 地理
- 6.3.1 北美
- 6.3.2 欧洲
- 6.3.3 亚太
- 6.3.4 世界其他地区

7. 竞争格局

7.1 公司简介
- 7.1.1 TSMC
- 7.1.2 Samsung Electronics Co. Ltd.
- 7.1.3 GlobalFoundries Inc.
- 7.1.4 Texas Instruments Inc.
- 7.1.5 Fujitsu Ltd.
- 7.1.6 SK Hynix Inc.
- 7.1.7 Western Digital Corp.
- 7.1.8 CrossBar Inc.
- 7.1.9 Microchip Technology Inc.
- 7.1.10 Intel Corporation
- 7.1.11 Infineon Technologies AG
- 7.1.12 United Microelectronics Corporation (UMC)
- 7.1.13 Toshiba Corp.
- 7.1.14 Nantero Inc.

8. 投资分析

9. 市场机会和未来趋势

10. 关于我们

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新兴非易失性存储器行业细分

非易失性存储器是一种计算机存储器，即使在关闭时也可以保留存储在其上的信息。新兴的非易失性存储器技术有望以比手机、数码相机、便携式音乐播放器等知名消费电子设备使用的昂贵硅芯片更低的成本存储更多数据。在几种替代方案中，自旋传递转矩随机存取存储器、相变存储器和电阻式随机存取存储器（RRAM）是关键的新兴技术。

新兴的非易失性存储器最适合神经形态计算应用，因为它们是小单元大小的，可以存储多个突触权重。该研究涉及的最终用户行业包括消费电子、工业、企业和不同地区的其他行业。此外，市场按类型细分，包括独立和嵌入式。此外，该研究还包括 COVID-19 对市场的影响。

类型	独立式
	嵌入式
终端用户行业	工业的
	消费类电子产品
	企业
	其他的
地理	北美
	欧洲
	亚太
	世界其他地区

类型

独立式

嵌入式

终端用户行业

工业的

消费类电子产品

企业

其他的

地理

北美

欧洲

亚太

世界其他地区

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新兴非易失性存储器市场研究常见问题解答

目前全球新兴非易失性存储器市场规模是多少？

预计全球新兴非易失性存储器市场在预测期间（2024-2029 年）的复合年增长率将超过 22.89%

谁是全球新兴非易失性存储器市场的主要参与者？

TSMC、Samsung Electronics Co. Ltd.、GlobalFoundries Inc.、Texas Instruments Inc.、Fujitsu Ltd. 是在全球新兴非易失性存储器市场运营的主要公司。

全球新兴非易失性存储器市场增长最快的地区是哪个？

据估计，亚太地区在预测期间（2024-2029 年）将以最高的复合年增长率增长。

哪个地区在全球新兴非易失性存储器市场中占有最大份额？

到 2024 年，亚太地区将占据全球新兴非易失性存储器市场的最大市场份额。

这个全球新兴非易失性存储器市场涵盖哪几年？

该报告涵盖了全球新兴非易失性存储器市场的历史市场规模：2019 年、2020 年、2021 年、2022 年和 2023 年。该报告还预测了全球新兴非易失性存储器市场规模：2024 年、2025 年、2026 年、2027 年、2028 年和 2029 年。

页面最后更新于: 五月 6, 2024

非易失性存储器行业报告

2024 年非易失性存储器市场份额、规模和收入增长率的统计数据，由 Mordor Intelligence™ Industry Reports 创建。非易失性存储器分析包括 2029 年市场预测展望和历史概述。获取此行业分析的样本，作为免费报告PDF下载。

研究期	2019 - 2029
估计的基准年	2023
CAGR	22.89%
增长最快的市场	亚太地区
最大的市场	亚太地区
市场集中度	中等
主要参与者 *免责声明：主要玩家排序不分先后

新兴非易失性存储器市场规模和份额分析-增长趋势和预测（2024-2029）