Tamanho do mercado Transistores bipolares de portão isolado

Resumo do mercado Transistores bipolares de portão isolado
Imagem © Mordor Intelligence. O reuso requer atribuição conforme CC BY 4.0.

Análise de Mercado de Transistores Bipolares de Portão Isolado

O mercado de transistores bipolares de porta isolada foi estimado em US$ 7,23 bilhões. Espera-se que o mercado atinja USD 11.56 bilhões durante o período de previsão, registrando um CAGR de 7.45%. Espera-se também que a crescente implantação de tecnologias de dispositivos de energia fortaleça o mercado de IGBT. IGBT é amplamente utilizado em aplicações de inversor em eletrodomésticos como geladeiras, condicionadores de ar e motores industriais para melhorar a eficiência.

  • Transistores de potência, como IGBTs, ajudam na rápida dissipação de calor, evitam o superaquecimento e minimizam as emissões de dióxido de carbono e o custo da eletricidade. Essas vantagens os tornam um componente crucial de vários produtos eletrônicos. Devido ao aumento da população mundial e do uso de combustíveis fósseis, tem havido uma demanda crescente por dispositivos eletrônicos eficientes em termos de energia.
  • Além disso, o enorme crescimento no mercado de EV também é antecipado a impulsionar o crescimento do mercado de transistor bipolar de porta isolada (IGBT). Ele é parte integrante do fornecimento de energia para veículos elétricos, e os desenvolvimentos no campo diminuirão o custo e aumentarão a gama de veículos elétricos. As aplicações do IGBT em veículos elétricos e híbridos incluem o uso de energia em powertrains e carregadores para entrega e controle de potência em relação a motores.
  • Aplicações solares e eólicas geralmente usam dispositivos semicondutores de alta potência para otimizar a geração e as conexões de rede. Os IGBTs são uma opção altamente adequada quando se trabalha com os altos níveis de potência encontrados em projetos renováveis de grande escala. Em aplicações de inversores solares, os inversores convertem a tensão DC de um painel de matriz solar para a tensão AC. Este último pode ser usado para alimentar cargas CA (por exemplo, iluminação, eletrodomésticos, ferramentas elétricas, etc.) usando uma forma de onda de tensão senoidal CA monofásica em uma frequência e tensão que dependem do projeto para o qual o inversor é destinado. Muitas opções de IGBT podem ajudar a atingir esses requisitos.
  • Os semicondutores, como os IGBTs, são feitos de uma variedade de matérias-primas, incluindo silício, germânio, arseneto de gálio, etc. Esses materiais são processados e purificados para criar uma estrutura cristalina, que forma a base para a construção de dispositivos semicondutores, como diferentes tipos de transistores. Outras matérias-primas usadas na fabricação de dispositivos semicondutores incluem impurezas como boro e fósforo para dopagem, bem como metais para interconexões, isolantes para isolamento e vários produtos químicos para limpeza e corrosão.
  • O surto de COVID-19 em todo o mundo interrompeu significativamente a cadeia de suprimentos e a produção do mercado estudado na fase inicial da pandemia. Muitas indústrias usuárias finais do mercado também foram afetadas devido à pandemia, que impactou negativamente o mercado. No entanto, com muitas restrições relacionadas ao COVID-19 diminuindo no ano seguinte, a demanda por muitos produtos incorporando IGBTs aumentou, influenciando positivamente o mercado.

Visão geral da indústria de transistores bipolares de portão isolado

O mercado de transistor bipolar de portão isolado é moderadamente competitivo, devido a vários pequenos e grandes players que operam nos mercados doméstico e internacional. Os players do mercado estão adotando grandes estratégias, como inovações de produtos, fusões e aquisições e parcerias estratégicas, para ampliar seu portfólio de produtos e expandir seu alcance geográfico. Alguns dos players do mercado são Renesas Electronics Corporation, Infineon Technologies AG e Fuji Electric Co.

Em agosto de 2022, a Renesas Electronics revelou uma nova geração de IGBTs pequenos e de alta tensão em um esforço para melhorar a eletrônica de potência no núcleo dos EVs. Esses dispositivos têm classificações de corrente de até 300 A e podem suportar tensões de até 1.200 V. As montadoras poderão conservar a energia da bateria e aumentar a autonomia dos EVs, economizando energia na série AE5 de IGBTs da empresa.

Transistores bipolares de portão isolado Líderes de mercado

  1. Infineon Technologies AG

  2. Renesas Electronics Corporation​

  3. Texas Instruments Incorporated

  4. Analog Devices Inc.​

  5. Microchip Technology Inc.

  6. *Isenção de responsabilidade: Principais participantes classificados em nenhuma ordem específica
Concentração de mercado de transistores bipolares de portão isolado
Imagem © Mordor Intelligence. O reuso requer atribuição conforme CC BY 4.0.
Precisa de mais detalhes sobre jogadores e concorrentes de mercado?
Baixar amostra

Transistores bipolares de portão isolado Notícias do Mercado

  • Março de 2023 A Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Toshiba) apresentou o GT30J65MRB, um transistor bipolar de porta isolada discreta (IGBT) de 650V para circuitos de correção de fator de potência (PFC) em condicionadores de ar e grandes fontes de alimentação para equipamentos industriais. O GT30J65MRB é o primeiro IGBT da Toshiba para PFC para uso abaixo de 60 kHz [6], e foi possível pela redução da perda de comutação (perda de comutação de desligamento) para garantir uma operação de maior frequência.
  • Janeiro de 2023 A Microchip Technology anunciou um novo módulo de acionamento de energia trifásico híbrido abrangente, a primeira variante da nova linha de produtos de dispositivos de energia que deveriam estar disponíveis em 12 variantes diferentes com MOSFETs de carboneto de silício (SiC) ou transistores bipolares de porta isolada (IGBTs), para atender às necessidades de uma solução de energia integrada e reconfigurável para aplicações de aviação.

Relatório de mercado Transistores bipolares de portão isolado - Índice

1. INTRODUÇÃO

  • 1.1 Premissas do Estudo e Definição de Mercado
  • 1.2 Escopo do estudo

2. METODOLOGIA DE PESQUISA

3. SUMÁRIO EXECUTIVO

4. INFORMAÇÕES DE MERCADO

  • 4.1 Visão geral do mercado
  • 4.2 Atratividade da Indústria – Análise das Cinco Forças de Porter
    • 4.2.1 Poder de barganha dos fornecedores
    • 4.2.2 Poder de barganha dos compradores
    • 4.2.3 Ameaça de novos participantes
    • 4.2.4 Ameaça de substitutos
    • 4.2.5 Intensidade da rivalidade competitiva
  • 4.3 Análise da cadeia de valor da indústria
  • 4.4 Avaliação do Impacto do COVID-19 no Mercado

5. DINÂMICA DE MERCADO

  • 5.1 Drivers de mercado
    • 5.1.1 A implantação de tecnologias de dispositivos de energia está fortalecendo o mercado IGBT
    • 5.1.2 A crescente demanda por dispositivos IOT e eletrônicos de consumo está expandindo o mercado
  • 5.2 Desafios de mercado
    • 5.2.1 IGBT não é uma opção preferida devido à faixa de tensão mais baixa

6. SEGMENTAÇÃO DE MERCADO

  • 6.1 Por tipo
    • 6.1.1 IGBT discreto
    • 6.1.2 IGBT Modular
  • 6.2 Por classificação de potência
    • 6.2.1 Alto poder
    • 6.2.2 Potência Média
    • 6.2.3 Baixo consumo de energia
  • 6.3 Por aplicativo
    • 6.3.1 Automotivo e EV/HEV
    • 6.3.2 Consumidor
    • 6.3.3 Renováveis
    • 6.3.4 UPS
    • 6.3.5 Trilho
    • 6.3.6 Acionamentos industriais/motores
    • 6.3.7 Outras aplicações
  • 6.4 Por geografia
    • 6.4.1 América do Norte
    • 6.4.2 Europa
    • 6.4.3 Ásia-Pacífico
    • 6.4.4 América latina
    • 6.4.5 Oriente Médio e África

7. CENÁRIO COMPETITIVO

  • 7.1 Perfis de empresa
    • 7.1.1 Infineon Technologies AG
    • 7.1.2 Renesas Electronics Corporation
    • 7.1.3 Texas Instruments Incorporated
    • 7.1.4 Analog Devices Inc.
    • 7.1.5 Microchip Technology Inc.
    • 7.1.6 NXP Semiconductors
    • 7.1.7 Broadcom Inc.
    • 7.1.8 Mitsubishi Electric Corporation
    • 7.1.9 Toshiba Corporation
    • 7.1.10 Vishay Intertechnology Inc.

8. ANÁLISE DE INVESTIMENTO

9. FUTURO DO MERCADO

**Sujeito a disponibilidade
Você pode comprar partes deste relatório. Confira os preços para seções específicas
Obtenha o detalhamento de preços agora

Transistores bipolares de portão isolado Segmentação da indústria

Transistores bipolares de porta isolada são dispositivos semicondutores com três terminais. Ele foi desenvolvido combinando as melhores qualidades de BJT e MOSFETs de potência. Ele fornece um fornecimento de eletricidade estável, reduzindo o congestionamento na fonte de alimentação, o que leva à utilização otimizada de energia. O estudo de mercado se concentra nas tendências que afetam o mercado de aplicativos em várias regiões. O estudo rastreia os principais parâmetros de mercado, influenciadores de crescimento subjacentes e os principais fornecedores que operam na indústria. Além disso, o estudo também acompanha o impacto do COVID-19 na indústria geral de transistor bipolar de portão isolado e seu desempenho.

O mercado Transistor bipolar de portão isolado (IGBT) é segmentado por tipo (IGBT discreto e IGBT modular), classificação de potência (alta potência, média potência, baixa potência), aplicação (automotivo e EV / HEV, consumidor, renováveis, UPS, ferroviário, acionamentos industriais / motores) e geografia (América do Norte, Europa, Ásia-Pacífico e o resto do mundo). Os tamanhos de mercado e previsões são fornecidos em termos de valor (bilhões de dólares) para todos os segmentos acima.

Por tipo
IGBT discreto
IGBT Modular
Por classificação de potência
Alto poder
Potência Média
Baixo consumo de energia
Por aplicativo
Automotivo e EV/HEV
Consumidor
Renováveis
UPS
Trilho
Acionamentos industriais/motores
Outras aplicações
Por geografia
América do Norte
Europa
Ásia-Pacífico
América latina
Oriente Médio e África
Por tipo IGBT discreto
IGBT Modular
Por classificação de potência Alto poder
Potência Média
Baixo consumo de energia
Por aplicativo Automotivo e EV/HEV
Consumidor
Renováveis
UPS
Trilho
Acionamentos industriais/motores
Outras aplicações
Por geografia América do Norte
Europa
Ásia-Pacífico
América latina
Oriente Médio e África
Precisa de uma região ou segmento diferente?
Personalize agora

Transistores bipolares de portão isolado FAQs de pesquisa de mercado

Qual é o tamanho atual do mercado Transistores bipolares de portão isolado?

Prevê-se que o mercado Transistores bipolares de portão isolado registre um CAGR de 7.45% durante o período de previsão (2024-2029)

Quem são os chave players no mercado Transistores bipolares de portão isolado?

Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation​, Texas Instruments Incorporated, Analog Devices Inc.​, Microchip Technology Inc. são as principais empresas que operam no mercado Transistores bipolares de portão isolado.

Qual é a região que mais cresce no mercado Transistores bipolares de portão isolado?

Estima-se que a Ásia-Pacífico cresça no CAGR mais alto durante o período de previsão (2024-2029).

Qual região tem a maior participação no mercado Transistores bipolares de portão isolado?

Em 2024, a Ásia-Pacífico responde pela maior participação de mercado no mercado de transistores bipolares de portão isolado.

Em que anos este mercado Transistores bipolares de portão isolado cobre?

O relatório cobre o tamanho histórico do mercado Transistores bipolares de portão isolado por anos 2019, 2020, 2021, 2022 e 2023. O relatório também prevê o tamanho do mercado Transistores bipolares de portão isolado para os anos 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 e 2029.

Página atualizada pela última vez em:

Relatório da Indústria de Transistores Bipolares de Portão Isolado (IGBT)

Estatísticas para a participação de mercado 2024 Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBT), tamanho e taxa de crescimento da receita, criadas pela Mordor Intelligence™ Industry Reports. A análise de Transistores bipolares de porta isolada (IGBT) inclui uma previsão de mercado, perspectivas para 2029 e visão geral histórica. Obtenha uma amostra desta análise da indústria como um download gratuito do relatório em PDF.