Marktgröße von 3D-TSV-Geräte Industrie
| Studienzeitraum | 2019 - 2029 |
| Basisjahr für die Schätzung | 2023 |
| CAGR | 6.20 % |
| Schnellstwachsender Markt | Asien-Pazifik |
| Größter Markt | Nordamerika |
| Marktkonzentration | Niedrig |
Hauptakteure
*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert |
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Marktanalyse für 3D-TSV-Geräte
Der Markt für 3D-TSV-Geräte verzeichnete im Prognosezeitraum 2021 – 2026 eine CAGR von 6,2 %. Um Platz im Paket zu sparen, insbesondere für Produkte der nächsten Generation, und um die Nachfrage von Edge-Computing-Anwendungen zu befriedigen, die kürzere Reaktionszeiten und andere erfordern Halbleiterhersteller nutzen zunehmend Silizium-Via-Techniken (TSV) für die Chipstapelung
- Die steigende Nachfrage nach Miniaturisierung elektronischer Geräte treibt das Wachstum des 3D-TSV-Marktes voran. Diese Produkte können durch Heterosystemintegration erreicht werden, was zu einer zuverlässigeren, fortschrittlichen Verpackung führen kann. Mit extrem kleinen MEMS-Sensoren und 3D-Gehäuseelektronik kann man Sensoren praktisch überall platzieren und Geräte in rauen Umgebungen in Echtzeit überwachen, um die Zuverlässigkeit und Betriebszeit zu erhöhen.
- 3D-TSV im dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM), der jedes Datenbit in einem separaten winzigen Kondensator innerhalb eines integrierten Schaltkreises speichert, treibt das Wachstum des 3D-TSV-Marktes voran. Microns 3D-DRAM mit neu gestaltetem DRAM erzielt erhebliche Verbesserungen bei Leistung und Timing, was bei der Entwicklung fortschrittlicher thermischer Modellierung hilft.
- Es wird erwartet, dass der jüngste COVID-19-Ausbruch zu erheblichen Ungleichgewichten in der Lieferkette des untersuchten Marktes führen wird, da der asiatisch-pazifische Raum, insbesondere China, einer der größten Einflussfaktoren auf den untersuchten Markt ist. Darüber hinaus haben viele lokale Regierungen im asiatisch-pazifischen Raum im Rahmen eines langfristigen Programms in die Halbleiterindustrie investiert und gehen daher davon aus, dass das Marktwachstum wieder ansteigt. Beispielsweise hat die chinesische Regierung rund 23 bis 30 Milliarden US-Dollar aufgebracht, um die zweite Phase ihres National IC Investment Fund 2030 zu finanzieren.
- Allerdings sind thermische Probleme aufgrund einer hohen Einarbeitungsrate ein herausfordernder Faktor für das Wachstum des 3D-TSV-Marktes. Da Silizium-Via (TSV) die Schlüsselverbindung bei der 3D-IC-Integration darstellt, beträgt der Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) zwischen Silizium und Kupfer mehr als 10 ppm/K, was bei thermischer Belastung zu thermischer Belastung führt.
