Объем рынка биполярных транзисторов с изолированным затвором

Обзор рынка биполярных транзисторов с изолированным затвором
Изображение © Mordor Intelligence. Повторное использование требует указания авторства в соответствии с CC BY 4.0.

Анализ рынка биполярных транзисторов с изолированным затвором

Рынок биполярных транзисторов с изолированным затвором оценивался в 7,23 млрд долларов США. Ожидается, что в течение прогнозируемого периода рынок достигнет 11,56 млрд долларов США, а среднегодовой темп роста составит 7,45%. Ожидается, что растущее внедрение технологий силовых устройств также укрепит рынок IGBT. IGBT широко используется в инверторных приложениях в бытовой технике, такой как холодильники, кондиционеры и промышленные двигатели, для повышения эффективности.

  • Силовые транзисторы, такие как IGBT, помогают в быстром рассеивании тепла, предотвращают перегрев и минимизируют выбросы углекислого газа и стоимость электроэнергии. Эти преимущества делают их важнейшим компонентом некоторых электронных продуктов. В связи с ростом населения и использованием ископаемого топлива во всем мире растет спрос на энергоэффективные электронные устройства.
  • Кроме того, ожидается, что огромный рост рынка электромобилей также будет стимулировать рост рынка биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT). Он является неотъемлемой частью источников питания электромобилей, и разработки в этой области позволят снизить стоимость и увеличить запас хода электромобилей. Применение IGBT в электрических и гибридных электромобилях включает использование энергии в силовых агрегатах и зарядных устройствах для подачи и управления мощностью двигателей.
  • В солнечной и ветровой энергетике часто используются мощные полупроводниковые устройства для оптимизации генерации и сетевых соединений. IGBT являются очень подходящим вариантом при работе с высокими уровнями мощности, характерными для крупномасштабных проектов по возобновляемым источникам энергии. В солнечных инверторах инверторы преобразуют постоянное напряжение от панели солнечной батареи в переменное напряжение. Последний может быть использован для питания нагрузок переменного тока (например, освещения, бытовой техники, электроинструмента и т. д.) с помощью однофазного сигнала синусоидального напряжения переменного тока с частотой и напряжением, которые зависят от конструкции, для которой предназначен инвертор. Многие варианты IGBT могут помочь в достижении этих требований.
  • Полупроводники, такие как IGBT, производятся из различных сырьевых материалов, включая кремний, германий, арсенид галлия и т. д. Эти материалы обрабатываются и очищаются для создания кристаллической структуры, которая формирует основу для создания полупроводниковых устройств, таких как различные типы транзисторов. Другое сырье, используемое в производстве полупроводниковых приборов, включает примеси, такие как бор и фосфор для легирования, а также металлы для межсоединений, изоляторы для изоляции и различные химикаты для очистки и травления.
  • Вспышка COVID-19 по всему миру существенно нарушила цепочку поставок и производство на рынке, изученном на начальном этапе пандемии. Многие отрасли конечного потребителя рынка также пострадали из-за пандемии, что негативно сказалось на рынке. Однако в следующем году многие ограничения, связанные с COVID-19, ослабли, и спрос на многие продукты, содержащие IGBT, вырос, что положительно повлияло на рынок.

Обзор отрасли биполярных транзисторов с изолированным затвором

Рынок биполярных транзисторов с изолированным затвором является умеренно конкурентным благодаря нескольким мелким и крупным игрокам, работающим на внутреннем и международном рынках. Игроки на рынке внедряют основные стратегии, такие как продуктовые инновации, слияния и поглощения, а также стратегическое партнерство, для расширения своего продуктового портфеля и географического охвата. Среди игроков на рынке — Renesas Electronics Corporation, Infineon Technologies AG и Fuji Electric Co. Ltd.

В августе 2022 года Renesas Electronics представила новое поколение небольших высоковольтных IGBT-модулей в попытке улучшить силовую электронику, лежащую в основе электромобилей. Эти устройства имеют номинальный ток до 300 А и могут выдерживать напряжение до 1200 В. Автопроизводители смогут экономить заряд батареи и увеличивать запас хода электромобилей за счет экономии энергии в серии AE5 IGBT компании.

Лидеры рынка биполярных транзисторов с изолированным затвором

  1. Infineon Technologies AG

  2. Renesas Electronics Corporation​

  3. Texas Instruments Incorporated

  4. Analog Devices Inc.​

  5. Microchip Technology Inc.

  6. *Отказ от ответственности: основные игроки отсортированы в произвольном порядке
Концентрация рынка биполярных транзисторов с изолированным затвором
Изображение © Mordor Intelligence. Повторное использование требует указания авторства в соответствии с CC BY 4.0.
Нужны дополнительные сведения о игроках и конкурентах на рынке?
Скачать образец

Новости рынка биполярных транзисторов с изолированным затвором

  • Март 2023 г. Корпорация Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Toshiba) представила GT30J65MRB — биполярный транзистор (IGBT) с дискретным изолированным затвором (IGBT) напряжением 650 В для схем коррекции коэффициента мощности (PFC) в кондиционерах и крупных источниках питания для промышленного оборудования. GT30J65MRB является первым IGBT Toshiba для PFC для использования на частотах ниже 60 кГц [6], и это стало возможным благодаря снижению потерь при переключении (потерь при переключении при выключении) для обеспечения работы на более высоких частотах.
  • Январь 2023 г. Microchip Technology объявила о выпуске нового комплексного гибридного трехфазного силового приводного модуля, первого варианта в новой линейке силовых устройств, которые должны были быть доступны в 12 различных вариантах либо с МОП-транзисторами из карбида кремния (SiC), либо с биполярными транзисторами с изолированным затвором (IGBT), чтобы удовлетворить потребности в интегрированном и реконфигурируемом силовом решении для авиационных приложений.

Отчет о рынке биполярных транзисторов с изолированным затвором - Содержание

1. ВВЕДЕНИЕ

  • 1.1 Допущения исследования и определение рынка
  • 1.2 Объем исследования

2. МЕТОДОЛОГИЯ ИССЛЕДОВАНИЯ

3. УПРАВЛЯЮЩЕЕ РЕЗЮМЕ

4. РЫНОЧНАЯ ИНФОРМАЦИЯ

  • 4.1 Обзор рынка
  • 4.2 Привлекательность отрасли: анализ пяти сил Портера
    • 4.2.1 Рыночная власть поставщиков
    • 4.2.2 Переговорная сила покупателей
    • 4.2.3 Угроза новых участников
    • 4.2.4 Угроза заменителей
    • 4.2.5 Интенсивность конкурентного соперничества
  • 4.3 Анализ цепочки создания стоимости в отрасли
  • 4.4 Оценка влияния COVID-19 на рынок

5. ДИНАМИКА РЫНКА

  • 5.1 Драйверы рынка
    • 5.1.1 Внедрение технологий силовых устройств укрепляет рынок IGBT
    • 5.1.2 Растущий спрос на устройства IOT и бытовую электронику расширяет рынок
  • 5.2 Проблемы рынка
    • 5.2.1 IGBT не является предпочтительным вариантом из-за более низкого диапазона напряжения.

6. СЕГМЕНТАЦИЯ РЫНКА

  • 6.1 По типу
    • 6.1.1 Дискретный БТИЗ
    • 6.1.2 Модульный БТИЗ
  • 6.2 По номинальной мощности
    • 6.2.1 Высокая мощность
    • 6.2.2 Средняя мощность
    • 6.2.3 Малая мощность
  • 6.3 По применению
    • 6.3.1 Автомобильная промышленность и электромобили/гибридные двигатели
    • 6.3.2 Потребитель
    • 6.3.3 Возобновляемые источники энергии
    • 6.3.4 UPS
    • 6.3.5 Железнодорожный
    • 6.3.6 Промышленные/Моторные приводы
    • 6.3.7 Другие приложения
  • 6.4 По географии
    • 6.4.1 Северная Америка
    • 6.4.2 Европа
    • 6.4.3 Азиатско-Тихоокеанский регион
    • 6.4.4 Латинская Америка
    • 6.4.5 Ближний Восток и Африка

7. КОНКУРЕНТНАЯ СРЕДА

  • 7.1 Профили компании
    • 7.1.1 Infineon Technologies AG
    • 7.1.2 Renesas Electronics Corporation
    • 7.1.3 Texas Instruments Incorporated
    • 7.1.4 Analog Devices Inc.
    • 7.1.5 Microchip Technology Inc.
    • 7.1.6 NXP Semiconductors
    • 7.1.7 Broadcom Inc.
    • 7.1.8 Mitsubishi Electric Corporation
    • 7.1.9 Toshiba Corporation
    • 7.1.10 Vishay Intertechnology Inc.

8. ИНВЕСТИЦИОННЫЙ АНАЛИЗ

9. БУДУЩЕЕ РЫНКА

**При наличии свободных мест
Вы можете приобрести части этого отчета. Проверьте цены для конкретных разделов
Получить разбивку цен прямо сейчас

Биполярные транзисторы с изолированным затвором Отраслевая сегментация

Биполярные транзисторы с изолированным затвором представляют собой полупроводниковые приборы с тремя выводами. Он был разработан путем объединения лучших качеств как BJT, так и силовых МОП-транзисторов. Он обеспечивает стабильное электроснабжение за счет уменьшения перегрузок в электросети, что приводит к оптимальному использованию энергии. Исследование рынка сосредоточено на тенденциях, влияющих на рынок приложений в нескольких регионах. В исследовании отслеживаются ключевые параметры рынка, факторы, влияющие на рост, и основные вендоры, работающие в отрасли. Кроме того, в исследовании также отслеживается влияние COVID-19 на всю индустрию биполярных транзисторов с изолированным затвором и ее производительность.

Рынок биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) сегментирован по типу (дискретный IGBT и модульный IGBT), номинальной мощности (высокая мощность, средняя мощность, низкая мощность), применению (автомобили и электромобили/HEV, потребительские, возобновляемые источники энергии, ИБП, железнодорожные, промышленные/моторные приводы) и географическому положению (Северная Америка, Европа, Азиатско-Тихоокеанский регион и остальной мир). Объем рынка и прогнозы приведены в стоимостном выражении (млрд. долл. США) по всем вышеперечисленным сегментам.

По типу
Дискретный БТИЗ
Модульный БТИЗ
По номинальной мощности
Высокая мощность
Средняя мощность
Малая мощность
По применению
Автомобильная промышленность и электромобили/гибридные двигатели
Потребитель
Возобновляемые источники энергии
UPS
Железнодорожный
Промышленные/Моторные приводы
Другие приложения
По географии
Северная Америка
Европа
Азиатско-Тихоокеанский регион
Латинская Америка
Ближний Восток и Африка
По типу Дискретный БТИЗ
Модульный БТИЗ
По номинальной мощности Высокая мощность
Средняя мощность
Малая мощность
По применению Автомобильная промышленность и электромобили/гибридные двигатели
Потребитель
Возобновляемые источники энергии
UPS
Железнодорожный
Промышленные/Моторные приводы
Другие приложения
По географии Северная Америка
Европа
Азиатско-Тихоокеанский регион
Латинская Америка
Ближний Восток и Африка
Нужен другой регион или сегмент?
Настроить сейчас

Биполярные транзисторы с изолированным затвором Часто задаваемые вопросы об исследовании рынка

Каков текущий объем рынка биполярных транзисторов с изолированным затвором?

Прогнозируется, что среднегодовой темп роста рынка биполярных транзисторов с изолированным затвором составит 7,45% в течение прогнозируемого периода (2024-2029 гг.)

Кто является ключевыми игроками на рынке биполярных транзисторов с изолированным затвором?

Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation​, Texas Instruments Incorporated, Analog Devices Inc.​, Microchip Technology Inc. являются основными компаниями, работающими на рынке биполярных транзисторов с изолированным затвором.

Какой регион является самым быстрорастущим на рынке биполярных транзисторов с изолированным затвором?

По оценкам, в Азиатско-Тихоокеанском регионе будет наблюдаться самый высокий среднегодовой темп роста в течение прогнозируемого периода (2024-2029 гг.).

Какой регион имеет наибольшую долю на рынке биполярных транзисторов с изолированным затвором?

В 2024 году на Азиатско-Тихоокеанский регион придется наибольшая доля рынка биполярных транзисторов с изолированным затвором.

На какие годы распространяется этот рынок биполярных транзисторов с изолированным затвором?

Отчет охватывает исторический объем рынка биполярных транзисторов с изолированным затвором за годы 2019, 2020, 2021, 2022 и 2023 годы. В отчете также прогнозируется объем рынка биполярных транзисторов с изолированным затвором на годы 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 и 2029 годы.

Последнее обновление страницы:

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Отраслевой отчет

Статистические данные о доле рынка биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) в 2024 году, размере и темпах роста выручки, созданные Mordor Intelligence™ Industry Reports. Анализ биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) включает в себя прогноз рынка на 2029 год и исторический обзор. Получите образец этого отраслевого анализа в виде бесплатного отчета для скачивания в формате PDF.