5G向けRF・マイクロ波市場規模およびシェア

5G向けRF・マイクロ波市場概要
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Mordor Intelligenceによる5G向けRF・マイクロ波市場分析

5G向けRF・マイクロ波市場規模は2025年に44億7,000万米ドルに達し、2030年までに112億7,000万米ドルに達すると予測されており、CAGRは20.3%で推移します。この力強い勢いは、4Gから5Gインフラへの移行加速を反映しており、より高い周波数での動作と厳格な電力効率目標が高度なRFフロントエンドへの需要を増幅させています。オペレーターは2024年末までに世界全体で420万の5G基地局を設置しており、2023年の180万から増加し、RFコンポーネント数量において急激かつ乗数的な増加をもたらしています。[1]エリクソン・モビリティ・レポート、「グローバル5Gインフラ展開トレンド」、Ericsson.com、ericsson.com コンポーネントのイノベーションは、従来のヒ化ガリウムデバイスに比べて30~40%の効率向上をもたらす窒化ガリウム(GaN)パワーアンプによって推進されており、マッシブMIMOラジオにおける熱的制約を緩和しています。スマートフォンOEMは同時にミリ波アンテナモジュールを統合しており、RFフロントエンドの要件を従来のインフラを超えて拡大しています。[2]Apple Inc.、「2024会計年度年次報告書」、Apple.com、investor.apple.com 並行して、製造拠点におけるプライベート5Gの普及が新たな収益源を開拓し、5G向けRF・マイクロ波市場をキャリア展開以外にも多様化させています。

主要レポートのポイント

  • コンポーネント別では、フィルターおよびデュプレクサーが2024年の5G向けRF・マイクロ波市場シェアの28.73%をリードし、パワーアンプは2030年にかけてCAGR 20.77%で成長すると予測されています。
  • 周波数帯域別では、6GHz以下の帯域が2024年の5G向けRF・マイクロ波市場規模の61.73%を占め、40~52GHz帯域は2030年にかけてCAGR 21.44%で推移しています。
  • アプリケーション別では、基地局が2024年の5G向けRF・マイクロ波市場規模において46.83%の収益シェアを保持し、自動車V2X通信は2030年にかけてCAGR 21.19%で拡大する見込みです。
  • 材料技術別では、ヒ化ガリウム(GaAs)が2024年の5G向けRF・マイクロ波市場シェアの34.82%をリードし、GaNは2030年にかけてCAGR 20.89%で成長すると予測されています。
  • 地域別では、北米が2024年の5G向けRF・マイクロ波市場規模の39.84%を占め、アジア太平洋地域は同期間にCAGR 21.22%で成長しています。
  • Broadcom、Qualcomm、Skyworksの3社が2024年の収益の約45%を占め、GaNに注力するWolfspeedなどの新規参入企業がシェアを拡大しています。

注:本レポートの市場規模および予測数値は、Mordor Intelligence 独自の推定フレームワークを使用して作成されており、2026年1月時点の最新の利用可能なデータとインサイトで更新されています。

セグメント分析

コンポーネント別:パワーアンプがイノベーションをリード

パワーアンプは2024年の5G向けRF・マイクロ波市場規模に7億3,200万米ドルを貢献しており、2030年にかけてCAGR 20.77%で拡大すると予測されています。GaN-on-Siによる効率向上は高密度アンテナアレイにおけるエネルギー運用コストを削減し、プレミアムPA設計へのオペレーターの注目を高めています。フィルターおよびデュプレクサーは最大のコンポーネントクラスとして残り、6GHz以下とミリ波キャリア間のマルチバンドスペクトル共存を処理することで収益の28.73%を支えています。

このセグメントの将来は、複数のPA段階とデジタルプリディストーションをシングルパッケージに統合することにかかっており、このトレンドはすでにSkyworksのシステムインパッケージロードマップに見られます。データスループット目標の上昇が低雑音アンプと高アイソレーションスイッチへの需要を加速させていますが、PA技術は5G向けRF・マイクロ波市場においてマクロセルの信頼性を定義する熱的・線形性バジェットの重要な差別化要因であり続けています。

5G向けRF・マイクロ波市場:コンポーネント別市場シェア
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周波数帯域別:6GHz以下の優位性の中でミリ波セグメントが加速

6GHz以下の帯域は2024年の収益の61.73%を提供し、伝搬損失が管理可能な全国規模の5Gカバレッジを支えています。それにもかかわらず、40~52GHzの帯域は、より小さなベースながら、固定無線アクセスと高度モバイルブロードバンドサービスが光ファイバー級のスループットを求める中、年率21.44%で成長すると予測されています。

RFフロントエンドの複雑性は周波数とともに非線形的に増加し、サプライヤーは経路損失を補うために先進ラミネートPCB、フリップチップパッケージング、GaN eモードデバイスを使用することを余儀なくされています。上位ミリ波の採用は依然として北米に偏っていますが、EUのデジタルデケードの目標とAPACの試験がグローバルな適用可能性を広げ、5G向けRF・マイクロ波市場の超高周波コンポーネントへの移行を強化しています。

アプリケーション別:基地局が数量をけん引し、自動車が有望性を示す

マクロおよびスモールセル基地局は2024年の5G向けRF・マイクロ波市場シェアの46.83%を吸収しており、キャリアの設備投資志向を裏付けています。各サイトには数十のPA、フィルター、トランシーバーが必要であり、インフラはほとんどのサプライヤーにとって数量の基盤となっています。

自動車V2X通信はCAGR 21.19%で最も速い成長軌道を示しており、規制上の義務とOEMの安全アジェンダによって推進されています。車両プラットフォームはAEC-Q104規格に適合した堅牢なRFモジュールを必要とし、半導体企業がインフラ部品の自動車グレードバリアントを展開することを促しています。スマートフォンとタブレットはピーク数量年において依然として重要ですが、新興の産業用および車載用途が長期的な需要を多様化し、5G向けRF・マイクロ波市場の収益構成を広げています。

5G向けRF・マイクロ波市場:アプリケーション別市場シェア
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材料技術別:GaNが従来のGaAsの優位性を崩す

GaAsは成熟したプロセスとコスト効率の高い中帯域性能により、2024年に34.82%の収益シェアを維持しました。しかし、GaNはその優れた絶縁破壊特性と電子移動度パラメーターがミリ波PAおよび高出力ラジオヘッドに適しているため、CAGR 20.89%で成長しています。シリコンゲルマニウムはコスト重視の中程度の周波数アプリケーションで活躍し、CMOSの統合は低ゲインフロントエンドスイッチに恩恵をもたらしており、ゼロサムの競争ではなくアプリケーション最適化された材料の組み合わせを示しています。

製造能力が重要な指標です。WolfspeedのダーラムでのGaN拡張とCHIPS法に支援された欧州のファブは、化合物半導体サプライチェーンの国内化を目指し、地政学的リスクを軽減し、5G向けRF・マイクロ波市場の長期的なコスト曲線を安定させています。

地域分析

北米は2024年に39.84%の収益でリードしており、CHIPS法による奨励策がRFコンポーネント製造を国内に引き込み、Verizonなどのキャリアが都市部クラスターでミリ波を商業化しました。インフラ展開は28GHzおよび39GHzのバックホールリンクを重視しており、屋上筐体における厳しい熱サイクルに対応するGaN PAおよびセラミックベースのフィルターへの需要を高めています。2025年に追加された中帯域3.45~3.98GHzのカバレッジレイヤーは6GHz以下モジュールの出荷を拡大し、5G向けRF・マイクロ波市場全体でバランスの取れた需要を維持しています。

アジア太平洋地域は2030年にかけてCAGR 21.22%を記録すると予測されています。中国だけで320万以上の5Gマクロサイトを運営しており、他に類を見ない規模の経済を生み出しています。中国、韓国、ベトナムにわたるスマートフォンOEMの集積が、RFフロントエンドコンポーネントへの地域的な需要をさらに強固にしています。先進EDAツールおよびウェーハツールに関する輸出規制の摩擦が、地元企業を独自のGaN能力へと向かわせ、グローバルなサプライヤーシェアを再形成しています。

欧州は展開ペースで遅れをとっていますが、デジタルデケードの目標が2030年までにユビキタスな5Gを義務付けることで勢いを増しています。26GHz帯域のスペクトル調和が加盟国間で一貫したRF設計をサポートし、コンポーネントベンダーの設計獲得スケーリングを容易にしています。ドイツ、英国、北欧諸国でのオープンRANの試験がマルチベンダーラジオスタックをテストしており、5G向けRF・マイクロ波市場のサプライヤープールを拡大しています。

5G向けRF・マイクロ波市場CAGR(%)、地域別成長率
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競合ランドスケープ

5G向けRF・マイクロ波市場は中程度に集中しており、上位5社が合計約45%のシェアを保持し、集中スコアは6となっています。BroadcomはFBARフィルターのリーダーシップとキャリアとの緊密な関係を活用し、Qualcommはスマートフォンおよびスモールセルプラットフォームのモデムからアンテナまでの統合を活かしています。Skyworksの2024年のSilicon Labsのインフラ部門の買収により、ハンドセット以外への展開が拡大しています。

GaN能力が重要な競争の場となっています。Wolfspeedは基板からパッケージデバイスまで垂直統合し、インフラおよび自動車向けPAの両方を供給しています。QorvoのGaNファンドリーサービスは、ハンドセットRF基板を40%縮小するフロントエンドモジュールのためのSamsungとのコラボレーションを支えています。このような動きは、従来のGaAsの大手企業をワイドバンドギャップの強者へと再配置し、5G向けRF・マイクロ波市場の競争地図を塗り替えています。

参入障壁が高まる中、戦略的アライアンスが増加しています。Broadcomの2024年のFBARポートフォリオは中帯域マッシブMIMOラジオ向けの温度補償共振器を統合し、スタートアップはAI支援RFデザインオートメーションに注力しています。輸出規制リスクにより、米国およびEUのオペレーターは国内または同盟国のサプライヤーを優先し、地域化された調達と現地生産のインセンティブを生み出しています。

5G向けRF・マイクロ波産業リーダー

  1. Broadcom Inc.

  2. Qualcomm Incorporated

  3. Skyworks Solutions, Inc.

  4. Qorvo, Inc.

  5. NXP Semiconductors N.V.

  6. *免責事項:主要選手の並び順不同
5G向けRF・マイクロ波市場集中度
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最近の業界動向

  • 2025年6月:業界全体のコンポーネントの動向は、2025年半ばを通じて多数のRFおよびミックスドシグナルのリリースとデモンストレーションを示しており、5Gおよび関連無線技術の成長に沿ったRF・マイクロ波コンポーネント(パワーアンプ、LNA、スイッチなど)における急速なイノベーションを浮き彫りにしています。
  • 2025年3月:MWC 2025において、主要な接続性に関する発表が進行中の5Gアドバンストおよび5G・AI統合トレンドを強調し、QualcommがX85 5Gモデムと高性能固定無線アクセス製品を発表しました。
  • 2025年1月:OpenPRは、5G展開の拡大と高周波信号増幅およびフィルタリングへの需要増加に伴い、グローバルな5G向けRF・マイクロ波市場が2025年から2031年にかけてCAGR約16.3%で成長し、2031年までに約35億米ドルに達すると予測されると報告しています。

5G向けRF・マイクロ波産業レポートの目次

1. はじめに

  • 1.1 調査の前提と市場定義
  • 1.2 調査範囲

2. 調査方法論

3. エグゼクティブサマリー

4. 市場ランドスケープ

  • 4.1 市場概要
  • 4.2 市場ドライバー
    • 4.2.1 5G基地局展開の急激な増加
    • 4.2.2 ミリ波対応スマートフォンの普及
    • 4.2.3 スモールセルにおけるRFフロントエンドモジュールへの需要増加
    • 4.2.4 モジュール型RFユニットを必要とするオープンRANへの移行
    • 4.2.5 シリコン上GaNパワーアンプの商業化
    • 4.2.6 産業用IoTおよびバックホール向けプライベート5G展開
  • 4.3 市場の制約要因
    • 4.3.1 化合物半導体ウェーハの不足
    • 4.3.2 ミリ波RF設計・テストの高コストと複雑性
    • 4.3.3 高密度ラジオユニットにおける熱的制限
    • 4.3.4 先進RFコンポーネントに対する輸出規制の障壁
  • 4.4 産業バリューチェーン分析
  • 4.5 規制環境
  • 4.6 技術的展望
  • 4.7 ポーターのファイブフォース分析
    • 4.7.1 新規参入の脅威
    • 4.7.2 サプライヤーの交渉力
    • 4.7.3 バイヤーの交渉力
    • 4.7.4 代替品の脅威
    • 4.7.5 競合の激しさ

5. 市場規模および成長予測(金額)

  • 5.1 コンポーネント別
    • 5.1.1 RFフロントエンドモジュール
    • 5.1.2 パワーアンプ
    • 5.1.3 低雑音アンプ
    • 5.1.4 フィルターおよびデュプレクサー
    • 5.1.5 アンテナおよびアンテナモジュール
    • 5.1.6 スイッチ
    • 5.1.7 サーキュレーターおよびアイソレーター
  • 5.2 周波数帯域別
    • 5.2.1 6GHz以下(FR1)
    • 5.2.2 24~30GHz(下位ミリ波)
    • 5.2.3 30~40GHz(中位ミリ波)
    • 5.2.4 40~52GHz(上位ミリ波)
  • 5.3 アプリケーション別
    • 5.3.1 5G基地局
    • 5.3.2 スモールセルおよびリピーター
    • 5.3.3 顧客宅内機器(CPE)
    • 5.3.4 5Gスマートフォンおよびタブレット
    • 5.3.5 自動車およびV2X通信
    • 5.3.6 産業用IoTデバイス
  • 5.4 材料技術別
    • 5.4.1 ヒ化ガリウム(GaAs)
    • 5.4.2 窒化ガリウム(GaN)
    • 5.4.3 シリコンゲルマニウム(SiGe)
    • 5.4.4 シリコンCMOS
    • 5.4.5 リン化インジウム(InP)
  • 5.5 地域別
    • 5.5.1 北米
    • 5.5.1.1 米国
    • 5.5.1.2 カナダ
    • 5.5.1.3 メキシコ
    • 5.5.2 南米
    • 5.5.2.1 ブラジル
    • 5.5.2.2 アルゼンチン
    • 5.5.2.3 その他の南米
    • 5.5.3 欧州
    • 5.5.3.1 ドイツ
    • 5.5.3.2 英国
    • 5.5.3.3 フランス
    • 5.5.3.4 スペイン
    • 5.5.3.5 その他の欧州
    • 5.5.4 アジア太平洋
    • 5.5.4.1 中国
    • 5.5.4.2 日本
    • 5.5.4.3 韓国
    • 5.5.4.4 インド
    • 5.5.4.5 オーストラリア
    • 5.5.4.6 その他のアジア太平洋
    • 5.5.5 中東およびアフリカ
    • 5.5.5.1 中東
    • 5.5.5.1.1 サウジアラビア
    • 5.5.5.1.2 アラブ首長国連邦
    • 5.5.5.1.3 その他の中東
    • 5.5.5.2 アフリカ
    • 5.5.5.2.1 南アフリカ
    • 5.5.5.2.2 ナイジェリア
    • 5.5.5.2.3 その他のアフリカ

6. 競合ランドスケープ

  • 6.1 市場集中度
  • 6.2 戦略的動向
  • 6.3 市場シェア分析
  • 6.4 企業プロファイル(グローバルレベルの概要、市場レベルの概要、コアセグメント、財務情報(入手可能な場合)、戦略情報、主要企業の市場ランク・シェア、製品およびサービス、最近の動向を含む)
    • 6.4.1 Broadcom Inc.
    • 6.4.2 Qualcomm Incorporated
    • 6.4.3 Skyworks Solutions, Inc.
    • 6.4.4 Qorvo, Inc.
    • 6.4.5 Murata Manufacturing Co., Ltd.
    • 6.4.6 NXP Semiconductors N.V.
    • 6.4.7 Analog Devices, Inc.
    • 6.4.8 Samsung Electronics Co., Ltd.
    • 6.4.9 Huawei Technologies Co., Ltd.
    • 6.4.10 Ericsson AB
    • 6.4.11 Nokia Corporation
    • 6.4.12 Fujitsu Limited
    • 6.4.13 MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
    • 6.4.14 Mini-Circuits (Scientific Components Corp.)
    • 6.4.15 Richardson RFPD, Inc. (Arrow Electronics, Inc.)
    • 6.4.16 Wolfspeed, Inc.
    • 6.4.17 Infineon Technologies AG
    • 6.4.18 Renesas Electronics Corporation
    • 6.4.19 STMicroelectronics N.V.
    • 6.4.20 Keysight Technologies, Inc.
    • 6.4.21 Rohde & Schwarz GmbH & Co. KG
    • 6.4.22 Anritsu Corporation
    • 6.4.23 Microchip Technology Inc.
    • 6.4.24 Texas Instruments Incorporated
    • 6.4.25 NEC Corporation
    • 6.4.26 ZTE Corporation
    • 6.4.27 Comba Telecom Systems Holdings Ltd.

7. 市場機会と将来の展望

  • 7.1 ホワイトスペースおよび未充足ニーズの評価

グローバル5G向けRF・マイクロ波市場レポートの範囲

コンポーネント別
RFフロントエンドモジュール
パワーアンプ
低雑音アンプ
フィルターおよびデュプレクサー
アンテナおよびアンテナモジュール
スイッチ
サーキュレーターおよびアイソレーター
周波数帯域別
6GHz以下(FR1)
24~30GHz(下位ミリ波)
30~40GHz(中位ミリ波)
40~52GHz(上位ミリ波)
アプリケーション別
5G基地局
スモールセルおよびリピーター
顧客宅内機器(CPE)
5Gスマートフォンおよびタブレット
自動車およびV2X通信
産業用IoTデバイス
材料技術別
ヒ化ガリウム(GaAs)
窒化ガリウム(GaN)
シリコンゲルマニウム(SiGe)
シリコンCMOS
リン化インジウム(InP)
地域別
北米米国
カナダ
メキシコ
南米ブラジル
アルゼンチン
その他の南米
欧州ドイツ
英国
フランス
スペイン
その他の欧州
アジア太平洋中国
日本
韓国
インド
オーストラリア
その他のアジア太平洋
中東およびアフリカ中東サウジアラビア
アラブ首長国連邦
その他の中東
アフリカ南アフリカ
ナイジェリア
その他のアフリカ
コンポーネント別RFフロントエンドモジュール
パワーアンプ
低雑音アンプ
フィルターおよびデュプレクサー
アンテナおよびアンテナモジュール
スイッチ
サーキュレーターおよびアイソレーター
周波数帯域別6GHz以下(FR1)
24~30GHz(下位ミリ波)
30~40GHz(中位ミリ波)
40~52GHz(上位ミリ波)
アプリケーション別5G基地局
スモールセルおよびリピーター
顧客宅内機器(CPE)
5Gスマートフォンおよびタブレット
自動車およびV2X通信
産業用IoTデバイス
材料技術別ヒ化ガリウム(GaAs)
窒化ガリウム(GaN)
シリコンゲルマニウム(SiGe)
シリコンCMOS
リン化インジウム(InP)
地域別北米米国
カナダ
メキシコ
南米ブラジル
アルゼンチン
その他の南米
欧州ドイツ
英国
フランス
スペイン
その他の欧州
アジア太平洋中国
日本
韓国
インド
オーストラリア
その他のアジア太平洋
中東およびアフリカ中東サウジアラビア
アラブ首長国連邦
その他の中東
アフリカ南アフリカ
ナイジェリア
その他のアフリカ

レポートで回答される主要な質問

5Gに使用されるRF・マイクロ波コンポーネントの2025年の収益予測は?

市場は2025年に44億7,000万米ドルに達し、2030年までに112億7,000万米ドルに達すると予測されており、CAGRは20.3%を反映しています。

最も速い成長を示すコンポーネントカテゴリーはどれですか?

パワーアンプはGaN-on-Si技術への移行と高効率化の需要により、CAGR 20.77%で拡大しています。

2030年にかけて最も速く成長する周波数帯域はどれですか?

40~52GHzの上位ミリ波帯域は、オペレーターが固定無線アクセスと超高速リンクを追求する中、CAGR 21.44%で上昇すると予測されています。

GaNが5G RF設計において重要な理由は何ですか?

GaNは優れた電力密度と熱性能を提供し、GaAsの代替品に比べてミリ波パワーアンプで30~40%の効率向上を実現します。

現在、5G向けRF・マイクロ波需要をリードしている地域はどこですか?

北米は積極的なミリ波展開と国内製造インセンティブに牽引され、2024年の収益の39.84%を占めました。

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