Taille et part du marché des plaquettes de silicium à haute résistivité

Résumé du marché des plaquettes de silicium à haute résistivité
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Analyse du marché des plaquettes de silicium à haute résistivité par Mordor Intelligence

La taille du marché des plaquettes de silicium à haute résistivité devrait passer de 459,33 millions de pouces carrés en 2025 à 484,95 millions de pouces carrés en 2026, pour atteindre 644,39 millions de pouces carrés d'ici 2031, avec un CAGR de 5,85 % sur la période 2026-2031. Les opérateurs déployant des sites macro 5G et des petites cellules ont conclu des achats pluriannuels de commutateurs RF-SOI et d'amplificateurs de puissance, garantissant une demande de base même si la croissance des ventes de smartphones ralentit. La teneur en radar par véhicule augmente car les fonctions d'assistance de niveau 2+ deviennent obligatoires en Europe et en Chine, et chaque capteur supplémentaire nécessite des substrats avec une résistivité supérieure à 1 000 ohm-cm. Les fournisseurs de circuits intégrés photoniques qualifient désormais des plateformes à haute résistivité de 300 mm, faisant évoluer la composition des plaquettes vers des diamètres plus grands. Enfin, les incitations gouvernementales aux États-Unis, en Europe et au Japon accélèrent les ajouts de capacité nationale, protégeant les acheteurs contre les chocs d'approvisionnement géopolitiques.

Principaux enseignements du rapport

  • Par diamètre de plaquette, le format 200 mm représentait 54,68 % de la part du marché des plaquettes de silicium à haute résistivité en 2025, tandis que le format 300 mm devrait se développer à un CAGR de 6,74 % jusqu'en 2031.
  • Par type de plaquette, le silicium à haute résistivité poli représentait 38,86 % de la taille du marché des plaquettes de silicium à haute résistivité en 2025, et les substrats HR-SOI progressent à un CAGR de 6,48 % sur la période 2026-2031.
  • Par application de dispositif, les composants RF de front-end étaient en tête avec 34,24 % de la part du marché des plaquettes de silicium à haute résistivité en 2025 ; les circuits intégrés émetteurs-récepteurs mmWave et 5G devraient croître à un CAGR de 6,83 % jusqu'en 2031.
  • Par utilisateur final, les télécommunications représentaient 32,73 % du marché des plaquettes de silicium à haute résistivité en 2025, tandis que la demande automobile devrait croître à un CAGR de 6,26 % durant 2026-2031.
  • Par géographie, l'Asie-Pacifique représentait 58,89 % du marché des plaquettes de silicium à haute résistivité en 2025, et enregistrera la croissance régionale la plus rapide à un CAGR de 6,98 % jusqu'en 2031.

Note : La taille du marché et les prévisions figurant dans ce rapport sont générées à l'aide du cadre d'estimation exclusif de Mordor Intelligence, mis à jour avec les dernières données et informations disponibles en janvier 2026.

Analyse des segments

Par diamètre de plaquette : la dynamique de transition s'intensifie pour les plateformes 300 mm

Le segment 200 mm détenait 54,68 % de la part du marché des plaquettes de silicium à haute résistivité en 2025, reflétant la base installée d'usines de circuits intégrés RF construites dans les années 2010. Les principaux fournisseurs de front-end tels que Qorvo et Skyworks continuent d'exploiter des lignes 200 mm matures car les tailles de puces pour les commutateurs et les amplificateurs à faible bruit restent petites. Cependant, les usines 300 mm promettent un coût par puce plus faible une fois les rendements stabilisés, et les premiers adoptants ont atteint un rendement de 85 % fin 2025, réduisant l'écart avec les procédés 200 mm. Les coûts en capital proches de 1 milliard USD par installation ralentissent la migration, mais la convergence des accélérateurs RF, de bande de base et d'intelligence artificielle sur une seule puce rend le format plus grand économiquement convaincant.

À l'avenir, le segment 300 mm devrait croître à un taux de 6,74 %, érodant progressivement la domination du 200 mm sur le marché des plaquettes de silicium à haute résistivité. Les circuits intégrés radar automobiles intégrant le traitement numérique du signal seront parmi les premiers à adopter ce format car la hausse du nombre de canaux pousse la surface de puce au-delà de 120 mm². Alors que les substrats 150 mm persistent dans les programmes militaires hérités, leurs volumes absolus diminuent. À mesure que l'apprentissage des rendements s'améliore et que la capacité subventionnée monte en puissance au Texas, à Freiberg et à Gumi, l'économie du 300 mm deviendra décisivement favorable pour les dispositifs RF à grand volume.

Marché des plaquettes de silicium à haute résistivité : part de marché par diamètre de plaquette
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Par type de plaquette : le HR-SOI dépasse les substrats polis et épitaxiaux

Le silicium à haute résistivité poli a capturé 38,86 % de la part de marché en 2025, grâce aux capteurs d'imagerie et aux détecteurs industriels qui valorisent le faible courant d'obscurité par rapport à l'isolation RF. Les plaquettes épitaxiales soutiennent les dispositifs de puissance et les MEMS, où une couche épi légèrement dopée offre un blocage de tension ou des avantages mécaniques. Le HR-SOI, cependant, devrait progresser à un CAGR de 6,48 % car la 5G, le Wi-Fi 7 et les radars à réseau phasé exigent une linéarité améliorée. La plateforme RFeSI-3 a réduit la distorsion harmonique de 2 dB, rendant le HR-SOI indispensable pour les amplificateurs de puissance à 26 dBm.

L'adoption s'accélère à mesure que GlobalFoundries, TSMC et d'autres fonderies qualifient le HR-SOI à 300 mm, doublant effectivement les puces utilisables par plaquette et réduisant les pénalités de coût. La taille du marché des plaquettes de silicium à haute résistivité pour les substrats HR-SOI devrait donc se développer plus rapidement que le volume total du marché. La concentration de l'offre reste une arme à double tranchant : la part de 60 % de Soitec offre une qualité stable mais expose l'écosystème à des défaillances en point unique, incitant les fabricants de circuits intégrés de rang 1 à s'approvisionner auprès de Shin-Etsu et SUMCO dans la mesure du possible.

Par application de dispositif : les émetteurs-récepteurs mmWave deviennent le prochain segment d'ancrage

Les composants RF de front-end représentaient 34,24 % de la part de marché en 2025, mais les pressions de commoditisation poussent les fournisseurs à réduire le coût par commutateur ou amplificateur chaque année. Les circuits intégrés émetteurs-récepteurs mmWave et 5G, en revanche, croissent à 6,83 % à mesure que les déploiements de haut débit par satellite et d'accès sans fil fixe se multiplient. Chaque terminal utilisateur en bande Ka nécessite environ 400 mm² de silicium à haute résistivité, une demande considérable sur la capacité des plaquettes. Les puces radar automobiles migrent également vers des puces plus grandes et plus intégrées, soutenant une demande robuste.

La taille du marché des plaquettes de silicium à haute résistivité liée aux dispositifs mmWave pourrait dépasser celle des commutateurs RF hérités d'ici 2029. Les applications de défense et d'aérospatiale ajoutent un potentiel supplémentaire car les radars à réseau phasé et les modules de guerre électronique favorisent de plus en plus le silicium par rapport à l'arséniure de gallium pour des raisons de coût. L'imagerie et les circuits intégrés photoniques continuent comme des niches spécialisées stables, se procurant des substrats à zone flottante à très haute résistivité malgré leur prix premium.

Marché des plaquettes de silicium à haute résistivité : part de marché par application de dispositif
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Par utilisateur final : l'automobile connaît la croissance la plus rapide à mesure que les taux d'équipement en capteurs augmentent

Les télécommunications ont conservé une part de 32,73 % en 2025, les opérateurs ayant installé des cellules macro 5G dans le monde entier. Ce segment se stabilise sur les marchés matures, déplaçant la croissance incrémentale vers l'Inde et l'Asie du Sud-Est. La demande automobile, cependant, devrait progresser à 6,26 %, reflétant les mandats réglementaires qui font passer le nombre de capteurs radar de trois en 2025 à jusqu'à six par véhicule d'ici 2028. Chaque capteur supplémentaire correspond à davantage de puces RF et donc à davantage de démarrages de plaquettes, entraînant une croissance de volume soutenue.

Les utilisateurs finaux industriels et scientifiques consomment du silicium à haute résistivité pour des capteurs de précision fonctionnant dans des conditions difficiles ou à des températures extrêmes. Bien que plus petits en termes absolus, ces acheteurs paient des primes de prix qui lissent les revenus des fournisseurs. La défense et l'imagerie médicale restent petites mais stratégiques, fournissant une demande stable hors cycle qui isole le secteur des plaquettes de silicium à haute résistivité de la volatilité de l'électronique grand public.

Analyse géographique

L'Asie-Pacifique dominait le marché des plaquettes de silicium à haute résistivité avec une part de marché de 58,89 % en 2025, et devrait croître à 6,98 % jusqu'en 2031. Shin-Etsu et SUMCO du Japon fournissent conjointement la moitié de la capacité mondiale en zone flottante, tandis que la communauté RF fabless de Taïwan convertit ces substrats en amplificateurs de puissance exportés dans le monde entier. La Chine investit massivement pour localiser la production en zone flottante, réduisant la dépendance aux importations et offrant des plaquettes 20-30 % moins chères que les équivalents japonais. SK Siltron de Corée du Sud monte en puissance la qualification 300 mm pour servir les fournisseurs de radar automobile cherchant une diversité géographique.

L'Amérique du Nord ajoute de la capacité plus rapidement que les tendances historiques car la loi CHIPS couvre jusqu'à 40 % des dépenses en capital pour les usines de plaquettes spécialisées. GlobalWafers a posé la première pierre au Texas avec 400 millions USD de subventions fédérales, et les premières plaquettes sont prévues pour 2027. Ces nouvelles lignes prioriseront le HR-SOI 300 mm pour les marchés domestiques des circuits intégrés RF et automobiles, raccourcissant les délais de livraison et atténuant les risques commerciaux. L'Europe suit une voie similaire ; l'expansion de Siltronic à Freiberg, soutenue par 300 millions EUR (325 millions USD) de subventions, positionne la région pour soutenir son écosystème de radar automobile sans dépendre uniquement des importations.

L'Amérique du Sud et le Moyen-Orient et l'Afrique restent des consommateurs naissants, mais des initiatives politiques pourraient débloquer une demande incrémentale. Le déploiement initial de la 5G au Brésil importe des front-ends RF qui intègrent du silicium à haute résistivité, tandis que les Émirats arabes unis étudient une usine en construction neuve qui inclurait une capacité de plaquettes spécialisées. L'adoption africaine est négligeable aujourd'hui, mais le secteur automobile d'Afrique du Sud comble des écarts technologiques qui nécessiteront éventuellement des circuits intégrés radar et, par extension, des substrats HR. Bien que ces régions contribuent minimalement avant 2031, elles représentent des options de diversification pour la prochaine décennie.

Marché des plaquettes de silicium à haute résistivité : CAGR (%), taux de croissance par région
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Paysage concurrentiel

Le marché des plaquettes de silicium à haute résistivité présente une concentration modérée, les cinq premiers fournisseurs détenant environ 70 % de part combinée en 2025. Shin-Etsu et SUMCO dominent le silicium à zone flottante à très haute résistivité, tirant parti de décennies de perfectionnement des procédés pour fournir des densités de défauts adaptées aux applications RF 77-81 GHz et à l'imagerie scientifique. Soitec maintient un quasi-monopole sur le HR-SOI grâce à sa technologie de liaison Smart Cut, atteignant des marges brutes supérieures à 35 % et imposant des prix premium.

L'expansion de la capacité reste le principal levier concurrentiel. L'investissement de GlobalWafers au Texas et le projet de Siltronic à Freiberg illustrent comment les subventions favorisent les premiers entrants dans de nouvelles géographies. Les concurrents de niveau intermédiaire tels qu'Okmetic et Wafer Works gagnent des parts en offrant des tailles de lots plus petites et une qualification plus rapide, comblant des lacunes que les grands acteurs établis ne peuvent pas servir efficacement. Les entrants chinois, soutenus par des fonds publics, proposent des plaquettes 15-20 % moins chères que les références japonaises, intensifiant la pression sur les prix pour les applications RF grand public.

La différenciation technologique se concentre désormais sur l'ingénierie de la couche piège qui étend les performances du HR-SOI dans les bandes mmWave supérieures. Les dépôts de brevets en 2024-2025 révèlent une concurrence continue pour co-optimiser l'épaisseur de l'oxyde enterré et la densité des pièges, offrant des améliorations incrémentales de 1-2 dB du point d'interception du troisième ordre. Les acheteurs exigent également des services de récupération de plaquettes en boucle fermée et des spécifications particulaires plus strictes, obligeant les fournisseurs à investir continuellement dans des actifs de polissage et de métrologie. Dans l'ensemble, le positionnement stratégique combine diversification géographique, innovation de procédés et programmes approfondis de co-développement avec les clients qui verrouillent des contrats d'approvisionnement pluriannuels.

Leaders du secteur des plaquettes de silicium à haute résistivité

  1. Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.

  2. SUMCO Corporation

  3. Siltronic AG

  4. GlobalWafers Co., Ltd.

  5. Soitec S.A.

  6. *Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier
Concentration du marché des plaquettes de silicium à haute résistivité
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Développements récents du secteur

  • Février 2026 : Soitec a dévoilé une expansion de 500 millions EUR (540 millions USD) à Bernin, en France, ajoutant de la capacité HR-SOI 300 mm pour le radar automobile et l'infrastructure 5G. L'achèvement est prévu pour le quatrième trimestre 2027.
  • Janvier 2026 : GlobalWafers a reçu une subvention de 400 millions USD au titre de la loi CHIPS pour construire une usine de plaquettes 300 mm à Sherman, au Texas, avec une production HR-SOI ciblée pour fin 2027.
  • Décembre 2025 : Shin-Etsu Handotai a achevé une mise à niveau de 120 milliards JPY (850 millions USD) dans son installation d'Isobe, mettant en service de nouvelles lignes à zone flottante 300 mm.
  • Novembre 2025 : SUMCO et Toyota ont convenu de co-développer des plaquettes à haute résistivité 300 mm pour le radar d'imagerie 77 GHz de nouvelle génération, dans le cadre d'un programme conjoint de 50 millions USD.

Table des matières du rapport sur le secteur des plaquettes de silicium à haute résistivité

1. INTRODUCTION

  • 1.1 Hypothèses de l'étude et définition du marché
  • 1.2 Portée de l'étude

2. MÉTHODOLOGIE DE RECHERCHE

3. RÉSUMÉ EXÉCUTIF

4. PAYSAGE DU MARCHÉ

  • 4.1 Aperçu du marché
  • 4.2 Moteurs du marché
    • 4.2.1 Adoption croissante du RF SOI dans les smartphones 5G
    • 4.2.2 Expansion de la production de radar automobile
    • 4.2.3 Demande croissante de silicium mmWave pour les communications par satellite
    • 4.2.4 Intégration de la formation de faisceau adaptative dans les antennes à réseau phasé
    • 4.2.5 Développement de circuits intégrés photoniques sur substrats à haute résistivité
    • 4.2.6 Incitations gouvernementales pour la fabrication nationale de semi-conducteurs
  • 4.3 Contraintes du marché
    • 4.3.1 Complexités dans la production de plaquettes HR de 300 mm sans défauts
    • 4.3.2 Prime de prix par rapport aux plaquettes de silicium conventionnelles
    • 4.3.3 Contraintes d'approvisionnement en silicium à zone flottante de très haute pureté
    • 4.3.4 Émergence des substrats GaN et SiC pour les dispositifs RF et de puissance
  • 4.4 Analyse de la chaîne d'approvisionnement du secteur
  • 4.5 Paysage réglementaire
  • 4.6 Perspectives technologiques
  • 4.7 Impact des facteurs macroéconomiques sur le marché
  • 4.8 Analyse des cinq forces de Porter
    • 4.8.1 Menace des nouveaux entrants
    • 4.8.2 Pouvoir de négociation des fournisseurs
    • 4.8.3 Pouvoir de négociation des acheteurs
    • 4.8.4 Menace des substituts
    • 4.8.5 Intensité de la rivalité concurrentielle

5. TAILLE DU MARCHÉ ET PRÉVISIONS DE CROISSANCE (VOLUME)

  • 5.1 Par diamètre de plaquette
    • 5.1.1 150 mm
    • 5.1.2 200 mm
    • 5.1.3 300 mm
  • 5.2 Par type de plaquette
    • 5.2.1 Silicium à haute résistivité poli
    • 5.2.2 Silicium à haute résistivité épitaxial
    • 5.2.3 Silicium sur isolant à haute résistivité (HR-SOI)
  • 5.3 Par application de dispositif
    • 5.3.1 Dispositifs RF de front-end (amplificateurs de puissance, commutateurs, amplificateurs à faible bruit)
    • 5.3.2 Circuits intégrés émetteurs-récepteurs mmWave et 5G
    • 5.3.3 Circuits intégrés radar automobiles (77-81 GHz)
    • 5.3.4 Photodétecteurs et dispositifs d'imagerie
    • 5.3.5 Circuits intégrés MEMS et capteurs avancés
  • 5.4 Par utilisateur final
    • 5.4.1 Électronique grand public
    • 5.4.2 Industrie
    • 5.4.3 Télécommunications
    • 5.4.4 Automobile
    • 5.4.5 Autres applications d'utilisateurs finaux
  • 5.5 Par géographie
    • 5.5.1 Amérique du Nord
    • 5.5.1.1 États-Unis
    • 5.5.1.2 Canada
    • 5.5.1.3 Mexique
    • 5.5.2 Europe
    • 5.5.2.1 Allemagne
    • 5.5.2.2 Royaume-Uni
    • 5.5.2.3 France
    • 5.5.2.4 Reste de l'Europe
    • 5.5.3 Asie-Pacifique
    • 5.5.3.1 Chine
    • 5.5.3.2 Japon
    • 5.5.3.3 Inde
    • 5.5.3.4 Corée du Sud
    • 5.5.3.5 Reste de l'Asie-Pacifique
    • 5.5.4 Amérique du Sud
    • 5.5.5 Moyen-Orient et Afrique

6. PAYSAGE CONCURRENTIEL

  • 6.1 Concentration du marché
  • 6.2 Mouvements stratégiques
  • 6.3 Analyse des parts de marché
  • 6.4 Profils d'entreprises (comprend un aperçu au niveau mondial, un aperçu au niveau du marché, les segments principaux, les données financières disponibles, les informations stratégiques, le classement/la part de marché pour les principales entreprises, les produits et services, et les développements récents)
    • 6.4.1 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
    • 6.4.2 SUMCO Corporation
    • 6.4.3 Siltronic AG
    • 6.4.4 GlobalWafers Co., Ltd.
    • 6.4.5 Soitec S.A.
    • 6.4.6 Okmetic Oyj
    • 6.4.7 Wafer Works Corp.
    • 6.4.8 SK Siltron Co., Ltd.
    • 6.4.9 Zhejiang Ferrotec Semiconductor Co., Ltd.
    • 6.4.10 Addison Engineering, Inc.
    • 6.4.11 Topsil Semiconductor Materials A/S
    • 6.4.12 SINO-American Silicon Products Inc.
    • 6.4.13 Wafer World Inc.
    • 6.4.14 Virginia Semiconductor, Inc.
    • 6.4.15 Shanghai Simgui Technology Co., Ltd.
    • 6.4.16 Nova Electronic Materials, LLC
    • 6.4.17 Ferrotec Holdings Corporation
    • 6.4.18 pSemi Corporation

7. OPPORTUNITÉS DE MARCHÉ ET PERSPECTIVES D'AVENIR

  • 7.1 Évaluation des espaces blancs et des besoins non satisfaits

Portée du rapport mondial sur le marché des plaquettes de silicium à haute résistivité

Les plaquettes de silicium à haute résistivité (HR) sont des substrats de silicium avec une résistivité généralement ≥1 000 Ω·cm, conçus pour des applications nécessitant une isolation électrique élevée et une interférence de signal minimale. Ces plaquettes sont largement utilisées dans les dispositifs et systèmes électroniques avancés.

Le rapport sur le marché des plaquettes de silicium à haute résistivité est segmenté par diamètre de plaquette (150 mm, 200 mm et 300 mm), type de plaquette (polies, épitaxiales et HR-SOI), application de dispositif (dispositifs RF de front-end, circuits intégrés émetteurs-récepteurs mmWave et 5G, circuits intégrés radar automobiles, photodétecteurs et dispositifs d'imagerie, et circuits intégrés MEMS et capteurs avancés), utilisateur final (électronique grand public, industrie, télécommunications, automobile et autres applications d'utilisateurs finaux), et géographie (Amérique du Nord, Europe, Asie-Pacifique, Amérique du Sud, et Moyen-Orient et Afrique). Les prévisions du marché sont fournies en termes de volume (pouces carrés).

Par diamètre de plaquette
150 mm
200 mm
300 mm
Par type de plaquette
Silicium à haute résistivité poli
Silicium à haute résistivité épitaxial
Silicium sur isolant à haute résistivité (HR-SOI)
Par application de dispositif
Dispositifs RF de front-end (amplificateurs de puissance, commutateurs, amplificateurs à faible bruit)
Circuits intégrés émetteurs-récepteurs mmWave et 5G
Circuits intégrés radar automobiles (77-81 GHz)
Photodétecteurs et dispositifs d'imagerie
Circuits intégrés MEMS et capteurs avancés
Par utilisateur final
Électronique grand public
Industrie
Télécommunications
Automobile
Autres applications d'utilisateurs finaux
Par géographie
Amérique du NordÉtats-Unis
Canada
Mexique
EuropeAllemagne
Royaume-Uni
France
Reste de l'Europe
Asie-PacifiqueChine
Japon
Inde
Corée du Sud
Reste de l'Asie-Pacifique
Amérique du Sud
Moyen-Orient et Afrique
Par diamètre de plaquette150 mm
200 mm
300 mm
Par type de plaquetteSilicium à haute résistivité poli
Silicium à haute résistivité épitaxial
Silicium sur isolant à haute résistivité (HR-SOI)
Par application de dispositifDispositifs RF de front-end (amplificateurs de puissance, commutateurs, amplificateurs à faible bruit)
Circuits intégrés émetteurs-récepteurs mmWave et 5G
Circuits intégrés radar automobiles (77-81 GHz)
Photodétecteurs et dispositifs d'imagerie
Circuits intégrés MEMS et capteurs avancés
Par utilisateur finalÉlectronique grand public
Industrie
Télécommunications
Automobile
Autres applications d'utilisateurs finaux
Par géographieAmérique du NordÉtats-Unis
Canada
Mexique
EuropeAllemagne
Royaume-Uni
France
Reste de l'Europe
Asie-PacifiqueChine
Japon
Inde
Corée du Sud
Reste de l'Asie-Pacifique
Amérique du Sud
Moyen-Orient et Afrique

Questions clés auxquelles le rapport répond

Quel est le volume prévu pour les plaquettes à haute résistivité d'ici 2031 ?

Il est prévu d'atteindre 644,39 millions de pouces carrés d'ici 2031, progressant à un CAGR de 5,85 % à partir de 2026.

Quel diamètre de plaquette connaît la croissance la plus rapide ?

Le format 300 mm progresse à 6,74 % par an à mesure que les conceptions RF-numériques intégrées migrent vers des substrats plus grands.

Pourquoi les systèmes radar automobiles stimulent-ils la demande de plaquettes ?

Les nouvelles règles de sécurité imposent davantage de capteurs 77-81 GHz par véhicule, et chaque capteur utilise des circuits intégrés en silicium à haute résistivité qui nécessitent des substrats premium.

Qui sont les principaux fournisseurs de plaquettes à haute résistivité ?

Shin-Etsu Handotai, SUMCO, Siltronic, GlobalWafers et Soitec détiennent ensemble environ 70 % de la capacité mondiale.

Comment les subventions gouvernementales façonnent-elles l'offre ?

Les programmes aux États-Unis, en Europe et au Japon prennent en charge jusqu'à 40 % des coûts d'usine, accélérant les nouvelles lignes 300 mm et diversifiant l'approvisionnement géographique.

Qu'est-ce qui menace la domination du silicium à haute résistivité dans le domaine RF ?

La baisse des coûts des substrats en nitrure de gallium et en carbure de silicium pourrait remporter des conceptions au-dessus de 28 GHz si les prix des plaquettes tombent en dessous de 150 USD pour un équivalent 6 pouces d'ici 2028.

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