Marktgröße und Marktanteile des HBM-Markts in den Vereinigten Staaten – Wachstumstrends und Prognose (2026–2031)

Trends und Erkenntnisse des HBM-Markts in den Vereinigten Staaten

Zunehmende Speicherintensität für KI-Training und Inferenz

Die HBM-Nachfrage pro Beschleuniger steigt schneller als das Wachstum der Beschleunigereinheiten, da jede neue Plattform mehr Stapel und eine höhere Bandbreite pro Stapel verwendet. NVIDIA erklärte, dass Vera Rubin im Mai 2026 in die Vollproduktion hochgefahren wurde und die Plattform für agentische KI-Fabriken positioniert, was die Speicherbandbreite weiterhin zentral für Systemdesign und Einsatzplanung hält. Samsung erklärte, dass sein kommerzielles HBM4 eine Übertragungsgeschwindigkeit von 11,7 Gbps und bis zu 3,3 TB/s pro Stapel erreichte, was zeigt, wie Speicher-Roadmaps vorangetrieben werden, um anspruchsvolleren KI-Workloads gerecht zu werden.^{[1]Samsung Semiconductor, „Samsung Electronics beginnt mit dem Versand der branchenweit ersten HBM4E-Muster”, Samsung Semiconductor Newsroom, news.samsungsemiconductor.com} Micron trat in die Hochvolumenproduktion von HBM4 für Vera Rubin ein, und AMD meldete einen Umsatz von 16,6 Milliarden USD im Rechenzentrumsbereich im Jahr 2025, was auf eine anhaltende Nachfrage nach HBM-ausgestatteten Rechenplattformen hindeutet. Trainingscluster verbrauchen nach wie vor große Mengen an Speicher, aber Inferenzflotten fügen eine stabilere Nachfrageschicht hinzu, da sie sich mit dem Live-Nutzerverkehr und dem Dienstleistungswachstum ausweiten. Dieses Muster unterstützt den HBM-Markt in den Vereinigten Staaten, da der Speicherinhalt nun sowohl mit neuen Installationen als auch mit laufenden Plattformaktualisierungszyklen steigt.

Expansion von Hyperscale-GPU-Clustern in Rechenzentren der Vereinigten Staaten

Große KI-Rechenzentrumsausbauten treiben die HBM-Volumina weiterhin voran, da die Einsatzpläne für Beschleuniger eng mit der Speicherverfügbarkeit verknüpft sind. NVIDIA erklärte, dass Vera Rubin mit 7 neuen Chips in der Vollproduktion bei über 350 Lieferkettenpartnern in 30 Ländern in die Vollproduktion eintrat, was den Umfang der Systeme signalisiert, die auf den Einsatz zusteuern. Micron wechselte im März 2026 in die Hochvolumenproduktion von HBM4 für Vera Rubin, und Samsung begann im Februar 2026 mit der Massenproduktion von kommerziellem HBM4, beides im Einklang mit großen Kundeneinführungen. Das Wachstum des Rechenzentrumsumsatzes von AMD im Jahr 2025 deutet ebenfalls auf eine breitere Nachfragebasis für Beschleuniger hin, was wichtig ist, da die HBM-Nachfrage der Plattformeinführung folgt und nicht dem eigenständigen Speichereinkauf. Da mehr Käufer von Pilotclustern zu Produktionsumgebungen wechseln, werden Versorgungszuteilungen schwieriger zu lockern und Lieferzeiten bleiben empfindlich. Diese Verschiebung gibt dem HBM-Markt in den Vereinigten Staaten eine breitere und dauerhaftere Nachfragebasis, als ein einzelner Beschaffungszyklus vermuten lassen würde.

HBM-Einführung in fortschrittlichen Verpackungs- und Chiplet-Architekturen

Die HBM-Einführung ist nun direkt mit fortschrittlichen Verpackungsentscheidungen verknüpft, da Speicher und Logik in modernen KI-Beschleunigern als eng integriertes System betrieben werden müssen. Die Einführungen von Samsung HBM4 und HBM4E zeigen, dass Lieferanten Bandbreite und Energieeffizienz gemeinsam steigern, was für dichte Beschleunigerpakete mit strengen Wärme- und Leistungsgrenzen unerlässlich ist. Microns 36-GB-12H-HBM4 für Vera Rubin und die Musteraktivitäten von SK Hynix mit 12-lagigem HBM4 zeigen, dass Designs mit mehr Lagen tiefer in Kundenprogramme vordringen. IMEC stellte fest, dass 3D-HBM-on-GPU-Stacking die Betriebstemperaturen ohne systemweite Kühloptimierung deutlich erhöhen kann, was erklärt, warum die Verpackung nun sowohl Leistung als auch Zuverlässigkeit beeinflusst. Im HBM-Markt der Vereinigten Staaten führen 2,5D-Interposer-Designs weiterhin die aktuellen Einsätze an, da sie nach wie vor der etablierteste Weg für große KI-Pakete sind. Der Übergang zu dichteren 3D- und hybridgebundenen Ansätzen wird mittelfristig wichtig bleiben, da Bandbreitengewinne mit besserer Wärmekontrolle und besserer Integrationseffizienz einhergehen müssen.

Anreize zur Rückverlagerung der inländischen Speicherlieferkette und Unterstützung durch den CHIPS Act

Die inländische politische Unterstützung beginnt, die langfristige Struktur des HBM-Markts in den Vereinigten Staaten zu verändern, auch wenn sie die heutige Angebotsenge nicht löst. Das Nationale Institut für Standards und Technologie (NIST) erklärte, dass SK Hynix bis zu 458 Millionen USD an direkter CHIPS-Finanzierung für eine fortschrittliche HBM-Verpackungsanlage in West Lafayette, Indiana, erhalten hat, die an eine Gesamtinvestition von 3,87 Milliarden USD gebunden ist.^{[2]Nationales Institut für Standards und Technologie, „SK Hynix, Indiana, West Lafayette”, CHIPS-Programmbüro, nist.gov} Micron erklärte, dass sein inländisches Programm über 20 Jahre 200 Milliarden USD umfasst und eine durchgängige HBM-Fertigung einschließt, während die CHIPS-Unterstützung Einrichtungen in Idaho, New York und Virginia umfasst. Diese Programme sind wichtig, da zukünftige inländische Kapazitäten die Versorgungssicherheit für Käufer verbessern können, die neben Preis und Leistung auch Standort, politische Ausrichtung und Sicherheitsleitplanken schätzen. Der Aufbauzeitplan ist noch lang, da SK Hynix die Massenproduktion in der zweiten Hälfte des Jahres 2028 erwartet und die Expansion von Micron ein mehrjähriges Fertigungsprogramm und keine kurzfristige Reaktion ist. Langfristig sollten diese Investitionen dem HBM-Markt in den Vereinigten Staaten mehr inländischen Einfluss bei Beschaffungs- und Lieferantenverhandlungen verschaffen.

Engpässe bei der fortschrittlichen Verpackungskapazität bei CoWoS und ähnlichen Prozessen

Die fortschrittliche Verpackung bleibt ein Hemmnis, da die Nachfrage in den Vereinigten Staaten weiterhin von einer engen Gruppe qualifizierter Integrationsprozesse für Frontier-KI-Beschleuniger abhängt. Das Nationale Institut für Standards und Technologie (NIST) erklärte, dass die Anlage von SK Hynix in Indiana voraussichtlich erst in der zweiten Hälfte des Jahres 2028 mit der Massenproduktion beginnen wird, was bedeutet, dass die inländische Entlastung nach der aktuellen Nachfragewelle eintreffen wird. Die Pläne von Micron für Idaho, New York und Virginia sind umfangreich, aber sie sind Teil eines mehrjährigen Aufbaus und keine sofortige Freigabe von Verpackungskapazitäten. Dies lässt den kurzfristigen HBM-Markt in den Vereinigten Staaten einem Termindruck ausgesetzt, wenn Verpackungsverfügbarkeit und Beschleuniger-Einführungspläne nicht synchron sind. Das Problem ist struktureller Natur, da jede neue HBM-Generation auch Verpackungsvalidierung und Prozessabstimmung erfordert und nicht nur mehr Wafer-Ausstoß. Bis mehr qualifizierte Kapazitäten vorhanden sind, bleibt der Einsatzzeitplan anfällig, selbst wenn die Endnachfrage stark bleibt.

Hohes Ausbeuteverlustrisiko bei der Herstellung von HBM mit mehreren Dies und hohem Stapel

Das Ausbeuterisiko steigt, wenn mehr Dies, mehr Lagen und engere Toleranzen in jede HBM-Einheit gepackt werden. Die Einführungen von Samsung HBM4 und HBM4E zeigen, wie schnell die Leistungsziele voranschreiten, spiegeln aber auch die Komplexität wider, neue Stapelformate in nachhaltige Kundenlieferungen zu überführen. Microns 36-GB-12H-HBM4 und das HBM4-Entwicklungsprogramm von SK Hynix stoßen an dieselbe Grenze, mit engeren Integrationsanforderungen über Speicher, Basis-Die und Paketdesign hinweg. Imec zeigte, dass 3D-HBM-on-GPU-Architekturen 141,7 °C erreichen können, bevor die Kühlungskooptimierung die Temperaturen auf etwa 70,8 °C senkt, was den Zusammenhang zwischen thermischer Belastung und Fertigungsausbeute unterstreicht. Jede Generation setzt daher einen Teil der Lernkurve zurück, und die frühe Produktion kann hinter der Nachfrage zurückbleiben, selbst wenn die langfristigen Roadmaps intakt bleiben. Dieses Muster mäßigt die Geschwindigkeit, mit der neue Produkte den HBM-Markt in den Vereinigten Staaten während des Prognosezeitraums ankurbeln können.

*Unsere Prognosen behandeln die Auswirkungen von Treibern und Einschränkungen als richtungsweisend und nicht additiv. Die Wirkungsprognosen berücksichtigen Basiswachstum, Mischungseffekte und Wechselwirkungen zwischen Variablen.

Segmentanalyse

Nach HBM-Typ: HBM3E führt die kurzfristige Nachfrage an, während HBM4 in den kommerziellen Maßstab übergeht

HBM3E hielt im Jahr 2025 einen Marktanteil von 71,32 % am HBM-Markt der Vereinigten Staaten, während HBM4E und HBM-Generationen der nächsten Generation bis 2031 voraussichtlich mit einer CAGR von 28,94 % wachsen werden. Diese Führungsposition resultierte aus dem großen Beschaffungszyklus, der mit Blackwell-basierten Systemen verbunden war, was HBM3E zur zentralen Speicherwahl für hochvolumige KI-Beschleuniger-Einsätze machte. Die Generation lieferte die Bandbreite, die für den trainingsintensiven Aufbau benötigt wurde, der die jüngste Phase des HBM-Markts in den Vereinigten Staaten prägte. Frühere Generationen, einschließlich HBM2E und HBM3, bedienten weiterhin ältere HPC- und professionelle Visualisierungseinsätze, bei denen Qualifizierungszyklen und installierte Plattformen eine sofortige Migration einschränkten. HBM4 trat Anfang 2026 in bedeutende kommerzielle Aktivitäten ein, als Lieferanten von Entwicklungsmeilensteinen zu Kundenlieferungen übergingen.^{[3]Samsung Electronics Co., Ltd., „Samsung liefert das branchenweit erste kommerzielle HBM4 mit ultimativer Leistung für KI-Computing”, Samsung Global Newsroom, news.samsung.com}

Der am schnellsten wachsende Teil dieser Kategorie ist HBM4E und HBM der späteren Generation, da Kunden nun höheren Durchsatz, größere Kapazität pro Stapel und stärkere Energieeffizienz innerhalb desselben Paket-Footprints wünschen. Samsung erklärte, dass sein kommerzielles HBM4 bis zu 3,3 TB/s erreichte und die Energieeffizienz im Vergleich zu HBM3E um 40 % verbesserte, was dem Segment einen klaren Leistungsfall für zukünftiges Wachstum gibt. Samsung begann auch im Mai 2026 mit dem Versand von HBM4E-Mustern mit bis zu 3,6 TB/s Bandbreite und 48 GB Kapazität, was die Roadmap in diesem Jahr weiter vorantrieb. SK Hynix schloss die HBM4-Entwicklung im September 2025 ab, und Micron begann im März 2026 mit der Hochvolumenproduktion von HBM4 für Vera Rubin, was bestätigt, dass der nächste Zyklus von der Planung zur Ausführung übergegangen ist. Im HBM-Markt der Vereinigten Staaten ist diese Veränderung wichtig, da das Nachfragewachstum nun weniger davon abhängt, ob HBM4 eintrifft, sondern vielmehr davon, wie schnell Lieferanten es über Kundenprogramme skalieren können.

Nach Technologieknoten: Fortschrittliche Knoten unter 1Z verankern Leistung und Wachstum

Fortschrittliche Knoten unter 1Z machten im Jahr 2025 49,94 % der Marktgröße des HBM-Markts in den Vereinigten Staaten aus und sollen bis 2031 mit einer CAGR von 28,69 % wachsen. Dies ist bemerkenswert, da dieselbe Knotenklasse sowohl den aktuellen Umsatz als auch das zukünftige Wachstum antreibt, was darauf hindeutet, dass fortschrittliche Prozesstechnologie bereits zu einer aktuellen Anforderung und nicht zu einer zukünftigen Option geworden ist. Der 1Z-Knoten unterstützte die erste HBM3E-Welle, während Knoten unter 1Z nun den Übergang zu HBM4- und HBM4E-Produkten unterstützen. SK Hynix erklärte, dass sein HBM4 den 1b-nm-Prozess und den Advanced-MR-MUF-Prozess verwendet, was die Leistung der nächsten HBM-Generation direkt an eine fortschrittlichere Fertigungsausführung knüpft. Samsung erklärte, dass sein kommerzielles HBM4 einen 4-nm-Logik-Basis-Die mit einem 1c-DRAM-Prozess kombiniert, was den gleichen Knotentrend bei einem anderen führenden Lieferanten bestätigt.

Fortschrittliche Knoten sind wichtig, da ko-verpackter Speicher mit schnelleren KI-Beschleunigern, größeren Stapelzahlen und engeren Leistungshüllen auf Systemebene Schritt halten muss. Microns Übergang in die Hochvolumenproduktion von HBM4 für Vera Rubin zeigt, dass die Ausführung unter 1Z nun Teil der kommerziellen Live-Versorgung ist und nicht nur ein Entwicklungsmaßstab. Ältere Knotenfamilien, einschließlich 1X, 1Y und 1Z, haben weiterhin Nachfrage in Verteidigungs-, Forschungs- und langsameren Qualifizierungsumgebungen, in denen Kontinuität genauso wichtig ist wie Spitzenleistung. Diese älteren Knoten bleiben relevant, wenn Programmlebenszyklen lang sind und die Plattformmigration vorsichtig gesteuert wird. Dennoch entfielen fortschrittliche Knoten unter 1Z im Jahr 2025 auf 49,94 % des HBM-Markts in den Vereinigten Staaten, da der HBM-Markt in den Vereinigten Staaten nun Bandbreite pro Watt und Integrationseffizienz gegenüber anderen technischen Kompromissen bevorzugt.

Nach Verpackungstyp: 2,5D-Interposer führt heute, während 3D-Integration an Dynamik gewinnt

Die 2,5D-Interposer-basierte Verpackung hielt im Jahr 2025 einen Anteil von 85,16 % am HBM-Markt der Vereinigten Staaten, während 3D-Stacking und hybridgebundene Integration bis 2031 voraussichtlich mit einer CAGR von 28,47 % wachsen werden. Die aktuelle Führungsposition spiegelt die Reife und den Fertigungsmaßstab der Interposer-basierten Integration für große KI-Prozessoren wider. Dieser Verpackungsweg platziert HBM nahe am Rechen-Die und unterstützt die sehr breiten Schnittstellen, die HBM von Standard-DRAM-Anordnungen unterscheiden. Im HBM-Markt der Vereinigten Staaten bleibt 2,5D das bevorzugte Format für die meisten aktuellen Einsätze, da es Leistung, Herstellbarkeit und bekannte Qualifizierungswege ausbalanciert. Fan-Out-Verpackung hält den verbleibenden Anteil und wird hauptsächlich dort eingesetzt, wo Kosten, Formfaktor oder Einsatzbedingungen den vollständigen Interposer-Weg nicht unterstützen.

Der schneller wachsende Weg ist 3D-Stacking und hybridgebundene Integration, da Kunden eine höhere Bandbreitendichte ohne einen größeren lateralen Paket-Footprint anstreben. Die 12-lagige HBM4-Musterarbeit von SK Hynix und seine iHBM-Wärmelösung zeigen, dass das Unternehmen sowohl Stapelkomplexität als auch Kühlungsunterstützung parallel vorantreibt. Die HBM4E-Musterlieferungen von Samsung fügen ein weiteres Signal hinzu, dass dichtere und schnellere Verpackungswege auf kommerzielle Relevanz zusteuern. Die Wärmearbeit von Imec zeigt auch, warum die Verpackung die nächste Phase des HBM-Markts in den Vereinigten Staaten weiterhin prägen wird, da höhere Dichte mit stärkerer systemweiter Kühlung und Designkontrolle einhergehen muss. Während des Prognosezeitraums sollte sich das Gleichgewicht allmählich verschieben, da Kunden eine engere Integration anstreben, ohne auf Zuverlässigkeit zu verzichten.

Nach Endverbrauchsbranche: Hyperscaler führen die Nachfrage an, während Internetplattformen schneller wachsen

Cloud-Dienstleister und Hyperscaler repräsentierten im Jahr 2025 44,73 % des HBM-Markts in den Vereinigten Staaten, während Internetplattformen und KI-Modellentwickler bis 2031 voraussichtlich mit einer CAGR von 29,11 % wachsen werden. Hyperscaler führen, weil sie das Angebot frühzeitig sichern, die Plattformqualifizierung beeinflussen und Kapital in einem Maßstab einsetzen, den kleinere Käufer nicht leicht erreichen können. Ihre HBM-Nachfrage ist in der Regel in die GPU- und ASIC-Systembeschaffung eingebettet und nicht in separate Speicherverträge, was die Beziehung zwischen Rechenplattformen und Speicherversorgung eng verknüpft hält. NVIDIA erklärte, dass Vera Rubin im Mai 2026 in die Vollproduktion eintrat, was die anhaltende HBM-Nachfrage aus großen Cloud-Einsätzen unterstützt, die mit der KI-Infrastruktur der nächsten Generation verbunden sind. Im HBM-Markt der Vereinigten Staaten hält die Kaufstruktur die größten Cloud-Kunden nahe an der Spitze der Zuteilungsentscheidungen.

Internetplattformen und KI-Modellentwickler wachsen schneller, da sich die Trainings- und Inferenznachfrage über die früheste von Hyperscalern geführte Welle hinaus ausbreitet. AMD meldete einen Rechenzentrumsumsatz von 16,6 Milliarden USD im Jahr 2025, was auf eine breitere Basis der Beschleunigernachfrage im gesamten Ökosystem hindeutet und eine breitere Käuferexpansion unterstützt. Regierungs-, Verteidigungs-, Forschungs- und akademische Einrichtungen bleiben ein beständiges Nachfragesegment, obwohl Sicherheitsanforderungen und lange Beschaffungszyklen den Zugang zu führenden Lieferanten einschränken können. Unternehmensrechenzentren und Telekommunikationsbetreiber fügen eine weitere Nachfrageschicht hinzu, da Inferenz-Workloads sich näher an On-Premises-Umgebungen und netzwerkseitige Verarbeitung verlagern. Dieser breitere Kundenmix unterstützt den HBM-Markt in den Vereinigten Staaten, da das Wachstum weniger von einer einzigen Käufergruppe abhängig wird.

Nach Anwendung: KI-Training hält den größten Anteil, während Inferenz an Maßstab gewinnt

Das KI-Modelltraining entfiel im Jahr 2025 auf 48,03 % des HBM-Markts in den Vereinigten Staaten, während die KI-Modellinferenz bis 2031 voraussichtlich mit einer CAGR von 29,04 % wachsen wird. Das von Hyperscalern geführte Training verbrachte die letzten Jahre damit, große GPU-Cluster aufzubauen, die darauf ausgelegt sind, zunehmend große Modelle mit hohem Durchsatz zu verarbeiten. Diese Workloads bevorzugen große HBM-Stapelzahlen und anhaltende Bandbreite über lange Rechenläufe, was das Training in den Mittelpunkt der jüngsten Beschleuniger-Einsatzpläne rückte. Das Ergebnis war ein trainingsintensives Nachfragemuster im HBM-Markt der Vereinigten Staaten während der früheren Phase der aktuellen KI-Expansion. HPC und wissenschaftliches Rechnen behielten weiterhin einen stabilen Platz, da HBM-ausgestattete Systeme für Simulations-, Forschungs- und nationale Labor-Workloads zentral bleiben.

Inferenz wächst schneller, da große Modelle von der Entwicklung in Live-Dienste übergehen, und diese Veränderung vervielfacht die Anzahl der eingesetzten Endpunkte, die schnellen Speicherzugriff benötigen. NVIDIA erklärte, dass Vera Rubin für agentische KI-Fabriken konzipiert ist und eine 3,5-fache Trainings- und 5-fache Inferenzleistung im Vergleich zu Blackwell bietet, was die erwartete Expansion der inferenzorientierten HBM-Nachfrage unterstützt. Die Unterscheidung zwischen Training und Inferenz ist wichtig, da Trainingsprioritäten auf anhaltenden Durchsatz ausgerichtet sind, während Inferenz Bandbreite und Latenz unter Live-Servicebedingungen priorisiert. Dieser Unterschied beeinflusst bereits, wie Lieferanten Speicherprodukte der nächsten Generation innerhalb von Kundenprogrammen positionieren. Da produktive KI über Anwendungen und Serviceschichten hinweg verteilter wird, sollte die Inferenz weiterhin eine größere Rolle im HBM-Markt der Vereinigten Staaten spielen.

Geografische Analyse

Der HBM-Markt in den Vereinigten Staaten wurde im Jahr 2025 auf 1,09 Milliarden USD geschätzt und soll bis 2031 bei einer CAGR von 27,98 % 4,91 Milliarden USD erreichen, was das Land im Mittelpunkt der globalen HBM-Nachfrageplanung hält. Diese Nachfragebasis ist mit der weltweit höchsten Konzentration großer GPU-Cluster, Foundation-Modell-Trainingsprogrammen und KI-Diensteinsätzen verbunden. Der Wachstumsausblick hält den HBM-Markt der Vereinigten Staaten nahe an der Spitze der Lieferantenzuteilung, des Roadmap-Timings und der Produktqualifizierungsentscheidungen. NVIDIAs Übergang zur Vollproduktion von Vera Rubin, kombiniert mit HBM4-Hochläufen bei Samsung, Micron und SK Hynix, zeigt, wie eng die Lieferantenkommerzialisierung nun die mit den Vereinigten Staaten verbundenen KI-Einsatzbedürfnisse verfolgt. CHIPS-gestützte Investitionen beginnen auch, das Land von einem reinen Nachfragezentrum zu einem zukünftigen Angebotsteilnehmer durch Projekte in Indiana, Idaho, New York und Virginia zu verschieben. ^{[4]Nationales Institut für Standards und Technologie, „Micron, Idaho, Boise”, CHIPS-Programmbüro, nist.gov}

Innerhalb des Landes ist die HBM-Nachfrage im Korridor Northern Virginia und Washington, D.C., im San Francisco Bay Area und Silicon Valley sowie in den Metropolregionen Dallas-Fort Worth und Phoenix konzentriert. Diese Cluster verbinden Beschaffungsführerschaft, Hyperscale-Einsatz, Ingenieurtalent und Zugang zu Strom und Rechenzentrumsimmobilien, was sie zu den primären Betriebszentren des HBM-Markts in den Vereinigten Staaten macht. Indiana entwickelt sich durch das West-Lafayette-Projekt von SK Hynix und seine Purdue-Partnerschaft zu einem neuen speicherbezogenen Korridor, der einen zukünftigen Verpackungs- und Forschungsanker im Mittleren Westen hinzufügt. Verteidigungs- und nationale Laborstandorte fügen einen kleineren, aber spezialisierten Nachfrageknoten hinzu, bei dem sicheres Rechnen und lange Qualifizierungszyklen das Kaufverhalten prägen.

Die strukturelle Versorgungskarte, die den HBM-Markt in den Vereinigten Staaten bedient, ist nach wie vor durch geografische Trennung zwischen Wafer-Produktion, fortschrittlicher Integration und finalem Einsatz definiert. Südkoreanische Lieferanten bleiben zentral für die HBM-Wafer-Versorgung, Taiwan bleibt im fortschrittlichen Integrationsfluss unverzichtbar, und US-Standorte bleiben das wichtigste Endnachfrageziel für groß angelegte KI-Systeme. Diese Struktur schafft mehrere Risikopunkte in Logistik, Politik und Terminplanung, da eine Verzögerung in einer Schicht die Aktivität in der gesamten Kette verlangsamen kann. Micron erklärte, dass es anstrebt, innerhalb von zwei Jahrzehnten 40 % seines DRAM in den Vereinigten Staaten zu produzieren, was dem Land das klarste langfristige Lokalisierungsziel unter den aktuellen Teilnehmern gibt. CHIPS-Finanzierung und damit verbundene Leitplanken erhöhen auch den strategischen Wert inländischer Kapazitäten, insbesondere für Kunden, die Versorgungssicherheit und politische Ausrichtung gewichten. Das geografische Profil sollte sich daher im Laufe der Zeit verbreitern, aber der größte Teil des HBM-Markts in den Vereinigten Staaten wird während des größten Teils des Prognosezeitraums an bestehende Rechenzentren und Beschleuniger-Einsatzcluster gebunden bleiben.