Анализ размера и доли рынка MRAM — тенденции роста и прогнозы (2024–2029 гг.)

Мировой рынок магниторезистивной оперативной памяти (MRAM) сегментирован по типу (переключатель MRAM и MRAM с передачей спинового крутящего момента), применению (бытовая электроника, робототехника, автомобильная промышленность, корпоративные системы хранения данных, аэрокосмическая и оборонная промышленность) и географическому положению (Северная Америка, Европа, Азия). -Тихоокеанский регион, Латинская Америка, Ближний Восток и Африка). Размеры рынка и прогнозы представлены в стоимостном выражении (млн долларов США) для всех вышеперечисленных сегментов.

Объем рынка магниторезистивной оперативной памяти (MRAM)

Анализ рынка магниторезистивной оперативной памяти (MRAM)

Объем рынка MRAM оценивается в 2,01 миллиарда долларов США в 2024 году и, как ожидается, достигнет 22,58 миллиарда долларов США к 2029 году, а среднегодовой темп роста составит 62,12% в течение прогнозируемого периода (2024-2029 годы).

Растущее внедрение цифровизации в отрасли, технологический прогресс компьютерных технологий, Интернета вещей (IoT) и быстрое развитие умных роботов во всем мире, а также рост инвестиций в электронные устройства, такие как смартфоны, телевизоры, интеллектуальные носимые устройства, компьютеры и дроны. может повысить рыночный спрос в будущем.

  • Потребность в недорогой, малогабаритной и энергоэффективной технологии оперативной памяти выросла за последнее десятилетие в промышленных, коммерческих, автомобильных и оборонных системах из-за быстрого внедрения компьютеров. MRAM выдерживают высокое излучение, работают в экстремальных температурных условиях и устойчивы к несанкционированному вмешательству, что делает их пригодными для военного и промышленного применения.
  • Растущие инвестиции в исследования и разработки памяти с доступом для чтения следующего поколения могут открыть возможности для применения новых продуктов и стимулировать рост рынка.
  • Глобальное распространение смартфонов побудило производителей разработать усовершенствованную оперативную память, которая могла бы сократить время загрузки и увеличить объем памяти, обеспечивая высокую производительность. Число ключевых игроков на рынке выросло, сосредоточившись на разработке и массовом производстве MRAM как в автономном, так и встраиваемом исполнении, чтобы в будущем занять лидирующие позиции на рынке.
  • Несмотря на вспышку COVID-19, которая негативно повлияла на индустрию смартфонов, но стимулировала спрос на серверную и компьютерную память для работы дома, в 2020-2021 году ожидалось восстановление экономики. Благодаря таким важным мегатенденциям, как облачные вычисления, искусственный интеллект и Интернет вещей, рынок памяти за последнее десятилетие пережил необычайный рост.
  • По данным Intel, растущая потребность в виртуализированной инфраструктуре настольных компьютеров и виртуализированных решениях для хранения данных стимулирует спрос на ее продукты хранения и памяти в центрах обработки данных. Потребность в расширении и ускорении возможностей хранения и памяти для двух типов приложений выросла из-за растущей тенденции к работе на дому и более широкого использования цифровых ресурсов во время пандемии COVID-19.

Обзор отрасли магниторезистивной оперативной памяти (MRAM)

Рынок магниторезистивной оперативной памяти (MRAM) является конкурентным. Крупнейшие игроки, занимающие значительную долю рынка, сосредоточены на расширении своей клиентской базы за рубежом. Эти компании используют стратегические совместные инициативы для увеличения своей доли рынка и прибыльности. Однако благодаря технологическим достижениям и инновациям продуктов компании среднего и малого размера увеличивают свое присутствие на рынке, заключая новые контракты и осваивая новые рынки.

  • Январь 2022 г. — Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых полупроводниковых технологий, продемонстрировала первые в мире вычисления в оперативной памяти на основе MRAM (магниторезистивной оперативной памяти). Исследование было проведено Институтом передовых технологий Samsung (SAIT) в сотрудничестве с Центром исследований и разработок Samsung Electronics Foundry Business и Semiconductor. В соответствии с этим технологическим развитием Samsung стремится объединить память и системные полупроводники для чипов искусственного интеллекта (ИИ) следующего поколения, а также укрепить свои позиции на рынке.
  • Май 2022 г. — Everspin выпустила свой новый продукт — EMxxLX xSPI MRAM, энергонезависимую память для приложений в промышленном Интернете вещей и встроенных системах. Цель компании — предоставить своим клиентам альтернативу флэш-памяти SPI NOR/NAND, а также плотность памяти от 8 до 64 МБ и гораздо более высокую скорость чтения/записи данных — до 400 МБ/с.

Лидеры рынка магниторезистивной оперативной памяти (MRAM)

  1. Honeywell International Inc.

  2. Infineon Technologies AG

  3. Intel Corporation

  4. Avalanche Technology Inc.

  5. Samsung Electronics Co. Ltd

  6. *Отказ от ответственности: основные игроки отсортированы в произвольном порядке
Нужны дополнительные сведения о игроках и конкурентах на рынке?
Скачать образец

Новости рынка магниторезистивной оперативной памяти (MRAM)

  • Сентябрь 2022 г. — Avalanche Technology, поставщик технологии MRAM нового поколения, и United Microelectronics Corporation (UMC), производитель полупроводников, выпустили свои новые высоконадежные устройства памяти Persistent SRAM (P-SRAM) с использованием 22-нм технологического процесса UMC. Устройство памяти будет основано на новейшей технологии магниторезистивного ОЗУ с передачей крутящего момента (STT-MRAM) от Avalanche Technology и предложит своим клиентам значительные преимущества по плотности, надежности, выносливости и мощности по сравнению с существующими энергонезависимыми решениями.
  • Июль 2021 г. — Исследователи из IIT Delhi (Центр прикладных исследований в области электроники (CARE)) сотрудничали с Национальным университетом Сингапура (NUS) для достижения более высокой плотности интеграции в SOT-MRAM (магниторезистивное ОЗУ со спин-орбитальным моментом). По мнению исследователей, SOT-MRAM лучше, чем STT-MRAM, с точки зрения надежности и скорости записи, но не по высокой плотности интеграции.

Отчет о рынке магниторезистивной оперативной памяти (MRAM) – Содержание

1. ВВЕДЕНИЕ

  • 1.1 Допущения исследования и определение рынка
  • 1.2 Объем исследования

2. МЕТОДОЛОГИЯ ИССЛЕДОВАНИЯ

3. УПРАВЛЯЮЩЕЕ РЕЗЮМЕ

4. РЫНОЧНАЯ ИНФОРМАЦИЯ

  • 4.1 Обзор рынка
  • 4.2 Привлекательность отрасли: анализ пяти сил Портера
    • 4.2.1 Угроза новых участников
    • 4.2.2 Переговорная сила потребителей
    • 4.2.3 Рыночная власть поставщиков
    • 4.2.4 Угроза продуктов-заменителей
    • 4.2.5 Интенсивность конкурентного соперничества
  • 4.3 Анализ цепочки создания стоимости
  • 4.4 Оценка влияния COVID-19 на отрасль

5. ДИНАМИКА РЫНКА

  • 5.1 Драйверы рынка
    • 5.1.1 Растущий спрос на миниатюризацию электронных устройств
    • 5.1.2 Расширение использования MRAM в RFID-метках
  • 5.2 Проблемы рынка
    • 5.2.1 Высокая стоимость проектирования и проблемы с электромагнитным интерфейсом

6. СЕГМЕНТАЦИЯ РЫНКА

  • 6.1 Тип
    • 6.1.1 Переключить MRAM
    • 6.1.2 MRAM с передачей спина
  • 6.2 Предложение
    • 6.2.1 Автономный
    • 6.2.2 Встроенный
  • 6.3 Приложение
    • 6.3.1 Бытовая электроника
    • 6.3.2 Робототехника
    • 6.3.3 Корпоративное хранилище
    • 6.3.4 Автомобильная промышленность
    • 6.3.5 Аэрокосмическая и оборонная промышленность
    • 6.3.6 Другие приложения
  • 6.4 География
    • 6.4.1 Северная Америка
    • 6.4.2 Европа
    • 6.4.3 Азиатско-Тихоокеанский регион
    • 6.4.4 Латинская Америка
    • 6.4.5 Ближний Восток и Африка

7. КОНКУРЕНТНАЯ СРЕДА

  • 7.1 Профили компании
    • 7.1.1 Avalanche Technology Inc.
    • 7.1.2 NVE Corporation
    • 7.1.3 Qualcomm Incorporated
    • 7.1.4 Crocus Nano Electronics LLC
    • 7.1.5 Everspin Technologies Inc.
    • 7.1.6 HFC Semiconductor Corporation
    • 7.1.7 Tower Semiconductor
    • 7.1.8 Honeywell International Inc.
    • 7.1.9 Infineon Technologies AG
    • 7.1.10 Intel Corporation
    • 7.1.11 Samsung Electronics Co. Ltd
    • 7.1.12 Spin Transfer Technologies
    • 7.1.13 Numem

8. ИНВЕСТИЦИОННЫЙ АНАЛИЗ

9. БУДУЩЕЕ РЫНКА

**При наличии свободных мест
Вы можете приобрести части этого отчета. Проверьте цены для конкретных разделов
Получить разбивку цен прямо сейчас

Сегментация отрасли магниторезистивной оперативной памяти (MRAM)

Магниторезистивное ОЗУ (MRAM) — это энергонезависимый метод хранения битов данных в оперативной памяти с использованием магнитных состояний вместо электрических зарядов, который отличается от динамической оперативной памяти (DRAM) и статической оперативной памяти (SRAM). , поскольку они сохраняют данные только до тех пор, пока не будет подано питание.

Рынок магниторезистивной оперативной памяти (MRAM) сегментирован по типу (переключатель MRAM и MRAM с передачей вращательного момента), применению (бытовая электроника, робототехника, автомобилестроение, корпоративные системы хранения данных, аэрокосмическая и оборонная промышленность) и географическому положению.

Тип Переключить MRAM
MRAM с передачей спина
Предложение Автономный
Встроенный
Приложение Бытовая электроника
Робототехника
Корпоративное хранилище
Автомобильная промышленность
Аэрокосмическая и оборонная промышленность
Другие приложения
География Северная Америка
Европа
Азиатско-Тихоокеанский регион
Латинская Америка
Ближний Восток и Африка
Тип
Переключить MRAM
MRAM с передачей спина
Предложение
Автономный
Встроенный
Приложение
Бытовая электроника
Робототехника
Корпоративное хранилище
Автомобильная промышленность
Аэрокосмическая и оборонная промышленность
Другие приложения
География
Северная Америка
Европа
Азиатско-Тихоокеанский регион
Латинская Америка
Ближний Восток и Африка
Нужен другой регион или сегмент?
Настроить сейчас

Часто задаваемые вопросы по исследованию рынка магниторезистивной оперативной памяти (MRAM)

Насколько велик рынок MRAM?

Ожидается, что объем рынка MRAM достигнет 2,01 миллиарда долларов США в 2024 году, а среднегодовой темп роста составит 62,12% и достигнет 22,58 миллиарда долларов США к 2029 году.

Каков текущий размер рынка MRAM?

Ожидается, что в 2024 году объем рынка MRAM достигнет 2,01 миллиарда долларов США.

Кто являются ключевыми игроками на рынке MRAM?

Honeywell International Inc., Infineon Technologies AG, Intel Corporation, Avalanche Technology Inc., Samsung Electronics Co. Ltd — основные компании, работающие на рынке MRAM.

Какой регион на рынке MRAM является наиболее быстрорастущим?

По оценкам, Азиатско-Тихоокеанский регион будет расти с самым высоким среднегодовым темпом роста за прогнозируемый период (2024-2029 гг.).

Какой регион имеет наибольшую долю на рынке MRAM?

В 2024 году наибольшая доля рынка MRAM будет приходиться на Северную Америку.

Какие годы охватывает рынок MRAM и каков был размер рынка в 2023 году?

В 2023 году объем рынка MRAM оценивался в 1,24 миллиарда долларов США. В отчете рассматривается исторический размер рынка MRAM за годы 2019, 2020, 2021, 2022 и 2023 годы. В отчете также прогнозируется размер рынка MRAM на годы 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 и 2029 годы.

Последнее обновление страницы: Ноябрь 29, 2023

Отраслевой отчет MRAM

Статистические данные о доле рынка MRAM, размере и темпах роста доходов в 2024 году, предоставленные Mordor Intelligence™ Industry Reports. Анализ MRAM включает прогноз рынка до 2029 года и исторический обзор. Получите образец этого отраслевого анализа в виде бесплатного отчета в формате PDF, который можно загрузить.

Глобальный Рынок MRAM