Semiconductor de potencia de carburo de silicio Cuotas de Mercado.

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Cuotas de Mercado. de Semiconductor de potencia de carburo de silicio Industria

El mercado de semiconductores de potencia de carburo de silicio es muy competitivo. Está formado por varios actores importantes, incluidos Infineon Technologies AG, Texas Instruments Inc., ST Microelectronics NV, Hitachi Power Semiconductor Device Ltd, NXP Semiconductor, Fuji Electric Co. Ltd, Semikron International GmbH, Cree Inc., ON Semiconductor Corporation, Mitsubishi Electric. Corporación y otros. Estas empresas están introduciendo nuevos productos, asociaciones y adquisiciones para aumentar su participación de mercado

  • Junio ​​de 2021 Hitachi, una empresa japonesa de electrónica, anunció planes para ampliar su presencia actual en Hillsboro mediante la construcción de un gran laboratorio de investigación de semiconductores para cooperar con clientes fabricantes en los Estados Unidos para crear nuevas tecnologías.
  • Abril de 2021 Infineon Technologies AG lanzó un nuevo módulo EasyPACK 2B para su línea de productos de 1200 V. El módulo ofrece una topología de NPC activo (ANPC) de tres niveles, que incluye MOSFET CoolSiC, dispositivos TRENCHSTOP IGBT7, sensor de temperatura NTC y pines de tecnología de contacto PressFIT.

Líderes del mercado de semiconductores de potencia de carburo de silicio

  1. Infineon technologies AG

  2. Texas instruments Inc.

  3. STMicroelectronics NV

  4. NXP semiconductor

  5. ON Semiconductor Corporation

*Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial

Infineon Technologies AG, Texas Instruments Inc., ST Microelectronics NV, semiconductores NXP, ON Semiconductor Corporation.

Semiconductor de potencia de carburo de silicio Panorama de los reportes

Análisis de participación y tamaño del mercado de semiconductores de potencia de carburo de silicio tendencias y pronósticos de crecimiento (2024-2029)