Volumen del mercado de Dispositivos 3D TSV Industria
| Período de Estudio | 2019 - 2029 |
| Año Base Para Estimación | 2023 |
| CAGR | 6.20 % |
| Mercado de Crecimiento Más Rápido | Asia Pacífico |
| Mercado Más Grande | América del norte |
| Concentración del Mercado | Bajo |
Jugadores Principales
*Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial |
¿Necesita un informe que refleje la manera en la que el COVID-19 ha impactado en este mercado y su crecimiento?
Análisis de mercado de dispositivos 3D TSV
El mercado de dispositivos 3D TSV registró una tasa compuesta anual del 6,2% durante el período previsto 2021-2026. Para ahorrar espacio en el paquete, especialmente para productos de próxima generación, y para satisfacer la demanda de las aplicaciones informáticas de vanguardia, que requieren un tiempo de reacción más corto y diferentes Los fabricantes de semiconductores de estructuras utilizan cada vez más técnicas de silicio vía (TSV) para el apilamiento de chips
- La creciente demanda de miniaturización de dispositivos electrónicos impulsa el crecimiento del mercado 3D TSV. Estos productos se pueden lograr mediante la integración de heterosistemas, lo que puede brindar un empaque avanzado más confiable. Con sensores MEMS extremadamente pequeños y componentes electrónicos 3D, se pueden colocar sensores prácticamente en cualquier lugar y monitorear equipos en entornos hostiles, en tiempo real, para ayudar a aumentar la confiabilidad y el tiempo de actividad.
- 3D TSV en memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) que almacena cada bit de datos en un pequeño condensador separado dentro de un circuito integrado impulsa el crecimiento del mercado 3D TSV. La DRAM 3D de Micron con DRAM rediseñada logra mejoras significativas en potencia y sincronización, lo que ayuda a desarrollar modelado térmico avanzado.
- Se espera que el reciente brote de COVID-19 cree desequilibrios significativos en la cadena de suministro del mercado estudiado, ya que Asia-Pacífico, particularmente China, es uno de los principales influyentes del mercado estudiado. Además, muchos de los gobiernos locales de Asia y el Pacífico han invertido en la industria de semiconductores en un programa a largo plazo, por lo que se espera que recuperen el crecimiento del mercado. Por ejemplo, el gobierno chino recaudó entre 23 y 30 mil millones de dólares para pagar la segunda fase de su Fondo Nacional de Inversión en CI 2030.
- Sin embargo, los problemas térmicos causados por un alto nivel de incorporación son un factor desafiante para el crecimiento del mercado 3D TSV. Dado que la vía de silicio (TSV) proporciona la conexión clave en la integración de circuitos integrados 3D, la diferencia del coeficiente de expansión térmica (CTE) entre el silicio y el cobre es más de 10 ppm/K, lo que proporciona tensión térmica cuando se aplica una carga térmica.
