Markt-Trends von RF GaN Industrie
Starke Nachfrage aus dem Telekommunikationsinfrastruktursegment aufgrund von Fortschritten bei der 5G-Implementierung
- Als Haupttreiber der globalen Digitalisierung und als Branche, in der sich das Marktumfeld umfassend verändert, gilt die Telekommunikationsbranche als Hauptnutzer digitaler Transformationstechnologien. Die Investitionen der Telekommunikationsbranche in Interoperabilität und Technologie haben einen Paradigmenwechsel im Kapital- und Informationsfluss in der gesamten Weltwirtschaft ermöglicht und die Bausteine für die Entstehung völlig neuer Geschäftsmodelle in der gesamten Branche bereitgestellt.
- Es wird erwartet, dass die 5G-Technologie den Bereich verschiedener Breitbanddienste revolutionieren und die Konnektivität über verschiedene Endbenutzervertikalen hinweg ermöglichen wird. Die wichtigsten Faktoren, die den Marktanteil von GaN steigern, sind steigende Mobilfunkabonnements, das Streaming von Online-Videoinhalten, die 5G-Infrastruktur und verschiedene IoT-Anwendungen, die 5G nutzen. Es wird erwartet, dass 5G verschiedene Dienste und damit verbundene Dienstanforderungen in mehreren Szenarien unterstützen wird.
- Derzeit wird die Zahl der 5G-Mobilfunkabonnements auf 0,42 Millionen geschätzt, und es wird erwartet, dass sie bis 2022 400 Millionen Abonnements erreichen wird. Angesichts des erheblichen Wachstums bei der Einführung der 5G-Technologie weltweit wird erwartet, dass die Nachfrage nach RF-GaN-Technologie steigen wird.
- Im Mai 2022 gaben STMicroelectronics (ST) und MACOM Technology Solutions Holdings (MACOM), ein Anbieter von Halbleiterprodukten für die Telekommunikations-, Industrie-, Verteidigungs- und Rechenzentrumsindustrie, die Produktion von RF GaN auf Silizium (RF Gan-on-Si) bekannt ) Prototypen. Mit diesem Erfolg werden ST und MACOM weiterhin zusammenarbeiten und ihre Beziehung ausbauen. Die von ST und MACOM entwickelte GaN-on-Si-Technologie wird voraussichtlich eine wettbewerbsfähige Leistung und erhebliche Skaleneffekte bieten, die durch die Integration in Standard-Halbleiterprozessabläufe ermöglicht werden.
- Qorvo ist einer der Anbieter von HF-Lösungen für die Hersteller von 2G-, 3G- und 4G-Basisstationen. Es ist auf dem Markt einzigartig positioniert, um die Entwicklung der drahtlosen Infrastruktur unter 6 GHz und cmWave/mmWave zu unterstützen. Qorvo hat in Produktlösungen investiert, die relevante 5G-Bänder wie 3,5, 4,8 und 28 und 39 GHz abdecken, um den Markt zu bedienen, vor allem um 5G zu ermöglichen.
- Der Bedarf an dichten, kleinen Antennenarrays in der 5G-Infrastruktur führt zu großen Herausforderungen beim Energie- und Wärmemanagement in Hochfrequenzsystemen (RF). Mit ihrer verbesserten Breitbandleistung, Effizienz und Leistungsdichte bieten GaN-Geräte das Potenzial für kompaktere Lösungen, die diese Herausforderungen meistern können.
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Für den asiatisch-pazifischen Raum wird ein deutliches Wachstum erwartet
- Die diskrete Halbleiterindustrie im asiatisch-pazifischen Raum wird von China, Japan, Taiwan und Südkorea vorangetrieben und macht rund 65 % des globalen Marktes für diskrete Halbleiter aus. Im Gegensatz dazu tragen andere Länder wie Vietnam, Thailand, Malaysia und Singapur zur Marktbeherrschung der Region bei.
- Nach Angaben der Electronics and Semiconductors Association of India würde der indische Markt für Halbleiterkomponenten eine jährliche Wachstumsrate von 10,1 % (2018–2025) verzeichnen und bis 2025 32,35 Milliarden US-Dollar erreichen. Das Land ist ein wichtiges Ziel für globale Forschungs- und Entwicklungszentren. Daher wird erwartet, dass die laufende Make in India-Initiative der indischen Regierung zu erheblichen Investitionen in den Halbleitermarkt führen wird. Solche Initiativen der indischen Regierung werden den RF-GaN-Markt stärken.
- Im Februar 2022 gab Navitas Semiconductor, ein Anbieter von integrierten GaN-Schaltkreisen (ICs), seine Teilnahme an der Investorenkonferenz der China International Capital Corporation Limited (CICC) bekannt. Der proprietäre GaN-Leistungs-IC des Unternehmens integriert GaN-Leistung und GaN-Ansteuerung, -Steuerung und -Schutz in einem einzigen SMT-Gehäuse. Eine solche Beteiligung wird den GaN-Markt in der Region stärken.
- Es wird erwartet, dass die Nachfrage nach RF-GaN in der gesamten APAC-Region aufgrund des wachsenden Interesses der Investoren an der Entwicklung einer Infrastruktur zur Unterstützung der 5G-Technologie steigen wird. Laut GSMA wird der asiatisch-pazifische Mobilfunkbetreiber beispielsweise bis 2025 voraussichtlich mehr als 400 Milliarden US-Dollar ausgeben, davon 331 Milliarden US-Dollar für den 5G-Einsatz.
- Das Wachstum von RF-GaN-Unternehmen in China ist Teil eines umfassenderen Trends, da sich das Land von einer produktionsorientierten zu einer innovationsgetriebenen Wirtschaft wandelt. Der chinesische Markt erlebt eine explodierende Nachfrage nach kommerziellen drahtlosen Telekommunikationsanwendungen und chinesische Unternehmen entwickeln bereits Telekommunikationsnetze der nächsten Generation.
- Darüber hinaus entwickelten Forscher des IIT Kanpur in Indien im Dezember 2021 ein leistungsstarkes, branchenübliches Modell eines Aluminium-GaN-Transistors (AlGaN) mit hoher Elektronenmobilität (HEMT). Dieses Modell bietet eine einfache Entwurfsmethode, die zur Herstellung von Hochleistungs-HF-Schaltkreisen verwendet werden kann. Zu den HF-Schaltkreisen gehören Verstärker und Schalter, die bei drahtlosen Übertragungen verwendet werden und in Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungsanwendungen nützlich sind. Ständige Innovationen der Forscher werden das Marktwachstum von RF GaN in der Region vorantreiben.
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