Marktanteil von RF GaN Industrie
Der Wettbewerb zwischen den Akteuren auf dem RF-GaN-Markt ist aufgrund der Präsenz einiger wichtiger Akteure wie Raytheon Technologies und STM Microelectronics hoch. Ihre Fähigkeit, ihre Angebote kontinuierlich zu erneuern, hat es ihnen ermöglicht, sich einen Wettbewerbsvorteil gegenüber anderen Marktteilnehmern zu verschaffen. Durch Forschung und Entwicklung, strategische Partnerschaften sowie Fusionen und Übernahmen konnten diese Akteure auf dem Markt stark Fuß fassen
Im Juni 2022 wurde Qorvo, ein führender Anbieter innovativer HF-Lösungen, die die Welt verbinden, vom US-Verteidigungsministerium (DoD) ausgewählt, um mit dem Advanced Integration Interconnection and Fabrication Growth for Domestic State-of-the-Art (SOTA) fortzufahren ) RF GaN-Programm, auch bekannt als STARRY NITE, als Teil der Mikroelektronik-Roadmap des Office of Undersecretary of Defense Research Engineering (OUSD RE). Ziel des Programms ist die Entwicklung und Weiterentwicklung inländischer, offener SOTA-RF-GaN-Foundries im Einklang mit dem fortschrittlichen Verpackungsökosystem des Verteidigungsministeriums
Im Mai 2022 gaben STMicroelectronics und MACOM Technology Solutions Holdings Inc., ein bedeutender Anbieter von Halbleiterprodukten für die Industrie-, Telekommunikations-, Verteidigungs- und Rechenzentrumsindustrie, die erfolgreiche Produktion von RF Gan on Silicon (RF Gan-on-Si)-Prototypen bekannt. Mit diesem Erfolg würden ST und MACOM weiterhin zusammenarbeiten und ihre Beziehung stärken
Marktführer für Hochfrequenz-Galliumnitrid
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Mitsubishi Electric Corporation
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STMicroelectronics NV
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Qorvo Inc.
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Analog Devices Inc.
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Raytheon Technologies
*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
