Markt-Trends von Speicherverpackung Industrie
Es wird geschätzt, dass DRAM einen erheblichen Anteil hält
- Der untersuchte Markt verzeichnet eine Nachfrage aus der Mobil- und Computerbranche (hauptsächlich Server). Im Durchschnitt soll sich die DRAM-Speicherkapazität pro Smartphone bis 2022 mehr als verdreifachen und etwa 6 GB erreichen.
- Kürzlich kündigte Samsung Electronics Co. Ltd, einer der dominierenden Akteure auf dem untersuchten Markt, die Massenproduktion des neuen Speicherpakets für High-End-Smartphones an, das durch die Kombination von DRAM und eMMC Platz sparen könnte.
- Für mobile Anwendungen wird erwartet, dass die Speicherverpackung größtenteils auf der Wire-Bond-Plattform verbleibt. Allerdings wird es schon bald einen Übergang zum Multi-Chip-Paket (ePoP) für High-End-Smartphones geben. Aufgrund der Verbesserung der Unternehmensarchitektur und des Cloud Computing wird erwartet, dass die DRAM-Verpackung für Computer im Prognosezeitraum ein deutliches Wachstum verzeichnen wird.
- Die HBM2-Technologie von Samsung besteht aus acht 8-Gbit-DRAM-Chips, die über 5.000 TSVs gestapelt und verbunden sind. Vor kurzem hat das Unternehmen außerdem eine neue HBM-Version auf den Markt gebracht, die 12 DRAM-Chips stapelt, die über 60.000 TSVs verbunden sind und sich ideal für datenintensive Anwendungen wie KI und HPC eignen.
- Die DRAM-Speicherkapazität pro Smartphone ist gestiegen, da neue Geräte mindestens 4 GB Speicherplatz bieten und bis 2020 voraussichtlich mindestens 6 GB bis 8 GB Speicherplatz erreichen werden, während die NAND-Kapazität pro Smartphone inzwischen auf mehr als 64 GB gestiegen ist und dies auch ist Bis 2020 soll die DRAM-Kapazität pro Einheit voraussichtlich auf über 150 GB steigen. Bei Servern soll die DRAM-Kapazität pro Einheit bis 2020 auf etwa 1 TB ansteigen, und die NAND-Kapazität für jede SSD für den Unternehmensmarkt wird bis Ende voraussichtlich eine Kapazität von mehr als 5 TB erreichen des Prognosezeitraums
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Automobilindustrie hält bedeutenden Anteil
- Der Automobilmarkt, der Speicher mit geringer Dichte (Low-MB) verwendet, könnte eine zunehmende Akzeptanz von DRAM-Speichern beobachten, angeführt durch den wachsenden Trend zum autonomen Fahren und Infotainment im Fahrzeug. Es wird erwartet, dass der Markt für NOR-Flash-Speicherverpackungen aufgrund seiner Anwendung in neuen Bereichen wie Touch-Display-Treiber-ICs, AMOLED-Displays und industriellen IoTs ebenfalls wachsen wird.
- Im Rahmen der Wachstumsstrategie gehen zahlreiche OSAT-Akteure strategische Allianzen mit Speicherchip-Herstellern ein und regionale Akteure gehen Partnerschaften mit globalen Technologieanbietern ein, um ihre Marktreichweite zu erhöhen.
- Die am Markt tätigen Hersteller erweitern ihre Produktionsanlagen. Beispielsweise erweitert SK Hynix Inc. seine Kapazitäten für Halbleiterverpackungs- und Inspektionsanlagen in Südkorea. Von solchen Entwicklungen wird erwartet, dass sie dazu beitragen, den bestehenden Akteuren mehr Chancen zu bieten und den Vorsprung der Wettbewerber auf dem untersuchten Markt zu verringern.
- Die eingeführten Innovationen in der Verpackungstechnologie stehen im Zusammenhang mit der Zunahme der Funktionsdichte großer System-on-Chip-Lösungen (SoC). Es wird jedoch erwartet, dass die strengen Zuverlässigkeitsanforderungen im Automobilumfeld und die sich verändernde Landschaft der OSAT-Branche das Wachstum des untersuchten Marktes im Prognosezeitraum behindern.
- In jüngster Zeit hat der Einsatz von Si-basierter Sensortechnologie für eine Vielzahl von Anwendungen zugenommen, darunter biometrische Sensoren, CMOS-Bildsensoren und MEMS-Sensoren wie Beschleunigungsmesser. Sensorgeräte werden zunehmend in tragbare Geräte wie Mobiltelefone und PDAs integriert. In diesen Anwendungen sind geringe Größe, niedrige Kosten und einfache Integration von entscheidender Bedeutung, um diese Sensortechnologie erfolgreich zu integrieren.
- Im Allgemeinen bevorzugen OEMs ein Plug-and-Play-Modul oder ein komplettes Subsystem, was ebenfalls ein Faktor ist, der den Speicherchip-Markt unterstützt und wiederum die Nachfrage nach Speichergehäusen für erweiterte technologische Anwendungen ankurbelt.
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