Dynamischer Direktzugriffsspeicher (DRAM) Marktanteil

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Marktanteil von Dynamischer Direktzugriffsspeicher (DRAM) Industrie

Der Markt für dynamische Direktzugriffsspeicher (DRAM) ist mäßig konsolidiert, wobei die wichtigsten Marktteilnehmer wie Samsung Electronics, SK Hynix und Micron im Geschäftsjahr 2022 einen Marktanteil von mehr als 80 % halten. Geografische Expansion und Produktinnovation spielen eine Rolle eine entscheidende Rolle in der Wettbewerbsstrategie der Marktteilnehmer. Im Einklang mit der zunehmenden Zahl von Rechenzentrums-, Mobil- und Verbraucheranwendungen, die eine höhere Geschwindigkeit und Leistung erfordern, benötigen Anbieter verbesserte Fertigungs- und Verarbeitungsfähigkeiten

Die führenden Anbieter auf dem DRAM-Markt investieren stark in die nächste Generation von Chips wie 24 GB, DDR5 und HBM und sind in die nächste Phase der Herstellung von FRAMs für KI und 5G eingetreten. Dies hilft ihnen, der Konkurrenz einen Schritt voraus zu sein, bedeutet aber auch, dass sie in der Lage sein müssen, ihre Forschung und Entwicklung zu finanzieren

  • September 2023 – Samsung Electronics hat kürzlich den bahnbrechenden Formfaktor Low Power Compression Attached Memory Module (LPCAMM) vorgestellt und damit einen bedeutenden Durchbruch auf dem DRAM-Markt für Personalcomputer, Laptops und potenzielle Rechenzentren markiert. Diese hochmoderne Entwicklung mit einer bemerkenswerten Geschwindigkeit von 7,5 Gigabit pro Sekunde (Gbit/s) wurde erfolgreich einer strengen Systemüberprüfung auf der Intel-Plattform unterzogen.
  • Juni 2023 – Micron Technology Inc. hat seine Absicht bekannt gegeben, eine neue Montage- und Testanlage in Gujarat, Indien, zu errichten. Die Anlage dient der Herstellung von DRAM- und NAND-Produkten und bedient sowohl nationale als auch internationale Märkte. Der Bau der neuen Anlage soll im Jahr 2023 beginnen und in Etappen erfolgen. Die erste Phase wird 500.000 Quadratmeter Reinraumfläche umfassen und voraussichtlich Ende 2024 in Betrieb gehen.

Marktführer für dynamische Direktzugriffsspeicher (DRAM).

  1. Samsung Electronics Co. Ltd.

  2. Micron Technology Inc.

  3. SK Hynix Inc.

  4. Nanya Technology Corporation

  5. Winbond Electronics Corporation

*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert

Marktkonzentration für dynamische Direktzugriffsspeicher (DRAM).

DRAM-Marktgrößen- und Anteilsanalyse – Wachstumstrends und -prognosen (2024 – 2029)