スピントロニクス 市場規模

スピントロニクス市場分析

スピントロニクス市場規模は36.43%年に14億9,000万米ドルと推定され、2029年までに70億3,000万米ドルに達すると予測されており、予測期間（2024年から2029年）中に36.43％のCAGRで成長します

スピントロニクス市場は初期段階にあり、その大部分は依然として研究と技術革新に大きく依存しています。さらに、新型コロナウイルス感染症の初期段階では、全土的なロックダウンや世界中の工場閉鎖により、市場の供給側も影響を受けました。ただし、データセンターやクラウド コンピューティングなどの業界で需要と採用が大幅に増加したため、このシナリオでは調査対象の市場の範囲が拡大しました

• スピントロニクス技術の最新の進歩は、垂直磁気異方性を備えたナノメートルの薄膜構造に基づいており、スピン流を利用して磁性層の磁化に変化を生じさせる。この効果はスピン軌道トルク (SOT) と呼ばれ、交互の磁性金属または非磁性金属で構成される多層スタックを設計することで改善できます。これらのシステムは、次世代の磁気抵抗ランダム アクセス メモリ (MRAM) デバイスで利用される、スピン軌道トルク磁化スイッチングに使用される重要な要素です。
• たとえば、IMDEA NanocienciaのPaolo Perna博士率いるSpinOrbitronics研究チームは、対称Pt/Co/Pt三層構造のPtとCoの間に極薄Cu中間層を挿入すると、界面で可能になるスピン軌道トルクの増加が現れることを観察した。 SOT の改善にはスピンホール磁気抵抗の減少が伴います。これは、Cu/Pt および Co/Cu 界面におけるスピン記憶損失効果が SOT の向上とスピンホール磁気抵抗の減少の両方に関与していることを示しています。
• 近年、スピントロニクスは、この分野の多くの主要企業（サムスン、インテル、TSMC、グローバルファウンドリーズ）による新しいタイプの磁気メモリであるMRAM（磁気ランダムアクセス）の工業生産の開始により、マイクロエレクトロニクス市場で勢いを増しています。メモリ）。長距離にわたる電子の変位を制御するために包括的な実験的努力がなされてきたが、移動後の電子スピンのコヒーレンスを維持することは依然として困難である。個々の電子スピンは 5 μm の距離にわたってコヒーレントに移動する可能性があるため、長距離にわたって電子のスピンを制御することは業界にとって困難でした。スピントロニクス技術と統合された製品は、電気自動車、MRAM、産業用モーター、データストレージなど、このレポートの範囲内で説明するエンドユーザーに応用されています。
• 過去数年間、スピントロニクス技術は、従来のストレージデバイスと比較してよりアクティブなデータ送信機能とストレージ容量の増加により、データストレージデバイスにも広く導入されてきました。
• 現在、磁気トンネル接合などのスピントロニクスデバイスは、低い動作温度や材料選択における厳しい制約などの制限を受けています。これらの限界を克服するために、EURAMET などの組織による新しい研究開発活動が市場で目撃されました。実際、スピントロニクス技術は、磁気記憶装置の主要な要素と高度な半導体マイクロエレクトロニクスまたはナノエレクトロニクスを単一チップに統合できます。