絶縁ゲートバイポーラトランジスタ マーケットシェア

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マーケットシェア の 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ 産業

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ市場は、大小さまざまなプレーヤーが国内外市場で活動しているため、競争は緩やかである。同市場のプレーヤーは、製品ポートフォリオを拡大し、地理的範囲を広げるために、製品革新、MA、戦略的パートナーシップなどの主要戦略を採用している。市場参入企業には、ルネサス エレクトロニクス、Infineon Technologies AG、富士電機などがある。Ltd.などである

2022年8月、ルネサスエレクトロニクスは、EVの中核となるパワーエレクトロニクスの改善に向け、新世代の小型高電圧IGBTを発表した。これらのデバイスの定格電流は最大300Aで、最大1,200Vの電圧に耐えることができる。自動車メーカーは、同社のAE5シリーズのIGBTで電力を節約することにより、バッテリーの電力を節約し、EVの航続距離を伸ばすことができる

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ市場のリーダーたち

  1. Infineon Technologies AG

  2. Renesas Electronics Corporation​

  3. Texas Instruments Incorporated

  4. Analog Devices Inc.​

  5. Microchip Technology Inc.

*免責事項:主要選手の並び順不同

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ市場の集中度

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ レポートスナップショット

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの市場規模と市場規模株式分析 - 成長傾向と成長傾向予測 (2024 ～ 2029 年)