マーケットトレンド の アジア太平洋パワートランジスタ 産業
IGBTトランジスタが大きな市場シェアを占めると予想される
- 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）は、主に電子スイッチとして使用される3端子のパワー半導体デバイスである。正-負-正-負（P-N-P-N-）の4層からなり、金属-酸化膜-半導体（MOS）ゲート構造で制御される。この構造は、電源の混雑を緩和することで安定した電力供給を実現し、電力利用の最適化につながります。
- IGBTの広範な応用範囲により、いくつかの新しい企業が市場に参入している。IGBTは、炊飯器、電子レンジ、電気自動車、電車、可変周波数ドライブ（VFD）、可変速冷蔵庫、エアコン、ランプ安定器、自治体送電システム、ステレオシステムなど、スイッチング・アンプが装備された現代家電製品の電気エネルギーを活性化／変調します。
- 中高圧（>650V）IGBTソリューションは、大幅な需要増加が見込まれる。しかし、高電圧パワーエレクトロニクスでは、IGBTは主に自動車産業で使用されるワイドバンドギャップ（WBG）デバイスとの高い競争にさらされている。SiCやGaN材料のようなWBG技術の性能は、IGBTを含む既存のパワー・デバイスの市場シェアに影響を与える。
- しかし、IGBTはパワーエレクトロニクス産業における重要なアプリケーションのため、市場シェアを維持すると予想される。例えば、低中電圧（<650 V）IGBTディスクリート・ソリューションは、主にエネルギー効率向上の必要性から、エアコン、誘導ヒーター、グリッド、溶接、白物家電などの消費財産業からの需要が高い。
- さらに、市場ベンダー各社は、自動車分野の需要拡大に対応するため、IGBTトランジスタの開発に共同で取り組んでいる。例えば、2022年4月、株式会社デンソーはユナイテッドセミコンダクタージャパン株式会社との提携を発表した。例えば、2022年4月、株式会社デンソーはユナイテッドセミコンダクタジャパン株式会社との提携を発表し、USJCの300mmファブでパワー半導体を生産し、自動車分野での需要増に対応すると発表した。絶縁ゲートバイポーラトランジスタラインがUSJCのウェハ工場に設置され、300mmウェハでIGBTを生産する日本初の工場となる。
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