Emballage de mémoire Taille du Marché

Analyse du marché des emballages de mémoire

Le marché des emballages de mémoire était évalué à 23,61 milliards USD en 2020 et devrait atteindre une valeur de 32,43 milliards USD dici 2026, avec un TCAC de 5,5%, sur la période de prévision (2021-2026)

La récente épidémie de COVID-19 devrait créer des déséquilibres importants dans la chaîne dapprovisionnement du marché étudié, car lAsie-Pacifique, en particulier la Chine, est lun des principaux influenceurs du marché étudié. En outre, de nombreuses gouvernements locaux de la région Asie-Pacifique ont investi dans l'industrie des semi-conducteurs dans le cadre d'un programme à long terme et devraient donc retrouver la croissance du marché. Par exemple, le gouvernement chinois a levé environ 23 à 30 milliards de dollars de fonds pour financer la deuxième phase de son Fonds national dinvestissement en IC 2030. En raison de lincertitude quant au temps de reprise du marché après la pandémie, les impacts économiques sur plusieurs parties du pays le monde devrait en outre présenter des défis importants pour la croissance du marché des semi-conducteurs, affectant directement la disponibilité des matières premières critiques requises pour le marché mondial des emballages de mémoire avancés

• Les dispositifs de mémoire utilisaient une large gamme de technologies de conditionnement, notamment les puces retournées, les grilles de connexion, les liaisons filaires et les vias via silicium (TSV). Avec la diminution des dimensions et l'augmentation de la fonctionnalité de la puce, un plus grand nombre de connexions électriques doivent être établies avec le circuit externe.
• Cela a également conduit au développement des technologies demballage. Les flip-chips, TSV et WLCSP (wafer-level chip-scale packaging) sont des technologies prometteuses pour satisfaire une bande passante plus large, une vitesse plus rapide et un boîtier plus petit/plus fin. Des ajustements de programme compréhensibles, de faibles coûts d'ingénierie et des changements faciles alimentent la demande pour la plate-forme de conditionnement de mémoire filaire.
• De plus, en raison des modifications apportées à la conception du boîtier, la plate-forme de conditionnement de mémoire par liaison filaire continue d'être utilisée comme plate-forme d'interconnexion préférée en raison de sa flexibilité, de sa fiabilité et de son faible coût. Les flip-chips ont commencé à faire leur apparition dans le domaine de la mémoire DRAM en 2016 et devraient se développer en raison de leur adoption croissante dans les PC/serveurs DRAM, alimentée par des exigences élevées en matière de bande passante.
• Stimulé par les exigences de bande passante élevée et de faible latence des puces mémoire pour le calcul haute performance dans de nombreuses applications, le via silicium via (TSV) est utilisé dans les dispositifs de mémoire à bande passante élevée.