RAM resistiva Volumen del mercado

Análisis de mercado de memoria resistiva de acceso aleatorio (RAM)

Se espera que el mercado de RAM resistiva registre una tasa compuesta anual del 29,9% durante el período previsto. Se prevé que la RAM resistiva, una memoria no volátil, se hará con una cuota de mercado sustituyendo la memoria de acceso aleatorio estática y la memoria de acceso aleatorio dinámica. El reemplazo será posible gracias a los numerosos beneficios que brinda la memoria resistiva de acceso aleatorio, como una gran densidad de almacenamiento y empaquetado 3D, que permite coordinar y organizar capas de dispositivos de memoria en un solo chip, conmutación rápida para un rápido intercambio de información y uso menos energía por ciclo de conmutación. ReRAM también puede reemplazar la memoria flash utilizada en teléfonos móviles y otros dispositivos electrónicos de consumo como reproductores MP3

• Además, la creciente adopción de tecnología de sensores, como dispositivos portátiles y habilitados para IA en varias regiones del mundo, ha impulsado la demanda de transferencias de datos rápidas y una alta densidad de almacenamiento, lo que a su vez está brindando una tremenda oportunidad o posibilidad para el crecimiento. del mercado de memorias resistivas de acceso aleatorio a nivel mundial.
• Además, varias empresas de memorias están invirtiendo en tecnología ReRAM. Por ejemplo, en abril del año pasado, CrossBar Inc., un proveedor de tecnología de memoria no volátil, anunció nuevas aplicaciones de su tecnología ReRAM para su uso en almacenamiento y procesamiento seguros, donde la resistencia a la ingeniería inversa y los ataques físicos es un requisito esencial del sistema.. La tecnología de la empresa ahora se ofrece para su uso en aplicaciones de memoria que requieren niveles más altos de seguridad de contenido.
• La memoria resistiva de acceso aleatorio (ReRAM) está ganando terreno como alternativa a la memoria no volátil (NVM), particularmente en contextos de nube y centros de datos donde el rendimiento y la eficiencia energética mejoran constantemente. La tecnología ReRAM ha demostrado una latencia de lectura más baja y una versión de escritura más rápida que las memorias flash, al mismo tiempo que logra una energía de programa de 64 pJ/celda, lo que representa una mejora del 20 % con respecto a NAND, a medida que crece la demanda de datos por parte de los usuarios a través de servicios premium como la transmisión de video y de las máquinas. a través del Internet de las Cosas (IoT). Además, los arreglos ReRAM verticales 3D proporcionan subsistemas de memoria de alto rendimiento capaces de reemplazar los SSD estándar basados ​​en DRAM o flash en entornos de centros de datos, lo que permite un procesamiento, almacenamiento y recuperación de datos más rápidos en factores de forma significativamente más pequeños con un menor consumo de energía.
• Sin embargo, los crecientes costos de la memoria resistiva de acceso aleatorio y la complejidad de diversas aplicaciones tecnológicas se han convertido en desafíos cruciales que pueden obstaculizar el crecimiento del mercado durante el período previsto.
• Además, es probable que la pandemia de COVID-19 esté impidiendo el crecimiento general previsto del mercado, atribuido principalmente a la interrupción de la cadena de suministro, y varias empresas han sido testigos de una escasez de componentes como inductores y condensadores para la fabricación. Pero en los años siguientes, se espera que la innovación y la implementación de nuevos materiales impulsen la demanda de memoria resistiva de acceso aleatorio en diversos sectores verticales en todo el mundo.