Marktanteil von GaN-Halbleitergeräte Industrie
Der Markt für GaN-Halbleitergeräte ist von Natur aus wettbewerbsintensiv. Zu den bedeutenden Marktteilnehmern gehören Toshiba Electronic Devices Storage Corporation, GaN Systems, Infineon Technologies AG, Efficient Power Conversion Corporation, NXP Semiconductors und viele mehr. Die Unternehmen erhöhen ihren Marktanteil, indem sie mehrere Partnerschaften eingehen und in die Einführung neuer Produkte investieren, um sich im Prognosezeitraum einen Wettbewerbsvorteil zu verschaffen
Im Juli 2022 ging GaN Systems eine Partnerschaft mit PowerSphyr Advance ein, um umfassende drahtlose Stromversorgungslösungen bereitzustellen. Die Unternehmen gaben ihre Partnerschaft bekannt, um ein branchenweit einzigartiges Portfolio an durchgängigen drahtlosen Stromversorgungslösungen (30 Watt, 100 Watt und 500 Watt) für Industrie- und Automobilanwendungen weltweit bereitzustellen. Die Partnerschaft kombiniert die branchenführenden GaN-Halbleiter von GaN Systems mit der jahrelangen Erfahrung von PowerSphyr in der Energietechnologie. PowerSphyr implementiert beispielsweise die Leistungshalbleiter von GaN-Systemen zusätzlich zum Sender auch auf dem Empfänger der kabellosen Ladelösung. Die Kombination verändert die Spielregeln bei der Bereitstellung leistungsstarker, benutzerfreundlicher und vollständig kabelloser Ladelösungen
Im Juli 2022 arbeitete die Infineon Technologies AG mit Delta Electronics an WBG-basierten Server- und Gaming-PC-Stromversorgungslösungen zusammen, um überlegene Lösungen für Endkunden bereitzustellen. Zu den jüngsten Beispielen der Zusammenarbeit gehören Deltas 1,6-kW-Titanium-Gaming-Stromversorgungsplattform und ein 1,4-kW-Servernetzteil. Das 1,4-Kilowatt-Servernetzteil nutzt die CoolSiC-MOSFET-Technologie von Infineon Technology und Deltas jahrzehntelange Kernkompetenz in der Leistungselektronik, um einen Wirkungsgrad von 96 % zu erreichen. Ein weiteres Beispiel für höchste Effizienz ist die 1,6-kW-Gaming-Power-Plattform mit CoolGaN-Technologie von Infineon, ergänzt durch EiceDRIVER-Gate-Treiber-ICs. Dieses Design hat einen Wirkungsgrad von bis zu 96 % bei Weitbereichseingang und mehreren Ausgängen und erfüllt den Titanium-Standard im Industriebereich. Dieser 600-Volt-E-Mode-HEMT, adaptiert in einer verschachtelten Totem-Pole-PFC-Topologie, wird durch Infineons CoolGaN GIT ermöglicht
Marktführer bei Halbleiterbauelementen aus Galliumnitrid (GaN).
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GaN Systems
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Infineon Technologies AG
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Efficient Power Conversion Corporation
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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
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NXP Semiconductors
*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
