Marktgröße von Laser-Fotomaske Industrie
| Studienzeitraum | 2019 - 2029 |
| Basisjahr für die Schätzung | 2023 |
| CAGR | 2.00 % |
| Schnellstwachsender Markt | Asien-Pazifik |
| Größter Markt | Asien-Pazifik |
| Marktkonzentration | Mittel |
Hauptakteure
*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert |
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Marktanalyse für Laser-Fotomasken
Es wird erwartet, dass der Markt für Laserfotomasken im Prognosezeitraum (2021–2026) eine jährliche Wachstumsrate von über 2 % verzeichnen wird. Eine Fotomaske ist eine Quarzglasplatte, die mit einem Muster aus undurchsichtigen, transparenten und phasenverschiebenden Bereichen bedeckt ist, die im Lithographieprozess auf Wafer projiziert werden, um das Layout einer Schicht eines integrierten Schaltkreises zu definieren
- Da Transistoren immer kleiner werden, sind Fotomasken komplexer geworden, um das Muster genau auf Siliziumwafer zu übertragen. Der Prozess der Herstellung von Fotomasken ist entsprechend fortschrittlicher geworden, da selbst geringfügige Defekte in einer Fotomaske die Leistung des Siliziumbauelements beeinträchtigen können.
- Die Überprüfung, ob ein Fotomaskenmuster fehlerfrei ist, ist sehr wichtig, insbesondere im Fall von Chips mit hohen Umsätzen. Jeder Chip ist das Endprodukt im Halbleiterlithographieprozess, wobei ein integraler Bestandteil die optische Lithographie ist, die durch eine Lichtquelle ermöglicht wird. Die für diese Fotomasken verwendeten Lichtquellen sind Lichtquellen im tiefen Ultraviolett (DUV) und extremen Ultraviolett (EUV).
- Angesichts der wachsenden Nachfrage nach Halbleitern mit noch höherer Leistung für Anwendungen wie Big-Data-Analyse, künstliche Intelligenz und die Kommerzialisierung der Technologie für selbstfahrende Autos erregt die EUV-Exposition als Halbleiterfertigungstechnologie der nächsten Generation zunehmend Aufmerksamkeit. Dieser Trend hat die Produktion effektiver Fotomasken erheblich vorangetrieben. Toppan entwickelte 2016 eine EUV-Fotomaske der nächsten Generation für hochmoderne Halbleiter. Die neue Fotomaske minimiert unerwünschte Lichtreflexionen an Randbereichen während der EUV-Belichtung und entwickelt sich zu einer Halbleiterfertigungstechnologie der nächsten Generation.
