Taille et part du marché des pellicules EUV - Analyse de la croissance et prévisions (2026 - 2031)

Tendances et perspectives du marché mondial des pellicules EUV

Expansion de la lithographie EUV dans la production à 5 nm, 3 nm et 2 nm

Chaque nœud logique successif nécessite davantage d'étapes de lithographie EUV que son prédécesseur, ce qui augmente les besoins d'utilisation récurrente sur le marché des pellicules EUV. Cela crée une augmentation directe de l'activité d'exposition et de l'utilisation des pellicules par tranche dans la production logique, ce qui confère au marché des pellicules EUV une base de demande. Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited a mis en production sa technologie 2 nm au T4 2025 avec des transistors à feuille de nanosheet qui nécessitent un contrôle de superposition plus précis que la production FinFET à 3 nm. La technologie A16 de l'entreprise est prête pour la production au 2S 2026 et est destinée aux applications de calcul haute performance et d'intelligence artificielle. Les équipements 5 nm existants peuvent également être adaptés pour ajouter une capacité à 3 nm sur un cycle de 6 à 12 mois, ce qui crée une demande supplémentaire car le nouveau procédé utilise davantage d'étapes de lithographie EUV et des tolérances de procédé plus strictes. L'installation de Samsung à Taylor, au Texas, qui cible la production à nœuds avancés, ajoute un emplacement nord-américain pour cette demande.

Demande croissante en intelligence artificielle, calcul haute performance et logique avancée

L'infrastructure d'intelligence artificielle soutient un investissement soutenu dans les capacités de semi-conducteurs de pointe et favorise une utilisation plus régulière sur l'ensemble du marché des pellicules EUV. Les processeurs avancés ont une valeur élevée par tranche, ce qui accroît l'importance d'éviter les interruptions causées par la contamination des masques et rend la protection par pellicule éprouvée plus pertinente sur le plan opérationnel pour les fabs à haut débit. ASML a indiqué dans ses résultats du T2 2026 qu'il étend sa capacité EUV pour 2027 en réponse à la demande liée à l'infrastructure d'intelligence artificielle. Cette demande provient de clients tels que TSMC, Samsung et Intel, dont les plans de capacité à nœuds avancés influencent le marché des pellicules EUV dans l'ensemble de la chaîne d'approvisionnement en matériaux. Elle soutient l'utilisation continue des matériaux de membrane établis pendant que les nouveaux matériaux à nanotubes de carbone (CNT) progressent dans le processus de qualification. Elle donne également aux fournisseurs de pellicules une incitation à améliorer leur productivité, car une disponibilité accrue des scanners peut se traduire par une production plus importante de puces avancées.

Adoption du High-NA EUV nécessitant des pellicules à plus haute transmittance

La lithographie EUV à haute ouverture numérique, ou High-NA, fonctionne à une ouverture numérique de 0,55 plutôt que de 0,33 pour les systèmes EUV conventionnels. Cela crée une transition technique distincte pour le marché des pellicules EUV. ASML indique que son EXE:5200B peut imprimer des motifs 1,7 fois plus fins que les outils EUV actuels et atteindre des densités de transistors 2,9 fois plus élevées. Cela accroît les exigences en matière de résistance thermique, de stabilité mécanique et de transmittance des pellicules, car les feuilles de route de puissance de source passent de la plage de 380 W vers 600 W et éventuellement 1 000 W. Des recherches présentées via SPIE ont décrit le défi du développement de pellicules capables de supporter une puissance de source EUV de 1 000 W. Les membranes CNT ont démontré une transmittance de 95 % à 98 %, limitant l'augmentation de dose à 4 % à 9 %, et peuvent résister à des températures supérieures à 1 500 °C dans les résultats d'exposition rapportés. Le marché des pellicules EUV favorise donc les fournisseurs capables de convertir les performances en laboratoire en matériaux de production qualifiés et reproductibles.

Puissance de source EUV plus élevée augmentant les besoins de remplacement des pellicules

Une puissance de source plus élevée impose des exigences thermiques supplémentaires sur le marché des pellicules EUV ainsi que des contraintes thermiques et chimiques accrues sur les membranes de pellicules lors de cycles d'exposition prolongés dans des environnements à plasma d'hydrogène. La nécessité de préserver la transmission optique devient plus importante à mesure que la production des scanners augmente, car une perte de transmittance peut accroître les besoins en dose et affecter la productivité des scanners. Les pellicules composites à base de silicium peuvent fonctionner dans des applications low-NA établies, mais une puissance plus élevée nécessite des marges de performance plus importantes. Les pellicules CNT sont développées pour répondre à ce besoin car leur structure matérielle peut combiner une haute transmittance avec une résilience thermique. Mitsui Chemicals, Inc. a établi des installations de pellicules CNT à Iwakuni-Ohtake Works avec une compatibilité prévue pour des puissances de source EUV supérieures à 1 kW^{[1]Mitsui Chemicals, Inc. « Mitsui Chemicals met en place des installations de production pour les pellicules CNT destinées à la lithographie EUV de nouvelle génération », Communiqué de presse, mitsuichemicals.com}. Des conditions de puissance de source plus exigeantes peuvent également raccourcir la durée de vie effective des pellicules, soutenant la demande de remplacement lorsque les produits achèvent leur qualification.

Qualification stricte en matière de défectivité, de durée de vie et d'uniformité

Les pellicules EUV font face à un processus de qualification exigeant qui régit l'entrée sur le marché des pellicules EUV, ce qui limite la vitesse d'entrée des fournisseurs. Les membranes d'une épaisseur de 30 à 50 nm doivent maintenir une uniformité de transmittance dans une demi-plage de 0,4 % sur une surface de 110 mm × 144 mm. Elles doivent également survivre à 20 000 expositions de tranches ou plus dans des conditions de plasma d'hydrogène. L'exposition à l'hydrogène peut progressivement réduire la transmission optique et fragiliser la membrane après des milliers d'expositions, ce qui fait de la prédiction de durée de vie une exigence d'ingénierie critique pour la production. Le défi affecte à la fois les matériaux CNT et à base de silicium, comme l'ont montré les travaux de durabilité sur les pellicules en siliciure métallique. La production nécessite également des contrôles en salle blanche et des limites de particules qui restreignent le nombre d'installations capables de soutenir une production qualifiée, y compris les conditions de classe 1 ISO 14644 utilisées dans ce flux de fabrication.

Coût élevé des pellicules par rapport aux alternatives DUV conventionnelles

Les pellicules EUV sur le marché des pellicules EUV coûtent plus cher que les pellicules ultraviolet profond (DUV) conventionnelles. La différence affecte l'économie par tranche, en particulier aux nœuds EUV matures où les marges peuvent être plus serrées et où le bénéfice immédiat en termes de productivité doit être mis en balance avec les dépenses en consommables. Certaines fabs peuvent fonctionner sans pellicule lorsqu'elles jugent le risque de contamination acceptable. Cette approche échange des dépenses en consommables plus faibles contre un risque plus élevé d'interruptions liées aux masques. Un article d'ASML a rapporté qu'une nouvelle pellicule EUV peut améliorer la productivité des scanners de plus de 20 % par rapport à un fonctionnement sans pellicule. L'adoption de nouveaux matériaux dépendra à la fois de performances techniques éprouvées et d'une voie crédible vers des coûts de production plus bas.

*Nos prévisions considèrent les impacts des moteurs et des contraintes comme directionnels et non additifs. Les prévisions d'impact reflètent la croissance de référence, les effets de composition et les interactions entre variables.

Analyse des segments

Par type de produit : les pellicules à membrane sont en tête tandis que les pellicules sans membrane soutiennent la croissance

Les pellicules à membrane détenaient une part de 59,85 % du marché des pellicules EUV en 2025. Leur position était soutenue par le parc installé de scanners ASML NXE 0,33 NA fonctionnant à des puissances de source allant jusqu'à 400 W. Les membranes composites à base de silicium et de siliciure métallique ont accumulé des données d'exposition en production dans les fabs de TSMC, Samsung et SK hynix. Cet historique d'exploitation reste important car les clients exigent des preuves étendues avant d'approuver un autre matériau de pellicule. Leur compatibilité établie avec les processus de manipulation des scanners, des masques et des réticules soutient la demande continue, tandis que le secteur des pellicules EUV dépend de la cohérence des matériaux autant que de la transmittance en laboratoire.

Les pellicules sans membrane sur le marché des pellicules EUV devraient progresser à un CAGR de 14,74 % jusqu'en 2031. Cette catégorie comprend les pellicules à membrane CNT et d'autres approches de protection non structurées. La technologie de réacteur CNT à dépôt chimique en phase vapeur par catalyseur flottant (FC-CVD) de CANATU est concédée sous licence à FST, tandis que Mitsui Chemicals, Inc. développe sa propre capacité de pellicules CNT. D'autres approches commercialement précoces comprennent des concepts de protection intégrés aux photomasques et des matériaux expérimentaux, tandis que les composites en siliciure métallique démontrent plus de 90 % de transmittance et survivent à 20 000 expositions de tranches à 400 W lors de tests contrôlés. Les composites établis et les options CNT sont donc susceptibles de rester pertinents jusqu'en 2031.

Par utilisateur final : les fonderies de semi-conducteurs sont en tête, tandis que les fabricants de mémoire accélèrent

Les fonderies de semi-conducteurs détenaient une part de 50,12 % du marché des pellicules EUV en 2025. Leur demande est concentrée parmi TSMC, Samsung Foundry, Intel Foundry et un petit nombre de fabs spécialisées. En 2025, 5 fabricants exploitaient l'EUV en production à grand volume : TSMC, Samsung, Intel, SK hynix et Micron. Cette base de clients concentrée offre aux fournisseurs de pellicules qualifiés une visibilité directe sur les changements de demande, mais les décisions de qualification restent très conséquentes car la capacité logique avancée nécessite une protection stable des masques lors d'étapes d'exposition complexes. Les fonderies appliquent également des exigences de qualification distinctes, ce qui rend le support client et la connaissance des procédés importants.

Les fabricants de mémoire sur le marché des pellicules EUV devraient progresser à un CAGR de 15,66 % jusqu'en 2031. Des nombres de couches EUV plus élevés dans la mémoire vive dynamique à accès aléatoire (DRAM) et l'utilisation initiale de l'EUV par Micron dans son installation 1-gamma d'Hiroshima soutiennent cette augmentation. ASML a confirmé au T1 2026 que les clients du secteur de la mémoire faisaient progresser les systèmes High-NA vers la production de masse. Les fabricants de photomasques utilisent principalement les pellicules pour la qualification et l'inspection des masques. Dai Nippon Printing, HOYA et Toppan servent cette chaîne de valeur, tandis que les institutions de recherche et les lignes pilotes créent une demande épisodique liée aux projets de qualification. La demande liée à la mémoire est soutenue par les nouvelles générations de dispositifs et l'intensité croissante des procédés.

Analyse géographique

L'Asie-Pacifique détenait 62,78 % de la part du marché des pellicules EUV en 2025 et devrait progresser à un CAGR de 14,31 % jusqu'en 2031. La région accueille les principaux fabricants de puces compatibles EUV et une grande partie de la chaîne d'approvisionnement en matériaux associée, de sorte que la capacité installée des scanners et la production de membranes qualifiées sont étroitement liées géographiquement. La Corée du Sud est un centre de demande majeur car Samsung et SK Hynix exploitent des fabs de logique et de mémoire de pointe. Taïwan est au cœur de la consommation des fonderies car TSMC monte en puissance sur plusieurs fabs à 2 nm.

Le Japon combine la demande locale avec l'offre de Mitsui Chemicals et Shin-Etsu Chemical, tandis que la demande du marché des pellicules EUV en Chine reste contrainte par les contrôles à l'exportation sur les expéditions de scanners EUV. Les fabricants de puces nationaux étendent leur capacité DUV, ce qui peut soutenir la demande de pellicules associée via les opérations de photomasques. L'Inde, les pays de l'ASEAN et le reste de la région Asie-Pacifique en sont à des stades plus précoces d'investissement dans les semi-conducteurs avancés. Le programme d'incitation aux semi-conducteurs de l'Inde attire des capacités d'assemblage en aval qui pourraient devenir un signal de demande futur si la base de fabrication régionale s'oriente davantage vers la fabrication de tranches.

La demande de l'Amérique du Nord est soutenue par des investissements annoncés dans la logique et la mémoire qui élargissent son rôle dans la fabrication avancée de semi-conducteurs. Les fabs d'Intel compatibles EUV en Oregon et en Arizona, l'installation de Samsung à Taylor et l'expansion de Micron aux États-Unis soutiennent la demande régionale. L'approvisionnement primaire en membranes aux États-Unis est limité, tandis qu'Entegris fournit une infrastructure de manipulation des réticules et de contrôle de la contamination. L'Europe joue un rôle stratégique car ASML est basé aux Pays-Bas et Carl Zeiss SMT produit des colonnes optiques en Allemagne, tandis que l'Amérique du Sud et le Moyen-Orient et l'Afrique ont une faible demande car aucune de ces régions n'exploite de fabs compatibles EUV. Les plans d'investissement de l'Arabie saoudite dans les puces restent axés sur le conditionnement et la conception plutôt que sur la fabrication de tranches de pointe à court terme.