Présentation de lindustrie des transistors RF et micro-ondes à petit signal
Le marché mondial des transistors RF et micro-ondes est modérément concurrentiel et devrait croître au cours de la période de prévision en raison de la demande croissante de ces dispositifs dans divers secteurs verticaux des utilisateurs finaux. Les fournisseurs devraient augmenter leurs investissements dans linnovation des produits et lexpansion des installations pour renforcer leur présence sur le marché. Parmi les principaux acteurs opérant sur le marché, citons Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, STMicroelectronics, NXP Semiconductors, Infineon Technologies, etc
- Mai 2022 - STMicroelectronics et MACOM Technology Solutions Holdings Inc., lun des principaux fournisseurs de produits semi-conducteurs pour les secteurs de lindustrie, des télécommunications, de lindustrie, de la défense et des centres de données, ont annoncé la production réussie de prototypes de silicium au nitrure de gallium sur silicium (RF GaN-on-Si) par radiofréquence. Grâce à ces progrès, ST et MACOM devraient poursuivre leurs efforts pour accélérer la mise sur le marché de produits RF GaN-on-Si avancés.
- Février 2022 - United Monolithic Semiconductors a annoncé la sortie du CHK8101-SYC, un transistor GaN Power de 15 W assemblé dans un boîtier dalimentation à bride métallo-céramique entièrement hermétique. Selon la société, ces transistors GaN peuvent être utilisés pour des applications de puissance RF jusquà 6 GHz avec des performances élevées.
Leaders du marché des transistors RF et micro-ondes à petit signal
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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
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STMicroelectronics
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Semiconductor Components Industries, LLC
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NXP Semiconductors
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Infineon Technologies AG
- *Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier
