Part de marché de Mémoire vive dynamique (DRAM) chinoise Industrie
Le marché dynamique de la mémoire vive en Chine est concurrentiel et dominé par des acteurs établis. Bien que le marché assiste à lémergence de nouveaux acteurs, en particulier des acteurs locaux, les acteurs mondiaux devraient continuer à dominer le marché pour le moment. Les fournisseurs adoptent plusieurs stratégies, notamment le développement de nouveaux produits, les partenariats, les fusions et les acquisitions, pour étendre davantage leur présence sur le marché. Parmi les principaux acteurs du marché, citons Samsung Electronics Co. Ltd, Micron Technology Inc., Sk hynix Inc. et ChangXin Memory Technologies Inc
- Mai 2023 - SK hynix, lun des principaux fabricants de DRAM, a annoncé lexpansion de ses processus existants dans son usine de Wuxi, en Chine, au lieu de passer à des processus de production plus avancés axés sur les produits DDR3 et DDR4 4Gb, en raison de linterdiction américaine imposée aux équipements de fabrication de semi-conducteurs dans le pays.
- Juillet 2022 - Samsung, lun des principaux fournisseurs de puces DRAM en Chine et dans le monde, a développé une nouvelle puce de mémoire vive dynamique (DRAM) graphique avec une efficacité énergétique améliorée et une vitesse plus rapide. Selon la société, le Graphics Double Data Rate 6 (GDDR6) de 24 gigabits offre une vitesse de traitement des données plus de 30 % plus rapide que les produits existants et adopte la technologie de troisième génération de 10 nanomètres.
Leaders du marché chinois de la mémoire vive dynamique (DRAM)
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Samsung Electronics Co. Ltd
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Micron Technology Inc.
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SK Hynix Inc.
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ChangXin Memory Technologies, Inc.
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Winbond Electronics (Suzhou) Limited
*Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier